報導，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯發(fā)科的NOR Flash設計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:231529 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 日前，三星210億美元砸向存儲器的數字再次刺痛了不少中國半導體業(yè)者的眼睛，如今國內存儲器產業(yè)建設正發(fā)展得如火如荼，中國存儲器之戰(zhàn)已經打響...
2017-11-27 14:04:1510620 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調降調降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現。
2011-11-19 00:26:271152 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機存儲器），不需要刷新電路，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當前內存技術的比較。DRAM是計算技術中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲器教材課后思考題與習題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲器
2021-07-26 08:08:39
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結構：芯片參數與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結構芯片引腳解讀：【5】存儲器系統設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數存儲器容量256Mb (16M x 16)存儲器構架(格式)DRAM存儲器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數據存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
當系統運行了一個嵌入式實時操作系統時（RTOS），操作系統通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數據。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
問：動態(tài)儲器和靜態(tài)存儲器有什么區(qū)別？答：當然動態(tài)儲器(DRAM)與靜態(tài)存儲器(SRAM)除了速度外,它們的價格也是一個天一個地,依據實際情況進行設計,以降底產品成本,下面是它們的價紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）。 ?。?） 混合型?！ 《?、半導體存儲器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關機或斷電
2020-12-25 14:50:34
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
據新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數據不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統所獲悉，由該所研發(fā)的國際領先的嵌入式相變存儲器現已成功應用在打印機領域，并實現千萬量級市場化銷售，未來中國在該領域有望實現“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？
2021-05-06 07:23:59
如何實現擴展存儲器的設計？
2021-10-28 08:08:51
哈弗結構是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲器由哪些組成？怎樣去啟動STM32存儲器？
2021-09-24 07:03:23
暗暗給全球半導體業(yè)帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈，***的晶圓代工大廠不會缺席，甚至中國也想彎道超車。2018年前十大半導體業(yè)者營收預估至于誰會領先達陣？當DRAM因為技術極限而可能
2018-12-24 14:28:00
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節(jié)外部數據存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節(jié)的FLASH數據存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數據存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么，求解答。單片機存儲電路里的數據存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲器的一般用途是代碼儲存。系統需要一個相對較小進的存儲，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲器也常用于嵌入式文件系統的存儲器，這些類型的系統中 DRAM 常用便簽式存儲器。在這
2018-05-17 09:45:35
單片機中數據存儲器片內的地址是00--7FH，程序存儲器的片內地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
方式隨機存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數的多少來代表所存儲的數據，電路結構十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因為電容上的電荷會泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲的數據在掉電是會丟失，因而只能在開機運行時存儲數據。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動態(tài)隨機存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器，只能從里面讀出數據而不能任意寫入數據。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲器是產業(yè)的風向標
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
大陸存儲器競賽邁向新局，甫獲得大基金入股的北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約，將砸人民幣180億元(逾新臺幣800億元)研發(fā)19納米DRAM技術，業(yè)界預期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業(yè)代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 中國上馬存儲器芯片制造引起全球的反響，恐怕2019年及之后會揭開面紗，露出“真容”。它對于中國半導體業(yè)具里程碑意義，實質上是為了實現產業(yè)“自主可控”目標打下扎實基礎，所以“氣只可鼓，不可泄”。盡管面臨的困難尚很大，但是必須要認真去對待，重視知識產權的保護，并努力加強研發(fā)的進程。
2018-06-16 16:18:008261 目前存儲器市況呈現兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國存儲器產業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 2018年底第一個中國自主研發(fā)的DRAM芯片有望在合肥誕生；
2018-05-16 16:00:0020968 
中國三大存儲器勢力還有一大神秘隊伍合肥長鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲器項目神秘 合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達社長坂本幸雄成立的半導體設計公司兆基科技（Sino King Technology）將在中國主導大規(guī)模半導體生產項目。
2018-05-02 10:28:009385 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產品。DRAM繼續(xù)保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 存儲器大廠SK海力士（Hynix）也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術來生產DRAM存儲器，未來有機會藉此將生產DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:243560 進口數目巨大，自主研發(fā)成為一直以來努力的方向，此次合肥長鑫率先嘗試“從0到1”的突破，推動中國存儲器廠邁出了重要的一步。
2018-11-29 16:51:0517531 盡管ㄧ些新存儲器技術已經研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術的列表。然而，無論哪一個技術勝出，這些新型非易失性技術系統的功耗肯定會低于現有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統。
2018-12-24 11:04:3410846 
隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 從福建晉華被美國宣布列為禁止出口的制裁名單后，國內存儲產業(yè)發(fā)展氣氛轉為低調，業(yè)界更擔心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長鑫會踩到前人地雷，然合肥長鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:388697 作為中國DRAM產業(yè)的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發(fā)的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術發(fā)展現狀和未來趨勢。作為中國DRAM產業(yè)的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發(fā)的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 根據韓國媒體報導，在當前存儲器價格已經觸底反彈，整體市場庫水水位也進一步降低的情況之下，三星決定開始恢復針對存儲器產業(yè)的投資。而根據知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設備
2019-10-30 15:15:302760 目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
靜態(tài)數據隨機存儲器存儲器（SRAM）是隨機存儲器存儲器的一種。說白了的靜態(tài)數據，就是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數據信息就可以恒常維持。相對性下，動態(tài)性隨機存儲器存儲器（DRAM）里邊所存儲
2020-08-10 16:43:2413590 獨立存儲器市場和相關技術的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 隨機存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器，理解上靜動態(tài)主要體現是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數據將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 的統一組織下亮相第五屆絲博會，展出了公司研發(fā)設計的包括第四代DRAM 存儲器在內的全系列晶圓、顆粒及模組產品及全球首系列商用內嵌自檢測修復（ECC）DRAM存儲器產品。全面展示了西安紫光國芯在集成電路存儲器領域的技術實力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:502843 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 在當前計算密集的高性能系統中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當前計算密集的高性能系統中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設備連接到電源，信息就被存儲，一旦設備斷開電源，就會失去信息。
這個設備比DRAM要復雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續(xù)地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論