10月23日消息,據(jù)外媒The register援引知識產(chǎn)權(quán)公司 Mathys & Squire 的數(shù)據(jù)稱,近年來全球半導(dǎo)體專利申請量持續(xù)激增,2023年-2024年度全球半導(dǎo)體專利申請量同比增長22%,達(dá)到80892項,同比增長22%。其中,中國的半導(dǎo)體申請量從 32,840 件激增至 46,591 件,增幅高達(dá) 42%,超過其他所有國家和地區(qū)。
有媒體報道稱,這一顯著增長的背后,主要由于是美國對中國半導(dǎo)體出口管制,促使中國加大了對本土半導(dǎo)體研究與開發(fā)的投資。
中國官方也已經(jīng)明確表示——科技行業(yè)必須自主創(chuàng)新,以避免陷入半導(dǎo)體依賴陷阱。半導(dǎo)體已被推到技術(shù)優(yōu)先事項清單的首位,其成果正在專利申請數(shù)量中體現(xiàn)出來。
但這一增長并不僅僅受到地緣政治因素的影響,還有AI技術(shù)的快速發(fā)展,推動了全球芯片制造商,包括中國的公司,爭相申請下一代AI硬件技術(shù)的專利。
與此同時,在《通脹削減法案》的推動下,2023-2024年美國半導(dǎo)體行業(yè)專利申請量也同比增長了9%,達(dá)到了21269項。
報告還指出,隨著美國《芯片與科學(xué)法案》向芯片制造業(yè)投入資金(臺積電的亞利桑那州工廠就是例子),美國渴望在加大研發(fā)力度的同時,保持其半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)先和供應(yīng)鏈的穩(wěn)固。
在半導(dǎo)體制造設(shè)備方面,雖然目前在關(guān)鍵的光刻機(jī)領(lǐng)域,ASML一家獨大,并且其還是全球唯一的EUV(極紫外)光刻機(jī)供應(yīng)商,但是新的國產(chǎn)DUV光刻機(jī)(“套刻≤8nm)的曝光,以及國內(nèi)涌現(xiàn)出的諸多新不同技術(shù)路線的EUV光刻相關(guān)專利,也反應(yīng)了國內(nèi)EUV技術(shù)研究的進(jìn)步。
比如,國家知識產(chǎn)權(quán)局2023年6月公布的由中國科學(xué)院上海高等研究院申請的《極紫外光源裝置》的發(fā)明專利,該發(fā)明提供了一種極紫外光源裝置,以產(chǎn)生平均功率千瓦量級、全相干、穩(wěn)定的EUV光。(與ASML的LPP光源是完全不同)。
【近期會議】
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審核編輯 黃宇
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半導(dǎo)體
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