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GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

e絡(luò)盟 ? 2024-08-30 14:55 ? 次閱讀

e絡(luò)盟技術(shù)團(tuán)隊(duì)

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)的主要趨勢之一。隨著全球越來越多地轉(zhuǎn)向使用電力,所謂提高工業(yè)能源效率,就是指改進(jìn)電力電子設(shè)備的運(yùn)行,例如,投資于節(jié)能電機(jī)來最大限度地節(jié)省開支。

當(dāng)前,大多數(shù)電子設(shè)備采用的都是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET),其于1959年在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生,并在20世紀(jì)60年代早期獲得廣泛采用。MOSFET通過改變施加在柵極端子上的電壓來控制器件通道的電導(dǎo)率,從而實(shí)現(xiàn)信號放大或開關(guān)和功率處理等操作。

與傳統(tǒng)的雙極晶體管相比,MOSFET的主要優(yōu)點(diǎn)是幾乎不需要輸入電流來控制負(fù)載電流。MOSFET也有一定的缺點(diǎn),最明顯的是使用壽命短,對過載電壓較為敏感。

與硅基器件相比,新材料有了顯著的改進(jìn),表現(xiàn)在損耗更小、速度更快、成本更低。此處所說的新材料包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。這些新材料的特點(diǎn)之一是帶隙更寬,這是固體中電子不能存活的能量范圍,也是固體材料可以導(dǎo)電的因素之一。帶隙越寬,就能承受越高的電壓和溫度。

氮化鎵是什么?

氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬且機(jī)械性能穩(wěn)定的半導(dǎo)體。與帶隙約為1.12eV的硅基等效材料相比,氮化鎵的帶隙達(dá)到3.2 eV,擊穿強(qiáng)度更高,開關(guān)速度更快,導(dǎo)熱性更高且電阻更低。

具有此寬帶隙的氮化鎵可用于光電高功率和高頻器件。例如,氮化鎵MOSFET是微波和太赫茲(THz)器件功率放大器的理想基礎(chǔ),用于成像和傳感等應(yīng)用,以及射頻RF)元件和發(fā)光二極管LED)。這些優(yōu)勢意味著氮化鎵已經(jīng)證明了它能夠在功率轉(zhuǎn)換、射頻和模擬應(yīng)用中取代硅半導(dǎo)體。

由于氮化鎵晶體可以在包括硅在內(nèi)的各種基材上生長,因此可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施,包括現(xiàn)有的大直徑硅晶圓。

與硅相比,氮化鎵具備幾個(gè)有優(yōu)勢的特性。包括導(dǎo)通電阻更低,這樣可以降低電導(dǎo)損耗,繼而降低能源成本。由于氮化鎵半導(dǎo)體本質(zhì)上比硅更高效,因此消耗的熱量更少,系統(tǒng)尺寸更小,材料成本也就更低。

這種材料還支持使用更高的開關(guān)頻率提高器件速度,這反過來又支持在電源電路中使用更小的電感和電容器。隨著頻率增加10倍,電容和電感減少10倍,重量、體積和成本都在大幅降低。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,更高的頻率還可以降低噪音。此外,它們還能實(shí)現(xiàn)更高功率的無線電力傳輸,以及充電元件和充電器件之間更大的傳輸接收氣隙。

與硅相比,氮化鎵器件可以適應(yīng)更高的開關(guān)頻率和工作溫度,對冷卻要求更低,并可使用更小的散熱器以及從液體冷卻轉(zhuǎn)向空氣冷卻,因此無需使用風(fēng)扇。

使用氮化鎵半導(dǎo)體,可以降低系統(tǒng)總成本。雖然氮化鎵半導(dǎo)體的成本通常比硅高,但無源電感和電容元件、濾波器和冷卻等元件的尺寸和成本的減少可以節(jié)省10%-20%的成本。

碳化硅是什么?

