美國進口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例

上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離子束電流超過 1000mA. 高功率光束無需對離子源進行水冷卻即可實現(xiàn). KDC 160 配備了雙燈絲. 在標準配置下, KDC 160 典型離子能量范圍為 100 至 1200eV, 離子電流可超過 800mA.

KRi 考夫曼離子源 KDC 160 應用于硅片刻蝕系統(tǒng): 批量處理, 行星載臺 4 x 10 片, 刻蝕均勻性<±5%.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源成為以納米精度設計薄膜和表面的有效工具. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑界面, 改善附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, 考夫曼離子源 KDC 都能產生有益的材料性能.

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 現(xiàn)已廣泛應用于光學, 光子學, 磁性和微電子器件的研究和工業(yè)制造. KDC 離子源可以配置并集成到許多真空工藝平臺中, 例如鐘罩系統(tǒng), 小型多用途科研系統(tǒng), 沉積或蝕刻系統(tǒng)和各類真空鍍膜機.

KDC 考夫曼離子源可以實現(xiàn):離子束刻蝕 IBE, 離子束拋光 IBF, 表面清潔 PC, 輔助鍍膜 IBAD, 表面改性和活化 SM, 直接沉積 DD, 濺射鍍膜 IBSD.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產寬束離子源, 根據(jù)設計原理分為考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經40 年改良及發(fā)展已取得多項成果.KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能.
上海伯東是美國 KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產品, 協(xié)助客戶生產研發(fā)高質量的真空系統(tǒng).



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