電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>國(guó)內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶問世

國(guó)內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶問世

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

差距縮至2年內(nèi)!國(guó)內(nèi)8英寸SiC襯底最新進(jìn)展

SiC晶圓廠,也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)難點(diǎn),目前國(guó)內(nèi)廠商的進(jìn)度又如何?近期包括天科合達(dá)、爍科晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點(diǎn)。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:002273

辰顯光電成功點(diǎn)亮國(guó)內(nèi)首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱體

近日,成都辰顯光電有限公司成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱體。
2024-03-18 15:46:41214

單晶硅壓力變送器和擴(kuò)散硅的區(qū)別

在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中,傳感器作為感知的核心元件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散硅壓力變送器作為壓力測(cè)量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來(lái)越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:3958

蘋果或?qū)⑷陜?nèi)推出20英寸折疊屏MacBook

關(guān)于蘋果現(xiàn)售機(jī)型方面,其目前在市場(chǎng)上銷售的最大尺寸筆記本電腦是16英寸款式的MacBook Pro。盡管此前曾有17英寸MacBook Pro“問世”,但早自2012年已經(jīng)停止生產(chǎn)。
2024-03-07 15:13:23103

使用UART FIFO緩沖區(qū)時(shí),緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)有時(shí)會(huì)損壞的原因?

和 UART_1 有限的解決方法:如果不使用完整 的 FIFO 緩沖區(qū)(只有 48 個(gè)字),問題就會(huì)消失: * UART_0 TXFIFO = 8 個(gè)字 * UART_0 RXFIFO
2024-03-06 06:59:31

河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐!

平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:31336

單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別

單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別? 單晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽(yáng)能光伏電池板。它們?cè)诓牧?、生產(chǎn)工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別。 首先
2024-02-03 09:19:22652

光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多?

光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多? 太陽(yáng)能光伏板是利用太陽(yáng)光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個(gè)衡量其性能的重要指標(biāo)。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝,它們?cè)诎l(fā)電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14349

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。SiC襯底分為導(dǎo)電型和半絕緣型兩種,各自適用于不同的外延層和應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-17 09:38:29306

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

軟包裝復(fù)合膠粘劑龍頭——高盟新材(300200.SZ)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的投資取得新進(jìn)展、新成效。
2024-01-03 10:00:53353

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶。通過(guò)增加單晶襯底的直徑和質(zhì)量,可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35338

AM08011045SF-5H標(biāo)準(zhǔn)SSPA模塊AMCOM

和48dB的小信號(hào)增益值。AM08011045SF-5H放大器模塊有6個(gè)螺母槽,適用于安裝在散熱片上。AM08011045SF-5H小巧輕便,重量較輕,寬度為6英寸(長(zhǎng))x4英寸(寬)x0.75英寸
2023-12-28 09:31:05

大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)(PVT)是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22316

8英寸襯底井噴,11月國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新進(jìn)展

空間大 ? 國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無(wú)論是從市場(chǎng)需求,還是
2023-12-12 01:35:001175

國(guó)內(nèi)首款單晶技術(shù)的雙通道30mΩ級(jí)別智能高邊開關(guān)發(fā)布

MSD1820-Q1一大優(yōu)點(diǎn)在于它采用了可靠性一流的單晶技術(shù),是國(guó)內(nèi)首款采用此技術(shù)成功開發(fā)的RDS(ON)≤30mΩ的高邊智能開關(guān),成功填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)采用高可靠性、單晶的高邊開關(guān)方面的空白。相比于傳統(tǒng)
2023-12-11 11:42:01409

爍科晶體:向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。
2023-12-11 10:46:37463

什么是單晶硅光伏板?單晶硅光伏板優(yōu)缺點(diǎn)

單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽(yáng)能光電設(shè)備,常用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池片組成,每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上,并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:061002

山西省重點(diǎn)工程項(xiàng)目,海納半導(dǎo)體硅單晶項(xiàng)目即將投產(chǎn)

海納半導(dǎo)體(山西)有限公司半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地工程總投資5.46億元,占地約133.85畝,建筑面積約8.97萬(wàn)平方米。利用海納的自主技術(shù),引進(jìn)120套單晶生產(chǎn)設(shè)備
2023-11-13 09:47:43427

單片機(jī)寫絲寫錯(cuò)會(huì)被鎖住嗎?

