報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 對(duì)中國(guó)大陸來(lái)說(shuō)，今年可算是真正意義上的存儲(chǔ)器元年。武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫光。三個(gè)地方加一個(gè)企業(yè)牽頭的“3+1”存儲(chǔ)器版圖已初現(xiàn)端倪。
2016-05-25 09:08:44833 廠家有可能跟中國(guó)新進(jìn)入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤(rùn)很薄，前景堪憂。今年，武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫光。
2016-05-27 09:29:131688 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 近來(lái)，中國(guó)大陸在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的發(fā)展再次火熱起來(lái)，其中最引人關(guān)注的是合肥方面的動(dòng)作。據(jù)稱，合肥相關(guān)方面投資的合肥長(zhǎng)鑫公司將投入約500億元，在合肥打造月產(chǎn)能12.5萬(wàn)片的12英寸晶圓廠晶圓生產(chǎn)線。
2016-12-08 09:54:161575 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 日前，三星210億美元砸向存儲(chǔ)器的數(shù)字再次刺痛了不少中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者的眼睛，如今國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)建設(shè)正發(fā)展得如火如荼，中國(guó)存儲(chǔ)器之戰(zhàn)已經(jīng)打響...
2017-11-27 14:04:1510620 
知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破，為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:054958 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少？可以達(dá)到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
`這幾年以來(lái)，國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
為我國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬(wàn)片晶圓，而在去年七月份紫光集團(tuán)還參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資，計(jì)劃投資1600億元，打造國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
`合肥回收存儲(chǔ)器IC 合肥存儲(chǔ)器IC回收銘盛電子回收公司是一家位處深圳華強(qiáng)北的電子元器件回收終-端公司! 136-3166-5055 聯(lián)系電話v同號(hào)!銘盛電子公司回收電子元器件,通信ic收購(gòu),收購(gòu)
2020-08-29 10:19:52
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來(lái)的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來(lái)的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
揭開深記憶示波器的神秘面紗
2019-09-23 07:56:35
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部內(nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
揭開zzz 手機(jī)神秘面紗zzz 手機(jī)的基礎(chǔ)模型可與諾基亞的 N95 相媲美，歐美的客戶都為該手機(jī)奇妙的個(gè)性化功能興奮不已。個(gè)性化手機(jī)從外殼的顏色到硬件的配置都可由客戶自行設(shè)定，甚至?xí)?http
2009-05-31 09:25:43
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器?！ 。?）只讀存儲(chǔ)器（ROM）特點(diǎn)：只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM
2020-12-25 14:50:34
停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
1.1 存儲(chǔ)器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
的petalinux-config命令中，僅顯示“簡(jiǎn)單”和“手動(dòng)”選項(xiàng)，但未顯示“ps7_ddr_0”選項(xiàng)。目前我在主內(nèi)存部分使用“簡(jiǎn)單”選項(xiàng)創(chuàng)建了項(xiàng)目。題：1.外部存儲(chǔ)器32 MB是否必須在主存儲(chǔ)器中顯示“ps7_ddr_0
2020-05-05 12:22:19
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
`成都存儲(chǔ)器IC收購(gòu) 成都存儲(chǔ)器IC回收公司銘盛電子科技公司長(zhǎng)期收購(gòu)廠家以及個(gè)人庫(kù)存各種IC內(nèi)存芯片二三極管電子料回收。136-3166-5055銘盛電子大量高價(jià)收購(gòu)個(gè)人和廠家積壓或過(guò)剩庫(kù)存的電子料
2020-11-11 15:01:32
暗暗給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來(lái)重大的改變。不僅原本的存儲(chǔ)器大廠虎視眈眈，***的晶圓代工大廠不會(huì)缺席，甚至中國(guó)也想彎道超車。2018年前十大半導(dǎo)體業(yè)者營(yíng)收預(yù)估至于誰(shuí)會(huì)領(lǐng)先達(dá)陣？當(dāng)DRAM因?yàn)榧夹g(shù)極限而可能
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ)，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35
存儲(chǔ)器，其地址碼為26位，若使用 4MX8位的 DRAM 芯片組成該機(jī)所允許的最大主存空間，并選用內(nèi)存條結(jié)構(gòu)形式，問(wèn)：(1)若每個(gè)內(nèi)存條為16MX64位，共需幾個(gè)內(nèi)存條?【答】(226X64)/(16MX64)=4.(2)每個(gè)內(nèi)存條內(nèi)共有多少 DRAM芯片?【答】(16MX64)/(4MX8)=
2021-07-29 06:08:35
隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時(shí)，存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同，主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2022-11-17 16:58:07
CH32V103R8T6內(nèi)存不夠是否能接外部存儲(chǔ)器？如何使用外部存儲(chǔ)器？
2022-06-08 06:53:10
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合肥，而后續(xù)將由中國(guó)本土 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新，以及中芯前CEO王寧國(guó)所主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫接手。
2016-11-17 10:35:491642 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局，甫獲得大基金入股的北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約，將砸人民幣180億元(逾新臺(tái)幣800億元)研發(fā)19納米DRAM技術(shù)，業(yè)界預(yù)期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
合肥一直在全力打造中國(guó)“IC之都”，結(jié)合合肥芯、合肥產(chǎn)、合肥用這三個(gè)環(huán)節(jié)完善產(chǎn)業(yè)鏈，全力發(fā)展存儲(chǔ)芯片、驅(qū)動(dòng)芯片以及特色芯片，并希望到2020年規(guī)模突破500億元，制造業(yè)居全國(guó)前列，設(shè)計(jì)業(yè)居全國(guó)前五。
