富士通與亞馬遜云服務(wù)AWS宣布深化合作，共同推出現(xiàn)代化加速聯(lián)合計(jì)劃，旨在推動(dòng)AWS云上遺留應(yīng)用程序的現(xiàn)代化進(jìn)程。該計(jì)劃將于4月1日正式啟動(dòng)，將富士通的系統(tǒng)集成能力與AWS的專業(yè)服務(wù)相結(jié)合，為運(yùn)行在本地大型機(jī)和UNIX服務(wù)器上的傳統(tǒng)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序提供評(píng)估、遷移和現(xiàn)代化服務(wù)。
2024-03-19 10:59:35
220 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49503 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日，由日本理化學(xué)研究所（RIKEN）和富士通聯(lián)合開發(fā)的 超級(jí)計(jì)算機(jī)“富岳（Fugaku）” 在最新公布的HPCG和Graph500 BFS（廣度優(yōu)先搜索）等多個(gè)
2023-11-29 17:10:02228 
GX250516Kb只添加存儲(chǔ)器可識(shí)別和存儲(chǔ)與其關(guān)聯(lián)的產(chǎn)品相關(guān)信息?？梢酝ㄟ^最小化的接口（例如微控制器的單個(gè)端口引腳）訪問該批次或產(chǎn)品特定的信息。
2023-11-21 16:04:27191 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 11月15日-19日，第二十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡(jiǎn)稱“高交會(huì)”）在深圳會(huì)展中心拉開帷幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司CEO汪波先生受邀出席本次高交會(huì)
2023-11-20 17:10:03178 
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 隨著全球各地監(jiān)管政策的出臺(tái)，對(duì)于企業(yè)環(huán)境、社會(huì)和治理（ESG）相關(guān)指標(biāo)的披露也愈發(fā)嚴(yán)格。與此同時(shí)，來自客戶需求及外部環(huán)境的變化也為企業(yè)推動(dòng)合規(guī)層面的積極變革創(chuàng)造
2023-11-13 17:15:02193 MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識(shí)別芯片
2023-11-09 13:59:01431 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 本月，富士通與日本理化學(xué)研究所（RIKEN）宣布，在RIKEN RQC-Fujitsu合作中心成功開發(fā)出了 新型 64 量子位超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī) 。理化學(xué)研究所于今
2023-10-27 09:15:02168 
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
據(jù)悉，還決定以目前市價(jià)約26億美元（約2.6萬億韓元）出售富士通持有的信子50%的股份。貝恩資本、kkr、阿波羅全球管理公司和日本政府支持的投資公司日本投資公司等對(duì)投標(biāo)表現(xiàn)出了興趣
2023-10-18 10:19:57227 mcs-8051單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
目前，日本在量子領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展落后于中美兩國，但此前已經(jīng)制定發(fā)展規(guī)劃。富士通計(jì)劃將量子計(jì)算機(jī)與超級(jí)計(jì)算機(jī)相結(jié)合，以提高計(jì)算能力。未來，富士通將會(huì)把量子計(jì)算機(jī)投入實(shí)際應(yīng)用，進(jìn)行分子構(gòu)型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 自舉程序存儲(chǔ)在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
與此同時(shí)，富士通還積極投身到全球各項(xiàng)可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動(dòng)項(xiàng)目當(dāng)中。就在本月，富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(huì)(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(dòng)(PACT)，成功實(shí)現(xiàn)了整個(gè)供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023年中國國際服務(wù)貿(mào)易交易會(huì)（服貿(mào)會(huì)）近日在北京開幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“富士通”）副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會(huì)，并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LSI存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)輕量級(jí)監(jiān)視器用戶指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-24 14:25:23
0 庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20414 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex Gen 5光纖通道主機(jī)總線富士通適配器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-10 14:32:280 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Archion EditStor ES使用LSI存儲(chǔ)來幫助后期制作設(shè)施.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-03 11:42:540 點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào) 富士通于昨日發(fā)布了2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2023財(cái)年第一季度整體營收為7,996億日元，較上一年度同期實(shí)現(xiàn)小幅增長
2023-07-28 17:15:01449 
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報(bào)告》。該報(bào)告對(duì)來自全球9個(gè)國家的1,800名企業(yè)高管及決策者進(jìn)行了調(diào)查， 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270 
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
包含RFID模塊、天線、處理器、存儲(chǔ)器等核心元件。當(dāng)RFID手持機(jī)靠近一個(gè)帶有RFID標(biāo)簽的物品時(shí),它會(huì)通過射頻信號(hào)與標(biāo)簽進(jìn)行通信。RFID標(biāo)簽上的信息將被讀取并傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">RFID手持機(jī)的處理器中進(jìn)行處理。RFID手持機(jī)可以根據(jù)需要將讀取到的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器中,或者通過
2023-07-06 16:06:04649 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 8 存儲(chǔ)器 8.5 外部存儲(chǔ)器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲(chǔ)器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個(gè)內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個(gè)可編程
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲(chǔ)器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個(gè)SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日，富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁汪波先生受邀出席2023中關(guān)村論壇平行活動(dòng)“ChatGPT 與人工智能前沿技術(shù)交流會(huì)”，并發(fā)表了題為《加速AI創(chuàng)新，共建
2023-06-08 19:55:02296 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“富士通”）與微軟公司（以下簡(jiǎn)稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資，以推動(dòng)富士通
2023-06-05 19:45:01379 作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 ? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)、技能和知識(shí)提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng)，以推動(dòng)可持續(xù)轉(zhuǎn)型?！?b class="flag-6" style="color: red">富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 ，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請(qǐng)告知
2023-04-23 07:19:24
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲(chǔ)器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18
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