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干貨分享:Air700ECQ的硬件設(shè)計(jì),第一部分

青山老竹農(nóng) ? 來源:jf_82863998 ? 作者:jf_82863998 ? 2024-10-25 07:25 ? 次閱讀

?# 一、緒論

Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì)的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)距離無線傳輸技術(shù)。以極小封裝,極高性價(jià)比,滿足IoT行業(yè)的數(shù)傳應(yīng)用需求。例如共享應(yīng)用場景,定位器場景,DTU數(shù)傳場景等。

圖表 1:功能框圖

二、綜述

表格 1:模塊型號(hào)列表

型號(hào)Air700ECQ
LTE-TDDB34/B38/B39/B40/B41
LTE-FDDB3/B8
IO電平1.8V
模塊尺寸13.45mm10.5mm1.7mm(+-0.15mm)
封裝LGA
備注4G LTE 移動(dòng)版

2.1 主要性能

表格 2:模塊主要性能

特征說明
CPU* Cortex M3 @ 204MHz216KB ICache
Flash* Nor Flash 4MB
RAM* PSRAM 1MB
支持頻段* LTE-TDD:B34/B38/B39/B40/B41* LTE-FDD: B3/B8
發(fā)射功率* LTE-FDD:Class3(23dBm+-2dB)* LTE-TDD:Class3(23dBm+1/-3dB)
供電* VBAT 3.3V ~ 4.3V,典型值3.8V
LTE 特性* 最大支持non-CA CAT1* 支持1.4~20MHz射頻帶寬* LTE-FDD:最大上行速率 5Mbps,最大下行速率 10Mbps* LTE-TDD:上下行配置1 最大上行速率 4Mbps,最大下行速率 6Mbps * LTE-TDD:上下行配置2 最大上行速率 2Mbps,最大下行速率 8Mbps
網(wǎng)路協(xié)議特性* 已支持TCP/UDP/PPP/HTTP/NITZ/NDIS/NTP/HTTPS/MQTT
USIM 卡接口* 支持USIM/SIM卡:1.8V和3V
USB 接口 串口* 支持USB 2.0 High speed(只支持從模式),數(shù)據(jù)傳輸速率最大到 480Mbps* 用于AT指令、數(shù)據(jù)傳輸、軟件調(diào)試、軟件升級(jí)* USB 虛擬串口驅(qū)動(dòng):支持Windows 7/8.1/10,Linux 2.6.x/3.x/4.1, Android 4.x/5.x/6.x/7.x 等操作系統(tǒng)下的USB 驅(qū)動(dòng)
MAIN_UART: * 通用串口,可用于AT命令和數(shù)據(jù)傳輸* 最大波特率921600bps,默認(rèn)波特率自適應(yīng)9600-115200bps* 支持硬件流控(RTS/CTS) AUX_UART: * 通用串口 DBG_UART: * 用于輸出調(diào)試信息
I2C* 2路I2C接口
SPI* 1路SPI接口
天線接口* 一個(gè)LTE天線接口
溫度范圍* 正常工作溫度:-35°C~+70°C* 極限工作溫度:-40°C~+85°C
RoHS* 所有器件完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
物理特性* 13.45mm10.5mm1.7mm(+-0.15mm)* 重量:約2.3g
封裝* 50個(gè)管腳,實(shí)際可用管腳詳見管腳圖

三、應(yīng)用接口

模塊采用LGA封裝,50個(gè)SMT焊盤管腳,以下章節(jié)將詳細(xì)闡述Air700ECQ各接口的功能

3.1 管腳描述

?

圖表 2:Air700ECQ 管腳排列圖(正視圖)

表格 3:管腳描述

電源

?

串口

?