用的是progisp寫絲,絲寫錯(cuò)會(huì)被鎖住嗎,我寫的時(shí)候好像沒遇到,選項(xiàng)里面也沒有看到,想確認(rèn)下,單片機(jī)是atmega8
2023-11-08 07:21:51

絲位的作用是什么?如何設(shè)置絲位呢?

絲位的作用是什么?如何設(shè)置絲位? 給個(gè)清晰明白的理解。
2023-11-06 07:14:53

求助,關(guān)于AVR單片機(jī)絲位的問題

最近燒寫一個(gè)avr單片機(jī) ,F(xiàn)lash文件是唯一的 ,絲位應(yīng)該選擇內(nèi)部振蕩器,可是我選擇外部晶振一樣可以燒錄,并且上電可以讀出數(shù)據(jù),之前有說(shuō)過(guò)絲位鎖死,不能寫錯(cuò),我又改寫了內(nèi)部振蕩器仍然可以寫入和讀出,難道這個(gè)絲位隨便寫,對(duì)電路沒有影響??
2023-11-06 07:10:45

Arduino用USBASP把328P的絲位弄亂了,芯片鎖死怎么辦?

Arduino用USBASP把328P的絲位弄亂了,芯片鎖死怎么辦
2023-11-06 06:42:00

progisp168的絲位設(shè)置在哪里修改?

誰(shuí)用這個(gè)軟件設(shè)置過(guò)絲位,我的絲位沒有了,(USBASP) 正常是在中間有一個(gè)FFCD寫的,但是我的一打開就沒有了,那位大神用過(guò)指點(diǎn)
2023-11-03 06:17:45

硅單晶生長(zhǎng)工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《硅單晶生長(zhǎng)工藝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 10:33:180

求助,關(guān)于晶振絲選擇問題

最近在燒錄ATmega8的時(shí)候,之前的燒錄一直都選擇內(nèi)部振蕩器,最近試試看外部晶振也一樣工作,燒完內(nèi)部重新改寫成外部或者燒寫外部改寫成內(nèi)部,結(jié)果都一樣,那可是絲位選項(xiàng),我有點(diǎn)懵了,難道絲位選項(xiàng)是忽悠人的?
2023-11-02 07:28:13

GB T 26069-2022 硅單晶退火片

2023-10-20 08:34:240

tft中有用到eeprom嗎?用到的是哪一?

tft中有用到eeprom嗎?用到的是哪?
2023-10-17 07:16:58

世紀(jì)金光6-8英寸SiC單晶襯底項(xiàng)目簽約包頭

據(jù)科創(chuàng)包頭透露,該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí),每年要投入能夠同時(shí)容納70萬(wàn)6-8英寸單晶襯底生產(chǎn)線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。
2023-10-16 14:14:52396

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國(guó)內(nèi)廠商盤點(diǎn)

建設(shè),2017年投產(chǎn),成為國(guó)內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的IDM產(chǎn)品公司,2020年實(shí)際月產(chǎn)能達(dá)到5~6萬(wàn)片。2018年,公司12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線在廈門開工建設(shè)。2020
2023-10-16 11:00:14

4.3TFTLCD怎么顯示圖片呢?

4.3TFTLCD怎么顯示圖片呢
2023-10-16 07:56:52

至純科技:濕法清洗設(shè)備已在14及7納米制程實(shí)現(xiàn)交付,可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代

據(jù)介紹,單晶硫酸設(shè)備是濕式工程設(shè)備中難度最高的工程機(jī)械。至純科技s300 spm機(jī)器已交付許多國(guó)內(nèi)主流晶片工廠,并已應(yīng)用于國(guó)內(nèi)頭客戶的12英寸logic大量生產(chǎn)線。
2023-10-13 09:35:41396

Banana Pi BPI-Centi-S3 是一個(gè)板載1.9英寸彩屏的小尺寸ESP32-S3開發(fā)板

, SPI , RMT , I2S , UART ,USB , JTAG 1 * ST7789 屏幕,1.9英寸,170*320分辨率,8bit 8080并口 1 * 旋轉(zhuǎn)編碼器 1 * 蜂鳴器 1 * 全彩
2023-09-07 10:11:27

從“0”到“1”的技術(shù)突破 小晶片釋放大能量

一排排3米多高的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備整齊排列,設(shè)備內(nèi)部超過(guò)2000℃的高溫環(huán)境中,日夜不停地進(jìn)行著驚人的化學(xué)反應(yīng)——一個(gè)個(gè)碳化硅晶錠快速“生長(zhǎng)”。
2023-09-07 09:25:10410

Mini55跟NM1200兩MCU之間有什么差異?