碳化硅(SiC)是一種由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。 碳化硅的帶隙為3.4 eV,是硅的三倍,優(yōu)點(diǎn)很多,包括擊穿電場強(qiáng)度是硅的十倍,這使得它可以配置從600V到數(shù)千伏的高功率器件電壓。

碳化硅兼具高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高速運(yùn)行和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn),大大擴(kuò)展了應(yīng)用范圍。從本質(zhì)上講,碳化硅實(shí)現(xiàn)了單獨(dú)使用硅時(shí)無法實(shí)現(xiàn)的性能,是下一代功率器件中硅的最佳替代品。

高壓器件的大部分電阻元件都位于漂移層,因此碳化硅可以極低的單位面積導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)更大的耐壓——理論上,在相同的耐壓下,它的單位面積漂移層電阻比硅低300倍。

碳化硅和氮化鎵相較于傳統(tǒng)硅的優(yōu)勢

能源利用的歷史就是一個(gè)探索過程,旨在找到將能源從其來源形式轉(zhuǎn)化為最終用途的最有效方法。

今天,我們更多地考慮如何最有效地將發(fā)電機(jī)輸出轉(zhuǎn)換為端電壓,用于從工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到電動(dòng)汽車電池充電器的近乎無限數(shù)量的應(yīng)用。

在某種程度上,能量轉(zhuǎn)換過程幾乎肯定會(huì)使用功率半導(dǎo)體開關(guān),而硅基開關(guān)幾十年來一直是Si-MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)形式的標(biāo)準(zhǔn)。

然而,使用硅基開關(guān)固有的功率損耗長期以來一直是導(dǎo)致系統(tǒng)效率低下的一個(gè)因素。直到最近,碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體才顯著提高了功率轉(zhuǎn)換效率,而在此之前,除了硅基開關(guān),幾乎沒有別的選擇。

說到這里,應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是,碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體不能與硅基芯片熱插拔。應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)必須與之匹配,特別是在想要獲得充分的性能優(yōu)勢的情況下。

碳化硅和氮化鎵器件的應(yīng)用

碳化硅器件已經(jīng)在越來越多的應(yīng)用中證明了其作為堅(jiān)固耐用、最先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)器的價(jià)值。使用Si-MOSFET甚至IGBT的現(xiàn)有應(yīng)用都能安全地使用碳化硅器件進(jìn)行改造。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅的最大效益,還可以利用更高的開關(guān)頻率和小型化的磁性元件實(shí)施新的接地設(shè)計(jì)。

氮化鎵器件在低電壓應(yīng)用中受到青睞,因?yàn)樵摬牧系幕衔锟梢宰詈玫仄胶庑屎托阅???赡艿膽?yīng)用包括太陽能逆變器、電信DC-DC轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器和單相交流電源

碳化硅和氮化鎵的工業(yè)節(jié)能能力

晶體管中的碳化硅和氮化鎵技術(shù)對強(qiáng)勁增長的市場產(chǎn)生了重大影響。

例如:

  • 電動(dòng)汽車(EV)和交通:效率的提高降低了電池成本,增加了每次充電的行駛里程。
  • 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施:與純硅解決方案相比,碳化硅和氮化鎵的功率輸出更大,充電時(shí)間縮短了一半以上,這是一個(gè)重大改進(jìn)。
  • 再生能源:碳化硅晶體管的功率損耗降低了50%,這直接降低了發(fā)電成本。
  • 工業(yè)電源:電源效率可提高多達(dá)10%,顯著降低運(yùn)營成本,例如減少了運(yùn)行時(shí)間和維護(hù)成本。
  • 5G通信與替代方案相比,氮化鎵的帶寬和功率密度更高,對全球5G(及更高版本)的開發(fā)和部署至關(guān)重要。

結(jié)語

氮化鎵和碳化硅芯片各自適用特定的應(yīng)用,因此二者之間沒有直接競爭。然而,它們憑借各自的特點(diǎn)主導(dǎo)著某些市場。例如,截至2026年,消費(fèi)電子充電器預(yù)計(jì)將占到氮化鎵芯片市場的66%,而汽車應(yīng)用,主要是電動(dòng)汽車,可能占到碳化硅芯片市場的60%。

它們具有能源效率優(yōu)勢,兼具緊湊的尺寸,正在徹底改變消費(fèi)者和工業(yè)目前可用的電源選擇,都是極具吸引力的平臺(tái),反過來又為更可持續(xù)的能源供應(yīng)和使用做出了巨大貢獻(xiàn)。

編者按

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