據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce預(yù)測(cè),2024年第四季度DRAM市場(chǎng)將呈現(xiàn)出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)HBM價(jià)格將實(shí)現(xiàn)環(huán)比上漲,而通用DRAM的價(jià)格則將停滯不前。
這一預(yù)測(cè)反映了DRAM市場(chǎng)的復(fù)雜現(xiàn)狀。由于通用DRAM產(chǎn)品的需求低迷,以及廠商進(jìn)入HBM市場(chǎng)的延遲,三星電子等半導(dǎo)體巨頭在第三季度的盈利受到了顯著沖擊。為了擺脫這一困境,許多專家指出,三星電子必須加強(qiáng)與人工智能(AI)芯片巨頭英偉達(dá)的合作,向其供應(yīng)HBM產(chǎn)品。
TrendForce的預(yù)測(cè)顯示,今年第四季度通用DRAM的價(jià)格預(yù)計(jì)將維持在當(dāng)前水平或略有上漲,漲幅在0%~5%之間。然而,隨著HBM在DRAM市場(chǎng)中所占份額的逐漸上升,包括HBM在內(nèi)的所有DRAM產(chǎn)品的平均價(jià)格預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)更大幅度的上漲,漲幅在8%~13%之間。
這一預(yù)測(cè)為DRAM市場(chǎng)帶來了一絲希望。盡管通用DRAM市場(chǎng)仍然面臨挑戰(zhàn),但HBM等新興領(lǐng)域的崛起為市場(chǎng)帶來了新的增長點(diǎn)。對(duì)于三星電子等半導(dǎo)體廠商而言,抓住這一機(jī)遇,加強(qiáng)與HBM相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn),將是實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)復(fù)蘇的關(guān)鍵。未來,隨著HBM技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,DRAM市場(chǎng)有望迎來更加廣闊的發(fā)展前景。
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