您好: 想要請(qǐng)教一下 Mini55跟 NM1200 兩MCU 看使用手冊(cè),兩實(shí)在非常像,所以有點(diǎn)好奇 1. 能否使用一樣的程式撰寫這兩MCU 2. 兩MCU是否Pin to Pin 另外還想要請(qǐng)教一下兩MCU之間的差異 感謝!
2023-09-06 06:13:38

Crystal IS宣布推出首款4英寸AlN襯底

近日,日本化工企業(yè)旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁(AlN)襯底,展示了公司生長(zhǎng)氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性,以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29846

硼擴(kuò)成結(jié)對(duì)N型單晶硅電池電阻率的影響

硅太陽(yáng)能電池一般可分為單晶、多晶和非晶硅太陽(yáng)能電池,其中單晶硅電池是當(dāng)前開發(fā)最快的一種太陽(yáng)能電池,它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已經(jīng)定型,且廣泛用于空間和地面?!该滥芄夥股a(chǎn)的美能四探針電阻測(cè)試儀,可以對(duì)最大
2023-08-22 08:36:291280

旭化成旗下Crystal IS宣布生產(chǎn)4英寸氮化鋁單晶襯底

氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導(dǎo)效率,對(duì)uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的需求,4英寸基板的使用率超過(guò)80%。
2023-08-16 11:08:29603

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286

辰顯光電成功點(diǎn)亮國(guó)內(nèi)首款P0.5 TFT基無(wú)邊框29英寸Micro-LED拼接屏

近日,成都辰顯光電有限公司(以下簡(jiǎn)稱辰顯光電)在成都高新區(qū)成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首款P0.5 TFT基無(wú)邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片,由4個(gè)14.5英寸
2023-08-02 11:05:59741

晶亦精微沖刺科創(chuàng)板IPO 為國(guó)內(nèi)唯一8英寸CMP設(shè)備境外供應(yīng)商

CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微科技有限公司沖刺IPO,系國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。 近日北京晶亦精微科技股份有限公司(后簡(jiǎn)稱為晶亦精微)IPO已被上交所受理,擬在科創(chuàng)板上市
2023-07-14 11:01:15459

晶亦精微科創(chuàng)板IPO獲受理!主打8英寸CMP設(shè)備,募資16億研發(fā)及擴(kuò)產(chǎn)

所CMP事業(yè)部早在2017年便研制出國(guó)內(nèi)首臺(tái)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸CMP設(shè)備,在CMP設(shè)備領(lǐng)域技術(shù)積累深厚,是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。目前,晶亦精微主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備,在報(bào)告期內(nèi)其
2023-07-11 17:25:01626

國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)

隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕更先進(jìn)的8英寸工藝節(jié)點(diǎn)。
2023-07-10 15:21:241055

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。
2023-07-05 14:59:33237

14.3 SiC體單晶的制備_clip001

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:23:00

13.4 ZnO的單晶的摻雜

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:11:57

13.3 ZnO的薄膜單晶的制備

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:10:19

11.6 GaN薄膜單晶的摻雜

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:59:31

11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip002

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:56:21

11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip001

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:54:48

11.4 GaN體單晶的制備

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:53:23

9.3 絕緣體上的單晶硅薄膜SOI

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:36:00

9.2 單晶硅薄膜材料(下)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:35:08

9.2 單晶硅薄膜材料(上)_clip002

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:34:04

9.2 單晶硅薄膜材料(上)_clip001

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:33:16

8.5 直拉硅單晶的缺陷

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:32:29

8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質(zhì)_clip002

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:31:00

8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質(zhì)_clip001

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:30:28

8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip002

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:27:15

8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip001

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:26:43

8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)(下)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:25:44

8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)(上)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:24:26

7.6 直拉硅單晶的加工(下)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:23:35

7.6 直拉硅單晶的加工(上)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:20:40

7.5 新型直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:19:57

7.4 單晶生長(zhǎng)的主要影響因素

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:19:01

7.3 直拉硅單晶生長(zhǎng)的基本工藝(下)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:18:16

7.2 直拉硅單晶生長(zhǎng)的基本工藝(中)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:17:23

7.2 直拉硅單晶生長(zhǎng)的基本工藝(上)_clip002

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:16:06

7.2 直拉硅單晶生長(zhǎng)的基本工藝(上)_clip001

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:15:28

7.1 直拉硅單晶

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:13:21

6.3 區(qū)硅單晶(下)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:12:39

請(qǐng)問一下8 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位???

