報導(dǎo)，存儲器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準(zhǔn)備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
芯片。這時得到了4個 字長為4得芯片，這四個芯片按字方向擴(kuò)展得到16K，說明一塊DRAM芯片存儲單元數(shù)位4K.而刷新是針對每塊芯片來說的，所以我們只需要研究一塊芯片的刷新機(jī)制按照存儲矩陣形式，得到共有
2022-03-02 06:18:45
意味著不需要刷新周期，可以顯著提高性能。新的內(nèi)存系統(tǒng)能夠以與DRAM訪問時間相似的速度運(yùn)行-這是要取代DRAM的一項(xiàng)重要功能。由于所需的柵極電壓較低，因此新的存儲器建議還使用了明顯更少的能量。因此，它將
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現(xiàn)代存儲器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
設(shè)存儲器讀/寫周期為 0.5us， CPU在1us內(nèi)至少要訪問一次。試問采用哪種刷新方式比較合理？ 兩次刷新的最大時間間隔是多少？ 對全部存儲單元刷新遍所需的實(shí)際刷新時間是多少？
2021-10-26 07:05:19
第4章 存儲器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲器
2021-07-26 08:08:39
存儲器映射是什么意思？其映射過程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
計算機(jī)中哪些部件可以用于存儲信息？存儲器的層次結(jié)構(gòu)主要體現(xiàn)在什么地方？為什么要分這些層次？存取周期和存取時間的區(qū)別是什么？半導(dǎo)體存儲器芯片的譯碼驅(qū)動方式有幾種？
2021-09-28 06:38:41
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
**第一至第三章**Q1. 若存儲器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位，存取周期為200ns，則存儲器的帶寬是多少？存儲器的帶寬指單位時間內(nèi)從存儲器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
固化在片子里的BOOTBLOCK，這是判斷運(yùn)行哪個存儲器上的程序，檢查用戶代碼是否有效，判斷芯片是否加密，芯片是否IAP（在應(yīng)用編程），芯片是否ISP（在系統(tǒng)編程），所以這個BOOTBLOCK要首先執(zhí)行
2014-03-24 11:57:18
商品參數(shù)存儲器容量256Mb (16M x 16)存儲器構(gòu)架(格式)DRAM存儲器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
Access Memory)：動態(tài)隨機(jī)存儲器，每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。SDRAM （synchronous dynamic random-access memory...
2021-11-03 06:22:12
方式邊界對齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過程存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲器靜態(tài)MOS存儲器 SRAM靜態(tài)MOS存儲單元靜態(tài)MOS存儲器的結(jié)構(gòu)動態(tài)MOS存儲器 DRAM四管動態(tài)MOS存儲元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個嵌入式實(shí)時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
需要雙向進(jìn)行，所以才要利用74ls245來進(jìn)行接收。會將柵極一直打開，通過對存儲器芯片的讀信號來進(jìn)行方向控制。本次我們采用將pld上存儲器的讀信號設(shè)置為只在cs1有效時才輸出的方法。 3.pld
2020-12-10 16:44:18
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
一般來說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲數(shù)據(jù)的過程中需要對于存儲的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，采用 DRAM的計算機(jī)必須配置動態(tài)刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機(jī)中的主存儲器。
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型?！ 《?、半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當(dāng)編程后，RCU將向?qū)⑻幚?b class="flag-6" style="color: red">器的BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元
2019-07-29 07:54:57
控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當(dāng)編程后，RCU將向?qū)⑻幚?b class="flag-6" style="color: red">器的BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時，被編程的存儲器范圍片選有效。
2019-11-07 06:01:59
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？
2021-05-06 07:23:59
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
。如果狀態(tài)機(jī)A在A1狀態(tài)（存儲器讀、寫或刷新周期）并且總線周期為DRAM使用，則XC95C36插入RAS信號。在T2的上升沿，狀態(tài)機(jī)A也采樣鎖存的地址線。如果總線周期被DRAM占用，狀態(tài)機(jī)A將從狀態(tài)
2011-02-24 09:33:15
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
隨著移動電話向著具有豐富媒體功能的無線平臺發(fā)展，對功率預(yù)算的控制是開發(fā)的重點(diǎn)。降低存儲器的功耗可以顯著延長移動電話的電池壽命。為了降低存儲器的功耗，業(yè)界使用了兩種不同的基于DRAM的存儲器架構(gòu)：本地
2009-10-08 15:53:49
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點(diǎn)？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
為什么要開發(fā)和測試存儲器件？怎樣去測試存儲器的基本功能？如何去擴(kuò)展存儲器的測試能力？
2021-04-15 06:44:19
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
設(shè)計需求相變存儲器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長，數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
第三章多層次存儲器 習(xí)題本章題目有幾個考點(diǎn)，可用[關(guān)鍵字]搜索。[字位擴(kuò)展]——存儲器的字、位擴(kuò)展，以及組成邏輯框圖[DRAM]——DRAM的集中、分散刷新[字位擴(kuò)展] 已知某64位機(jī)主存采用半導(dǎo)體
2021-07-29 06:08:35
方式隨機(jī)存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴(kuò)展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
長期保存數(shù)據(jù)，它需要定期的刷新操作。這不但使DRAM 的讀寫控制變得復(fù)雜，而且也降低了它的讀寫速度。DRAM 主要用作主存儲器。SRAM 是依靠一對反相器以閉環(huán)形式連接的存儲電路，它的代碼的讀出是非
2022-11-17 16:58:07
而言，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲的數(shù)據(jù)在掉電是會丟失，因而只能在開機(jī)運(yùn)行時存儲數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計
1、引言
當(dāng)代計算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機(jī)訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 動態(tài)存儲器的一個顯著特點(diǎn)就是存儲的數(shù)據(jù)具有易失性，必須在規(guī)定時間內(nèi)對其刷新。在本系統(tǒng)中采用8031的定時器1定時中斷實(shí)現(xiàn)對 DRAM 的刷新。其定時中斷刷新的程序如下： 刷新時，先將Tl
2018-03-17 11:30:002948 
存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 Data Rate， 雙倍速率 QDR：Quad Data Rate， 四倍速率 DRAM：Dynamic RAM， 動態(tài)隨機(jī)存儲器， 每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù) SRAM：Static
2018-05-30 13:53:0610650 隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 關(guān)鍵詞：異步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的縮寫，中文稱為靜態(tài)隨機(jī)存儲器。SRAM是一種具有靜止存取功能的存儲器，不需要通過刷新電路就能保存
2020-03-08 17:15:003527 
SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多
2020-04-28 14:16:361185 半導(dǎo)體存儲器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 隨機(jī)存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲器和動態(tài)隨機(jī)存儲器，理解上靜動態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-10-28 09:51:2011 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 一般計算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲，一旦設(shè)備斷開電源，就會失去信息。
這個設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
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