三星下調(diào)HBM產(chǎn)能目標(biāo)，強(qiáng)化研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整。原定的每月20萬顆產(chǎn)能目標(biāo)已被下調(diào)至每月17萬顆，降幅超過10%。
此次調(diào)整的原因主要是向主要客戶的量產(chǎn)供應(yīng)被推遲。面對(duì)這一情況，三星對(duì)其尖端的HBM設(shè)備投資計(jì)劃采取了更為保守的態(tài)度。
為了增強(qiáng)半導(dǎo)體競爭力，三星電子并未因此氣餒，而是采取了積極的應(yīng)對(duì)措施。公司決定直接派遣研發(fā)人員到工廠，以改善與一線生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)的溝通和協(xié)作。這一舉措旨在加強(qiáng)研發(fā)與生產(chǎn)之間的緊密聯(lián)系，提高整體運(yùn)營效率，從而更好地應(yīng)對(duì)市場變化。
三星電子的這一調(diào)整無疑反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的嚴(yán)峻形勢。然而，通過調(diào)整產(chǎn)能目標(biāo)和加強(qiáng)研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作，三星正努力保持其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
未來，隨著市場需求的不斷變化和技術(shù)的不斷進(jìn)步，三星電子將繼續(xù)密切關(guān)注市場動(dòng)態(tài)，靈活調(diào)整策略，以確保其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的持續(xù)發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15844瀏覽量
180855 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
2962瀏覽量
73802 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
364瀏覽量
14674
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
三星或?qū)?b class='flag-5'>HBM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬顆
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整，下調(diào)幅度超過10%，從原先計(jì)劃的每月20萬顆減至17
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的
三星、SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃
近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測，至2025年，這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個(gè)單位，推動(dòng)年度總
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?；?b class='flag-5'>生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在
英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過測試
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星
SK海力士力挫三星，穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位
值得注意的是，早年對(duì)HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達(dá)共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。
三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行，英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與
三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，
英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片
英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，
英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存，計(jì)劃采購
提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星
受困于良率？三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關(guān)于
三星電子擬設(shè)立HBM開發(fā)辦公室
三星電子近期計(jì)劃設(shè)立專門的HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）開發(fā)辦公室，旨在進(jìn)一步強(qiáng)化其在HBM領(lǐng)域的競爭力。目前，關(guān)于新設(shè)辦公室的具體團(tuán)隊(duì)規(guī)模尚未明確，但業(yè)界普遍預(yù)期，現(xiàn)有的
三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM
三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著
三星加大投資提升HBM產(chǎn)能，與SK海力士競爭加劇
近日，據(jù)報(bào)道，三星電子正計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論