中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成

國內(nèi)首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線完成技術(shù)調(diào)試

近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將正式啟動(dòng)試流片。

該生產(chǎn)線是國內(nèi)首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線，總建設(shè)投資3.5億元人民幣，獲得了國家“02”專項(xiàng)、國家發(fā)改委新材料專項(xiàng)等國家重點(diǎn)項(xiàng)目支持。

半導(dǎo)體事業(yè)部SiC器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)團(tuán)隊(duì)在時(shí)間緊、任務(wù)重、無成熟經(jīng)驗(yàn)可借鑒的情況下，得到中科院微電子所技術(shù)支持和協(xié)助，攻堅(jiān)克難，通過縝密繁雜的各方協(xié)調(diào)、積極推進(jìn)，安全完成46臺(套)工藝、檢測測試設(shè)備搬入、調(diào)試，以及特殊廠務(wù)系統(tǒng)調(diào)試等一系列高難度、高危險(xiǎn)的任務(wù)。本月初在各方共同努力下完成了最后一項(xiàng)工藝能力調(diào)試。目前，該生產(chǎn)線廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測試條件都已完備，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，可以實(shí)現(xiàn)4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。

SiC單晶材料作為新型第三代半導(dǎo)體材料的代表，與當(dāng)前主流的第二代硅基半導(dǎo)體材料相比，能夠有效提高系統(tǒng)效率、降低能耗、減小系統(tǒng)裝置體積與重量、提高系統(tǒng)可靠性。未來，半導(dǎo)體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當(dāng)今節(jié)能技術(shù)的發(fā)展趨向，成為節(jié)能裝置最核心的部件。SiC生產(chǎn)線工藝調(diào)試按期完成，是提高我國核心功率半導(dǎo)體器件和搶占未來科技和產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)的需要，將助力公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局前沿技術(shù)領(lǐng)域，搶占市場高地。