富士通如何在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上滿足“定制化”需求？

富士通電子元器件（上海）有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新在最近的一次公開演講中指出，“各種系統(tǒng)對存儲器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同，存儲技術(shù)正在走向細(xì)分。”該公司以讀寫次數(shù)幾乎不受限、超低功耗和超高讀寫速度的FRAM存儲器近年來在各種市場獲得廣泛應(yīng)用就是很好的例子，包括醫(yī)療電子、計量儀表、工業(yè)自動化、汽車電子，等等市場已經(jīng)非常普遍。“到2019年，富士通將為嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用提供包括FRAM、NRAM以及ReRAM在內(nèi)具有獨特優(yōu)勢的一攬子存儲解決方案?！?/span>

馮逸新：關(guān)鍵數(shù)據(jù)最佳存儲解決方案

作為存儲技術(shù)的“非典型”，F(xiàn)RAM技術(shù)本身具有很強的非典型特點——它是運用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器，既可以做到像SRAM的隨機讀取，又具備像Flash和EEPROM一樣掉電后重要數(shù)據(jù)實時保存的特點。此外，富士通半導(dǎo)體FRAM具有高速寫入性能，保證10萬億次的讀寫次數(shù)，最適用于需要實時記錄數(shù)據(jù)的測量儀表應(yīng)用。

FRAM與其它存儲器的主要性能對比

事實上，這種個性“定制化”的產(chǎn)品方案已經(jīng)擴展到更多的應(yīng)用領(lǐng)域，富士通前不久推出全新FRAM解決方案——MB85RS128TY和MB85RS256T首次將工作環(huán)境溫度擴展到高達攝氏125度，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機的工業(yè)控制機械等設(shè)計，且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

富士通在去年業(yè)界最高密度ReRAM（可變電阻式存儲器）產(chǎn)品MB85AS4MT，擁有業(yè)界非易失性內(nèi)存最低的讀取功耗（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。ReRAM將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。“如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間?！?馮逸新的例子讓人對ReRAM快速寫入特點印象深刻，“ReRAM一直被認(rèn)為是未來閃存的替代方案，能在單塊芯片上存儲1T數(shù)據(jù)，存取速率比閃存快20倍。”

富士通半導(dǎo)體成為宣布量產(chǎn)NRAM的全球首家廠商，NRAM性能是DRAM 1000倍、但像NAND閃存那樣存儲數(shù)據(jù)的新型內(nèi)存。富士通半導(dǎo)體計劃到2018年底開發(fā)一款采用DDR4接口的定制嵌入式存儲級內(nèi)存模塊。NRAM產(chǎn)品將面向數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器，也可能會用于消費類產(chǎn)品，甚至應(yīng)用到移動設(shè)備。由于NRAM能耗極低，不需要后臺的數(shù)據(jù)擦除操作，它可能把移動設(shè)備的待機時間延長至數(shù)個月。

富士通非易失性存儲器三類產(chǎn)品：FRAM，ReRAM，NRAM

馮逸新在近期的一個表計行業(yè)演講中總結(jié)道。作為已經(jīng)批量生產(chǎn)推向市場超過18年的產(chǎn)品，F(xiàn)RAM依然是富士通存儲解決方案當(dāng)前的明星“花旦”，ReRAM和NRAM將為嵌入式系統(tǒng)存儲一攬子解決方案提供完美補充。

“富士通全球FRAM存儲器銷量在2016年就已經(jīng)超過33億片，其中面向世界電表客戶累計交貨4000萬片。包括中國在內(nèi)世界主要的電表制造商都是FRAM產(chǎn)品的忠實擁躉，特別是三相電表中FRAM的應(yīng)用滲透率非常高?！?/strong>馮逸新指出。按照他的說法，在全球三相電表中體現(xiàn)的顯著競爭優(yōu)勢已經(jīng)成為FRAM全球推廣極具說服力的“樣板工程”。