USB接口
管腳名管腳號(hào)
VBUS6
USB_DP7
USB_DM8
USIM接口
管腳名管腳號(hào)
SIM_RST10
SIM_CLK11
SIM_DAT12
SIM_VDD13
SIM_DET48

模數(shù)轉(zhuǎn)換 ADC 接口

管腳名管腳號(hào)IO描述電氣特性備注
ADC034AI模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC 通道 0量程 0~3.3V若超量程需要外部電阻分壓
ADC135AI模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC 通道 1量程 0~3.3V若超量程需要外部電阻分壓
I2C接口
管腳名管腳號(hào)IO描述電氣特性備注
I2C0_SDA33ODI2C 接口數(shù)據(jù)信號(hào)DC 電平:VDD_EXT不用則懸空
I2C0_SCL49ODI2C 接口時(shí)鐘信號(hào)DC 電平:VDD_EXT不用則懸空
I2C1_SDA38ODI2C 接口數(shù)據(jù)信號(hào)DC 電平:VDD_EXT不用則懸空
I2C1_SCL37ODI2C 接口時(shí)鐘信號(hào)DC 電平:VDD_EXT不用則懸空

天線接口

?

LED 指示燈接口

管腳名管腳號(hào)IO描述電氣特性備注
NET_STATUS270網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)指示燈DC 電平:LDO_AON不用則懸空
通用GPIO
管腳名管腳號(hào)IO描述電氣特性備注
GPIO130IO通用GPIODC 電平:VDD_EXT不用則懸空
GPIO239IO通用GPIODC 電平:VDD_EXT不用則懸空
GPIO340IO通用GPIODC 電平:VDD_EXT不用則懸空
AGPIO541IO通用GPIODC 電平:LDO_AON不用則懸空
其他IO
管腳名管腳號(hào)IO描述電氣特性備注
AGPIOWU129DI外部輸入中斷DC 電平:LDO_AONOpencpu 二次開發(fā)用
WUKUP026DI外部輸入中斷DC 電平:LDO_AONOpencpu 二次開發(fā)用

***** :

  1. **二次開發(fā) **GPIO復(fù)用功能詳見對(duì)應(yīng)《_GPIO_table
  2. LDOAON芯片內(nèi)部部分 GPIO供電電源,由此電源供電的 IO口休眠狀態(tài)下能夠保持。
  3. 所有 GPIOwakeuppad都支持雙邊沿中斷;

**可以復(fù)用為 ****wakeup ****的 ** io **,休眠以及喚醒狀態(tài)下都能使用;其余 ****io **喚醒狀態(tài)下可用,休眠狀態(tài)下不能使用;

wakeupio可以喚醒休眠,其余 GPIO都不可以。

表格 4:IO 參數(shù)定義

類型描述
IOInput/Output
DIDigital Input
DODigital Output
PIPower Input
POPower Output
AIAnalog Input
AOAnalog Output
ODOpen Drain Output

3.2 工作模式

下表簡要的敘述了接下來幾章提到的各種工作模式。

表格 5:工作模式

模式描述
正常工作ACTIVE連接正常工作。有數(shù)據(jù)或者語音或者短信交互。此模式下,模塊功耗取決于環(huán)境信號(hào)的強(qiáng)弱,動(dòng)態(tài)DTX控制以及射頻工作頻率。
IDLE SLEEP1 SLEEP2 HIBERNATE OFFMCU 內(nèi)核時(shí)鐘關(guān)閉,系統(tǒng)中斷隨時(shí)可以喚醒模塊。模塊注冊(cè)上網(wǎng)絡(luò),沒有數(shù)據(jù),語音和短信交互。進(jìn)入和退出IDLE模式均由系統(tǒng)自動(dòng)管理 休眠模式下。外設(shè)均會(huì)被關(guān)閉,大部分IO處于掉電狀態(tài),僅有AGPIO能夠保持電平,功耗極大降低。通過AT+CSCLK=1或者AT+CSCLK=2進(jìn)入此模式 在休眠模式基礎(chǔ)上,關(guān)閉SRAM, 僅保持64KB SRAM(ASMB)區(qū)域存儲(chǔ)必要信息。功耗進(jìn)一步降低, 在此模式下DeepSleep Timer仍然然可以運(yùn)行。通過 WAKUP管腳可以喚醒,但是軟件需要重新初始化。AT版本不支持此休眠模式 在休眠模式基礎(chǔ)上,進(jìn)一步關(guān)閉64KB SRAM(ASMB)區(qū)域, 功耗最低。在此模式下DeepSleep Timer仍然然可以運(yùn)行。通過WAKUP管腳可以喚醒,但是軟件需要重新初始化。AT版本不支持此休眠模式 此模式下PMU停止給基帶和射頻供電,軟件停止工作,串口不通,但VBAT管腳 依然通電
休眠模式
深度休眠模式
超深度休眠模式
關(guān)機(jī)模式

