CGD開(kāi)發(fā)GaN,致力于打造更環(huán)保電子器件

位于英國(guó)劍橋市的無(wú)晶圓制造環(huán)保科技型半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（簡(jiǎn)稱 CGD）研發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，主攻更為環(huán)保的電子設(shè)備領(lǐng)域。近日，該公司正與全球先進(jìn)連接與電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?聯(lián)手研發(fā) GaN在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)及評(píng)估套件（EVK）。此舉旨在加速 GaN功率 IC在無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）應(yīng)用中的普及，構(gòu)建出更高功率、高效、緊湊且穩(wěn)定的系統(tǒng)。值得一提的是，Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器的 EVK 設(shè)計(jì)中，采用了 CGD的ICeGaN?（IC 增強(qiáng)型 GaN）技術(shù)。

CGD首席執(zhí)行官 Giorgia Longobardi表示：“我們的 ICeGaN HEMT提供了接口電路，無(wú)需集成控制器，只需與高度集成的電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng) IC簡(jiǎn)單結(jié)合，即可由如 Qorvo的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器輕松驅(qū)動(dòng)。我們非常榮幸能與 Qorvo攜手，讓他們的電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器充分享受 GaN所帶來(lái)的諸多好處?！?/p>

Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理 JEFF Strang則表示：“GaN和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體因其具有更高的功率密度和效率優(yōu)勢(shì)，廣泛運(yùn)用于各類電機(jī)控制應(yīng)用中。CGD的 ICeGaN產(chǎn)品具備易用性和可靠性兩大特點(diǎn)，這正是電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者所關(guān)注的重點(diǎn)。我們期待看到設(shè)計(jì)工程師們將 CGD的 ICeGaN與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無(wú)刷直流電機(jī)控制解決方案相結(jié)合后的精彩表現(xiàn)?！?/p>

GaN的諸多優(yōu)勢(shì)包括：更低的損耗，帶來(lái)更高的效率，進(jìn)一步提升功率可用性并降低熱量產(chǎn)生。這使得對(duì)復(fù)雜、龐大且昂貴的熱管理解決方案的需求得以降低，從而打造出更小巧、更強(qiáng)大、壽命更長(zhǎng)久的系統(tǒng)。同時(shí)，GaN在低速狀態(tài)下也能提供更大的扭矩，實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)的控制。此外，GaN的高速開(kāi)關(guān)特性有助于降低噪音，特別適用于吊扇、熱泵以及冰箱等家用電器。

與其他 GaN器件相比，ICeGaN還具備以下顯著優(yōu)勢(shì)：其柵極驅(qū)動(dòng)電壓與 IGBT兼容，無(wú)需負(fù)關(guān)斷電壓，且可使用低成本的電流驅(qū)動(dòng)器。最重要的是，ICeGaN內(nèi)置電流感測(cè)功能，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并降低物料清單（BOM）。

目前，參考設(shè)計(jì)已經(jīng)面世，EVK RD5556GaN預(yù)計(jì)將于今年第三季度推出市場(chǎng)。該產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM展覽會(huì)上首次亮相。屆時(shí)，CGD的展位號(hào)為7-643，Qorvo的展位號(hào)為7-406。