在AI與大數(shù)據(jù)技術迅猛發(fā)展的時代背景下,海量的數(shù)據(jù)存儲需求如同洶涌的潮水般滾滾而來,這無疑給存儲技術帶來了空前的挑戰(zhàn)。存儲行業(yè)的各大廠商,如同賽場上的運動員,紛紛摩拳擦掌,全力以赴,力求在這場科技的競賽中拔得頭籌。
在閃存領域,技術的革新更是如日中天。據(jù)最新的韓媒報道,三星電子即將在本月底正式開啟其第九代V-NAND閃存的量產之旅。這一成果的取得,源于該公司早在2022年便成功推出了236層第八代V-NAND閃存。如今,他們更是將閃存堆棧結構升級至雙堆棧,使得層數(shù)一舉躍升至290層,這一技術突破無疑將推動閃存領域的發(fā)展邁向新的高度。
然而,三星并未止步于此。他們與另一行業(yè)巨頭鎧俠共同展望了更為宏偉的未來。這兩家公司計劃在未來數(shù)年內,共同研發(fā)出層數(shù)突破1000層的閃存技術。三星更是明確表示,他們力爭在2030年之前實現(xiàn)1000層NAND Flash的量產目標,而鎧俠也緊隨其后,計劃于2031年推出層數(shù)超過1000層的3D NAND Flash芯片。這一技術的革新,將徹底改變存儲市場的格局,為未來的數(shù)據(jù)存儲帶來無限可能。
在內存領域,各大存儲廠商同樣展現(xiàn)出了強烈的進取心和創(chuàng)新能力。美光公司率先披露,他們的DRAM顆粒已邁入1α與1β先進制程節(jié)點,而下一代1γ DRAM更是將引入EUV光刻機,并已順利完成試生產。這一技術的引入,將大幅提升DRAM的制程精度和性能表現(xiàn),為內存市場注入新的活力。
與此同時,三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別,并計劃在今年內啟動1c nm DRAM的量產工作。在這一過程中,三星將采用先進的極紫外光(EUV)技術,以進一步提升芯片的性能和可靠性。此外,他們還計劃于2025年正式邁入3D DRAM時代,并已展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項前沿的3D DRAM技術,這些技術的突破將推動內存領域的發(fā)展進入全新的階段。
SK海力士同樣在3D DRAM領域展現(xiàn)出了不俗的實力。他們提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料的創(chuàng)新方案。IGZO是一種由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料,具有低待機功耗的特點,非常適用于對續(xù)航時間有較高要求的DRAM芯晶體管。通過精準調控IGZO的成分組成比,可以輕松實現(xiàn)其性能的優(yōu)化,這一創(chuàng)新方案無疑將為3D DRAM的發(fā)展注入新的動力。
在這場存儲技術的競賽中,各大廠商正全力以赴,不斷推陳出新,力求在未來的科技浪潮中占據(jù)制高點。
審核編輯:黃飛
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