注意:

  1. 當(dāng)模塊進(jìn)入休眠模式或深度休眠模式后,部分GPIO 會(huì)處于掉電關(guān)閉狀態(tài),掉電 IO 口均無法響應(yīng)中斷,無法喚醒模塊退出休眠模式。休眠掉電GPIO 口請(qǐng)參考
  2. 模塊進(jìn)入休眠狀態(tài)后只能通過以下管腳中斷喚醒退出休眠模式。
管腳名序號(hào)功能描述
PWRKEY1開機(jī)關(guān)機(jī)通拉低開機(jī)管腳觸發(fā)中斷
MAIN_TXD/RXD14,15主串口通過給串口發(fā)數(shù)據(jù)喚醒模塊
MAIN_DTR50模塊喚醒管腳拉低觸發(fā)中斷喚醒
VBUS6USB 插入喚醒USB插入,或拉高觸發(fā)

3.3 電源供電

3.3.1 模塊電源工作特性

在模塊應(yīng)用設(shè)計(jì)中,電源設(shè)計(jì)是很重要的一部分。由于LTE射頻工作時(shí)最大峰值電流高達(dá)1.5A,在最大發(fā)射功率時(shí)會(huì)有約700mA的持續(xù)工作電流,電源必須能夠提供足夠的電流,不然有可能會(huì)引起供電電壓的跌落甚至模塊直接掉電重啟。

3.3.2 減小電壓跌落

模塊電源VBAT電壓輸入范圍為3.3V~4.3V,但是模塊在射頻發(fā)射時(shí)通常會(huì)在VBAT電源上產(chǎn)生電源電壓跌落現(xiàn)象,這是由于電源或者走線路徑上的阻抗導(dǎo)致,一般難以避免。因此在設(shè)計(jì)上要特別注意模塊的電源設(shè)計(jì),在VBAT輸入端,建議并聯(lián)一個(gè)低ESR(ESR=0.7Ω)的100uF的鉭電容,以及100nF、33pF、10pF濾波電容,VBAT輸入端參考電路如圖4所示。并且建議VBAT的PCB走線盡量短且足夠?qū)?,減小VBAT走線的等效阻抗,確保在最大發(fā)射功率時(shí)大電流下不會(huì)產(chǎn)生太大的電壓跌落。建議VBAT走線寬度不少于1mm,并且走線越長,線寬越寬。

3.3.3 供電參考電路

電源設(shè)計(jì)對(duì)模塊的供電至關(guān)重要,必須選擇能夠提供至少1A電流能力的電源。若輸入電壓跟模塊的供電電壓的壓差小于2V,建議選擇LDO作為供電電源。若輸入輸出之間存在的壓差大于2V,則推薦使用開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器以提高電源轉(zhuǎn)換效率。

LDO供電:

下圖是5V供電的參考設(shè)計(jì),采用了Micrel公司的LDO,型號(hào)為MIC29302WU。它的輸出電壓是4.16V,負(fù)載電流峰值到3A。為確保輸出電源的穩(wěn)定,建議在輸出端預(yù)留一個(gè)穩(wěn)壓管,并且靠近模塊VBAT管腳擺放。建議選擇反向擊穿電壓為5.1V,耗散功率為1W以上的穩(wěn)壓管。

?