2018-11-21 14:51:235908 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 2018年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的DRAM芯片有望在合肥誕生；
2018-05-16 16:00:0020968 
近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成
2018-04-18 13:50:007515 
存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 DRAM內(nèi)存芯片還是NAND閃存芯片，中國(guó)在此領(lǐng)域基本上是100%依賴進(jìn)口，發(fā)展需求也是最迫切的，目前紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢建設(shè)NAND閃存工廠，下半年為量產(chǎn)，而在安徽合肥、福建晉江有團(tuán)隊(duì)在搞DRAM內(nèi)存，未來(lái)幾年中國(guó)公司就會(huì)進(jìn)入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。
2018-05-14 11:19:001619 此外，中國(guó)市場(chǎng)對(duì)于全球DRAM和NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)20%與25%，存為儲(chǔ)器最大需求國(guó)。盡管中國(guó)各地正積極進(jìn)行半導(dǎo)體扶植計(jì)劃，但要達(dá)到「技術(shù)自主研發(fā)」與「穩(wěn)定量產(chǎn)規(guī)?！箖?b class="flag-6" style="color: red">項(xiàng)目標(biāo)仍需要至少數(shù)個(gè)季度以上的時(shí)間，對(duì)解決成本壓力的燃眉之急是遠(yuǎn)水救不了近火。
2018-05-26 10:40:384720 近日消息，研究機(jī)構(gòu)指出，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營(yíng)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來(lái)看，其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)
2018-06-07 12:28:001666 
7月16日，合肥DRAM“506項(xiàng)目”進(jìn)行了控片投片總結(jié)會(huì)，并宣布正式投產(chǎn)電性片。 這是我國(guó)三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目第一個(gè)宣布投片的項(xiàng)目。
2018-07-20 14:57:4522627 中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國(guó)目前在全球個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來(lái)新時(shí)代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位，聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:2416455 據(jù)國(guó)際電子商情，日前，消息稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 
日前，合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說(shuō)，近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100 “2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。
2018-07-26 17:47:13530 中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán)，預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬(wàn)片，未來(lái)最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬(wàn)片，中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬(wàn)片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00450 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325 7月16號(hào)，中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)鑫召開存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì)，在會(huì)上傳出消息，合肥長(zhǎng)鑫即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片，成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)器
2018-11-29 16:51:0517531 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 內(nèi)存儲(chǔ)器包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）和主存儲(chǔ)器。寄存器在CPU芯片的內(nèi)部，高速緩沖存儲(chǔ)器也制作在CPU芯片內(nèi)，而主存儲(chǔ)器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。
2019-01-07 16:54:3232579 該項(xiàng)目將于合肥經(jīng)開區(qū)建設(shè)康佳存儲(chǔ)器事業(yè)總部和科研創(chuàng)新中心，引入國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司和集成電路產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目，這將加快該區(qū)集成電路及電子信息千億產(chǎn)業(yè)發(fā)展，助力合肥市打造“IC之都”。
2019-02-11 15:33:493561 單片機(jī)的分為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器。單片機(jī)內(nèi)部的存儲(chǔ)器稱為片內(nèi)存儲(chǔ)器，片外擴(kuò)展的存儲(chǔ)器成為片外存儲(chǔ)器。比如8031 內(nèi)部有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器而沒(méi)有程序存儲(chǔ)器，所以它一般要外接一塊程序存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器叫做9031的片內(nèi)存儲(chǔ)器，外部擴(kuò)展的存儲(chǔ)芯片叫做片外存儲(chǔ)器。
2019-08-15 17:32:003 內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，通常也泛稱為主存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。
2019-05-26 10:33:3238724 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。
2019-11-27 17:01:152083 在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。
2019-11-28 15:37:512314 存儲(chǔ)器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:323648 雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過(guò)其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合作的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)來(lái)進(jìn)行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項(xiàng)目也早已開始。
2020-11-03 15:43:034233 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686 
在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 近兩年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64
2020-07-14 09:26:5710613
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