三星HBM研發(fā)受挫，英偉達(dá)測試未達(dá)預(yù)期，如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求？

由于低估高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）市場潛力，三星正陷入焦慮之中。據(jù)悉，該公司自去年以來一直試圖通過英偉達(dá)對其HBM3及HBM3E產(chǎn)品進(jìn)行測試，然而由于發(fā)熱和功耗等問題，測試尚未完成且需要更多驗(yàn)證。三星對此予以否認(rèn)，宣稱“正在與全球合作伙伴開展HBM供應(yīng)測試工作”，并承諾致力提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。

此外，三星電子芯片部門負(fù)責(zé)人慶桂顯被撤換，新任負(fù)責(zé)人全永鉉現(xiàn)年63歲，因其成功扭轉(zhuǎn)虧損業(yè)績而被譽(yù)為“后援投手”。此番人事變動(dòng)發(fā)生在年末，引發(fā)業(yè)內(nèi)對三星HBM開發(fā)進(jìn)展的關(guān)注。

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測試可能源于臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭，但在英偉達(dá)主導(dǎo)的HBM市場，三星不得不尋求與臺(tái)積電合作。臺(tái)積電作為英偉達(dá)GPU芯片的制造商和封裝商，在驗(yàn)證過程中擁有較大的話語權(quán)，其采用的SK海力士HBM3E產(chǎn)品設(shè)定的檢測標(biāo)準(zhǔn)或?qū)θ钱a(chǎn)品參數(shù)產(chǎn)生影響。

在HBM技術(shù)路線選擇上，SK海力士采用MR-MUF技術(shù)，三星則基于熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC-NCF）技術(shù)。盡管使用熱壓縮薄膜可有效縮小堆疊芯片間的距離，但隨著層數(shù)增多，與粘合劑材料相關(guān)的問題逐漸顯現(xiàn)。

據(jù)了解，三星已訂購用于處理MUF技術(shù)的芯片制造設(shè)備，以期提高HBM產(chǎn)量。然而，這一舉措被指“屈從于SK海力士的技術(shù)”，三星堅(jiān)稱NCF技術(shù)才是HBM產(chǎn)品的“最佳解決方案”。

當(dāng)前形勢嚴(yán)峻，英偉達(dá)占據(jù)全球AI應(yīng)用GPU市場約80%份額，能否滿足其需求將決定HBM供應(yīng)商未來發(fā)展。去年，SK海力士和美光向英偉達(dá)提供8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，并于年初通過驗(yàn)證贏得訂單。而早在去年10月，三星便已與英偉達(dá)展開HBM產(chǎn)品技術(shù)驗(yàn)證合作，至今已有半年之久。若此次測試結(jié)果不佳，恐將進(jìn)一步延緩三星HBM產(chǎn)品出貨時(shí)間，進(jìn)而影響市場占有率。

數(shù)據(jù)顯示，SK海力士已取得五成市場份額，三星和美光分別占據(jù)四成和一成。美光、三星在HBM競爭中的不利地位，早在5年前甚至更早時(shí)期便已種下禍根。2011年，美光與英特爾合作研發(fā)HMC（混合內(nèi)存立方體），旨在解決DDR3帶寬問題，但最終因故擱置。至于三星，2019年因誤判市場前景解散HBM團(tuán)隊(duì)，錯(cuò)失競爭先機(jī)。三星電子半導(dǎo)體部門員工曾自嘲為“SK海力士分包商”，因SK海力士已成為HBM市場的全球主力供應(yīng)商，三星被迫承接其外溢訂單。

鑒于當(dāng)下形勢，美光憑借美國本地化因素，HBM市場競爭中應(yīng)對自如。然而，三星承受來自競爭對手及重返存儲(chǔ)器霸主地位的壓力，需加速出貨現(xiàn)有的HBM產(chǎn)品并啟動(dòng)下一代開發(fā)計(jì)劃。

對于三星是否能順利通過英偉達(dá)測試，業(yè)內(nèi)曾有傳言稱“英偉達(dá)挑起三星與SK海力士之間的競爭，借此降低HBM價(jià)格”，這暗示了英偉達(dá)可能有意擴(kuò)大HBM供應(yīng)商隊(duì)伍。因此，三星通過測試并非難事。然而，三星是否轉(zhuǎn)向使用MUF技術(shù)，或者同時(shí)引入NCF和MUF，甚至通過人事變動(dòng)推出強(qiáng)有力的策略以扭轉(zhuǎn)局面，仍待觀察。

然而，時(shí)間緊迫。畢竟，HBM3E僅為小試牛刀，2025年前后的HBM4才是決定勝負(fù)的關(guān)鍵。