圖表4:供電輸入?yún)⒖荚O(shè)計(jì) 圖表 6:DCDC 供電輸入?yún)⒖荚O(shè)計(jì)

DC-DC 供電:

下圖是 DC-DC 開關(guān)電源的參考設(shè)計(jì),采用的是杰華特公司的 JW5359M 開關(guān)電源芯片,它的最大輸出電流是 2A,輸入電壓范圍 3.7V~18V。注意 C25 的選型要根據(jù)輸入電壓來選擇合適的耐壓值。

3.3.4 開關(guān)機(jī)

開機(jī)

管腳名類型序號(hào)描述
PWRKEYDI1模塊開機(jī)/關(guān)機(jī)控制腳

在VBAT供電后,可以通過如下兩種方式來觸發(fā)Air700ECQ開機(jī):

  1. 按鍵開機(jī): PWRKEY管腳通過輕觸按鍵連接到地,按鍵按下1秒以上實(shí)現(xiàn)開機(jī)。
  2. 上電開機(jī):將PWRKEY管腳直接短接到地,VBAT上電后就可以實(shí)現(xiàn)開機(jī)。

******PWRKEY **管腳開機(jī)

VBAT上電后,可以通過PWRKEY管腳啟動(dòng)模塊,把PWRKEY管腳拉低1秒以上之后模塊會(huì)進(jìn)入開機(jī)流程,軟件會(huì)檢測VBAT管腳電壓,若VBAT管腳電壓大于軟件設(shè)置的開機(jī)電壓(3.3V),會(huì)繼續(xù)開機(jī)動(dòng)作直至系統(tǒng)開機(jī)完成;否則,會(huì)停止執(zhí)行開機(jī)動(dòng)作,系統(tǒng)會(huì)關(guān)機(jī),開機(jī)成功后PWRKEY管腳可以釋放??梢酝ㄟ^檢測VDD_EXT管腳的電平來判別模塊是否開機(jī)。推薦使用開集驅(qū)動(dòng)電路來控制PWRKEY管腳。下圖為參考電路:

?

圖表 5:開集驅(qū)動(dòng)參考開機(jī)電路

另一種控制PWRKEY管腳的方法是直接使用一個(gè)按鈕開關(guān)。按鈕附近需放置一個(gè)TVS管用以ESD保護(hù)。下圖為參考電路:

圖表 6:按鍵開機(jī)參考電路

3.4 上電開機(jī)

將模塊的PWRKEY 直接接地可以實(shí)現(xiàn)上電自動(dòng)開機(jī)功能。需要注意,在上電開機(jī)模式下,將無法關(guān)機(jī),只要 VBAT 管腳的電壓大于開機(jī)電壓即使軟件調(diào)用關(guān)機(jī)接口,模塊仍然會(huì)再開機(jī)起來。另外,在此模式下,要想成功開機(jī)起來 VBAT 管腳電壓仍然要大于軟件設(shè)定的開機(jī)電壓值(3.3V),如果不滿足,模塊會(huì)關(guān)閉,就會(huì)出現(xiàn)反復(fù)開關(guān)機(jī)的情況。

對(duì)于用電池供電的應(yīng)用場景不建議用 PWRKEY 接地的上電自動(dòng)開機(jī)方式。

3.4.2 關(guān)機(jī)

以下的方式可以關(guān)閉模塊:

  • 正常關(guān)機(jī):使用PWRKEY管腳關(guān)機(jī)
  • 正常關(guān)機(jī):通過AT指令A(yù)T+CPOWD關(guān)機(jī)
  • 低壓自動(dòng)關(guān)機(jī):模塊檢測到低電壓時(shí)關(guān)機(jī),可以通過AT指令A(yù)T+CBC 來設(shè)置低電壓的門限值;

******PWRKEY **管腳關(guān)機(jī)

PWRKEY 管腳拉低 1.5s 以上時(shí)間,模塊會(huì)執(zhí)行關(guān)機(jī)動(dòng)作。

關(guān)機(jī)過程中,模塊需要注銷網(wǎng)絡(luò),注銷時(shí)間與當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)有關(guān),經(jīng)測定用時(shí)約2s~12s,因此建議延長