請(qǐng)問一下8 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位???
2023-06-16 11:12:27

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來(lái)了解下。
2023-06-12 16:44:423976

多晶硅和單晶硅光伏板哪個(gè)好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過(guò)程成本較高,價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

如何使用Openweathermap和0.96英寸oled來(lái)制作一個(gè)小氣象站?

我是 ESP8266 的新手。我想通過(guò)使用 Openweathermap 和 0.96 英寸 oled 來(lái)嘗試一個(gè)小氣象站。當(dāng)我嘗試編譯代碼時(shí),出現(xiàn)此錯(cuò)誤。怎么了? 調(diào)用使用屬性錯(cuò)誤聲明的“HTTPClient::begin”:過(guò)時(shí)的 API,使用 ::begin(WiFiClient, url)
2023-06-02 10:16:07

6.3 區(qū)硅單晶(上)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:16:50

6.2 區(qū)的原理

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:16:05

低氧型單晶爐發(fā)展趨勢(shì)

N型硅片存同心圓痛點(diǎn),低氧型單晶爐助力降本增效 新款單晶爐為何在2023年推出? 隨著N型電池片,尤其是TOPCon快速放量,N型硅片需求大幅提升。TOPCon 2022年 實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)約110GW
2023-05-30 09:53:53612

芯片制造為什么用單晶硅片做襯底呢?

硅片是一種薄而平整的硅材料,通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472134

SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡(jiǎn)稱SiC襯底)也是晶體材料的一種,屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢(shì),是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎(chǔ)性材料。
2023-05-18 09:54:341934

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

iMXRT1064 EVK + RIVERDI RVT70HSTNWC00-B 7英寸顯示屏變白色的原因?

63 之間的時(shí)鐘。postDivider = 16 不會(huì)對(duì)時(shí)鐘進(jìn)行任何更改。以下等式有任何限制嗎?當(dāng)我使用 loopDivider = 27 和 postDivider = 8 時(shí),屏幕會(huì)變成白色
2023-04-25 07:08:27

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào):JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

將i.MX8M NANO EVK連接到10.5英寸AMOLED顯示器提示無(wú)法連接并報(bào)錯(cuò)的原因?如何解決?

我已將 i.MX8M NANO EVK 連接到 10.5 英寸 AMOLED 顯示器,顯示器無(wú)法運(yùn)行連接到顯示器/桌面時(shí)成功運(yùn)行的應(yīng)用程序,并且出現(xiàn)“無(wú)法啟動(dòng)終止 psplash-quit.service”錯(cuò)誤在 ssh 終端中觀察到,附上圖像 FYR。請(qǐng)指導(dǎo)我了解此錯(cuò)誤是什么以及解決錯(cuò)誤的步驟。
2023-04-20 08:48:57

imx8不支持雙幀緩沖區(qū)和IPU嗎?

我們正在使用 imx6 雙核,我們計(jì)劃從 imx6 雙核遷移到 imx8qm 我們正在使用雙幀緩沖區(qū)進(jìn)行應(yīng)用程序開發(fā)。 幀緩沖區(qū) 0 - 我們以固定分辨率運(yùn)行本機(jī) OpenGL 應(yīng)用程序 (/dev
2023-04-17 08:50:58

全球款RISC-V平板電腦——PineTab-V正式發(fā)布

“JH7110”)。從外觀來(lái)看,PineTab-V擁有堅(jiān)固的深黑色金屬機(jī)身,配備了10.1英寸寬視角IPS液晶面顯示屏,分辨率達(dá)1200×800。此外,該平板電腦還擁有兩個(gè)USB-C端口(1個(gè)USB 3.0
2023-04-14 13:56:10

如何在imx8mm上融合SJC_DISABLE或啟用安全JTAG?

我如何在 imx8mm 上融合 SJC_DISABLE 或啟用安全 JTAG我在哪里可以找到絲位、字和銀行
2023-04-04 07:40:35

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作,這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝,如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182458

“第四代半導(dǎo)體” 迎重大突破!能否改變行業(yè)新技術(shù)?

中國(guó)電科46所氧化鎵團(tuán)隊(duì)從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設(shè)計(jì)出發(fā),成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù),可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制,將有力支撐我國(guó)氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2023-03-23 09:35:54998

已全部加載完成