12s后再進(jìn)行斷電或重啟,以確保在完全斷電之前讓軟件保存好重要數(shù)據(jù)。時(shí)序圖如下:

低電壓自動(dòng)關(guān)機(jī)

模塊在運(yùn)行狀態(tài)時(shí)當(dāng) VBAT 管腳電壓低于軟件設(shè)定的關(guān)機(jī)電壓時(shí)(默認(rèn)設(shè)置 3.3V),軟件會(huì)執(zhí)行關(guān)機(jī)動(dòng)作關(guān)閉模塊,以防低電壓狀態(tài)下運(yùn)行出現(xiàn)各種異常。

復(fù)位

管腳名類型序號(hào)電壓域描述
RESET_NDI16-模塊復(fù)位輸入,低有效;無需外部上拉

RESET_N 引腳可用于使模塊復(fù)位。 拉低RESET_N 引腳 100ms 以上可使模塊復(fù)位。 RESET_N 信號(hào)對(duì)干擾比較敏感, 因此建議在模塊接口板上的走線應(yīng)盡量的短,且需包地處理。

參考電路:

?

注意:

  1. 復(fù)位功能建議僅在AT+CPOWD 和PWRKEY 關(guān)機(jī)失敗后使用。

**3.5. ****串口 **

模塊提供了三個(gè)通用異步收發(fā)器:主串口 MAIN_UART、AUX_UART、DBG_UART。

**3.5.1. ****MAIN_UART **

表格 6:MAIN_UART 管腳定義

**3.5. ****串口 **

模塊提供了三個(gè)通用異步收發(fā)器:主串口 MAIN_UART、AUX_UART、DBG_UART。

**3.5.1. ****MAIN_UART **

表格 6:MAIN_UART 管腳定義

管腳名類型序號(hào)電壓域描述
MAIN_TXDDO14VDD_EXTMAIN_UART 發(fā)送數(shù)據(jù)
MAIN_RXDDI15VDD_EXTMAIN_UART 接收數(shù)據(jù)

管腳

主串口 MAIN_UART 用來進(jìn)行 AT 指令通訊。MAIN_UART 支持固定波特率, 不支持自適應(yīng)波特率

MAIN_UART 在休眠狀態(tài)下保持的功能,能夠喚醒模塊

MAIN_UART 的特點(diǎn)如下:

8個(gè)數(shù)據(jù)位,無奇偶校驗(yàn),一個(gè)停止位。

用以AT命令傳送,數(shù)傳等。

支持波特率如下:600,1200,2400,4800,14400,9600,19200,38400,57600,115200,230400,460800,921600bps

注意:

MAIN_UART 在開機(jī)過程中短時(shí)會(huì)輸出固定調(diào)試信息

**3.5.2. ****AUX_UART **

表格 7:AUX_UART 管腳定義

管腳名類型序號(hào)電壓域描述
AUX_TXDDO31VDD_EXTAUX_UART 發(fā)送數(shù)據(jù)
AUX_RXDDI32VDD_EXTAUX_UART 接收數(shù)據(jù)

AUX_UART為輔助串口,不支持AT指令交互,用于某些外設(shè)通信,如對(duì)接GNSS定位模塊等。

AUX_UART休眠后會(huì)關(guān)閉,無法通過給AUX_UART發(fā)送數(shù)據(jù)進(jìn)行喚醒。

**3.5.3. **DBG_UART

管腳名類型序號(hào)電壓域描述
DBG_TXDDO3VDD_EXT調(diào)試串口,輸出 AP log,

DBG_UART 用來軟件調(diào)試時(shí)輸出 AP trace,建議預(yù)留測試點(diǎn)。

DBG_UART 在開機(jī)過程中短時(shí)會(huì)輸出固定調(diào)試信息。

DBG_TX、DBG_RX 默認(rèn)功能為系統(tǒng)底層日志口,進(jìn)行模塊硬件設(shè)計(jì)時(shí),在剩余功能引腳充足的前提

下,避免使用 DBG_TX 和 DBG_RX。

如果將此引腳復(fù)用為其他功能,則無法從 DBG_TX 和 DBG_RX 抓取系統(tǒng)日志。

在某些場景下,如果模塊出現(xiàn)異常,無法抓到問題日志,只能通過硬件改版,引出 DBG_TX、

DBG_RX,抓取日志再進(jìn)行分析。

包括但不限于以下兩種場景:

1、低功耗場景:

在低功耗場景下,USB 無法使用,只能通過 DBG_TX、DBG_RX 來抓取日志。

2、非低功耗場景:

模塊接入 USB 時(shí),工作正常,未接入 USB 時(shí),工作異常的情況,只能通過 DBG_TX、DBG_RX 來抓取

日志。

**3.5.4. ****串口連接方式 **

串口的連接方式較為靈活,如下是三種常用的連接方式。

三線制的串口請(qǐng)參考如下的連接方式:

?

圖表 7:串口三線制連接方式示意圖

**3.5.5. ****串口電壓轉(zhuǎn)換 **

Air700ECQ 模塊的串口電平為 1.8V,能夠滿足大部分外設(shè),主控的串口直接需求,但是如果要和 3.3V

或者以上的 MCU 或其他串口外設(shè)通信,那就必須要加電平轉(zhuǎn)換電路:

?*

注意

如果低功耗需求上拉不能用vdd-ext,要用agpio或者外部ldo做上拉

此電平轉(zhuǎn)換電路不適用波特率高于460800 bps的應(yīng)用。

D2 必須選用低導(dǎo)通壓降的肖特基二極管。

肖特基二極管以及 NPN 三極管的推薦型號(hào)如下:

物料名稱型號(hào)廠商描述
RB521S-30江蘇長電Schottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.60.80.6mm
PSB521S-30上海智晶Schottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.60.80.6mm
LRB521S- 30T1GLRCSchottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.60.80.6mm
PSBD521S-30PrisemiSchottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.60.80.6mm
NPN三極管MMBT3904江蘇長電Transistor;NPN;40V;200mA;SOT23;1.1mm;ROHS
MMBT3904上海智晶Transistor;NPN;40V;200mA;SOT23;1.1mm;ROHS
LMBT3904LT1GLRCTransistor;NPN;40V;200mA;SOT23;1.1mm;ROHS

對(duì)于波特率高于 460800bps 的應(yīng)用,可以通過外加電平轉(zhuǎn)換芯片來實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換,參考電路如下:

?

此電路采用的是電平轉(zhuǎn)換芯片是 TI 的 TXS0108E, 8 位雙向電壓電平轉(zhuǎn)換器,適用于漏極開路和推挽

應(yīng)用,最大支持速率:

推挽:110Mbps

開漏:1.2Mbps

**3.6. ****USB ****接口 **

Air700ECQ 的 USB 符合 USB2.0 規(guī)范,支持高速(480Mbps)、全速(12Mbps)模式和低速(1.2Mbps)

模式。USB 接口可用于 AT 命令傳送,數(shù)據(jù)傳輸,軟件調(diào)試和軟件升級(jí)。

表格 8:USB 管腳定義

管腳名類型序號(hào)描述
USB_DPIO7USB 差分信號(hào)正,走線需控制 90 歐姆差分阻抗
USB_DMIO8USB 差分信號(hào)負(fù),走線需控制 90 歐姆差分阻抗
VBUSDI6USB 插入喚醒,模塊內(nèi)部電阻分壓。(非必須)

USB接口參考設(shè)計(jì)電路如下:

?

圖表 8:USB 接口參考設(shè)計(jì)

注意事項(xiàng)如下:

  1. USB 走線需要嚴(yán)格按照差分線控制,做到平行和等長;
  2. USB 走線的阻抗需要控制到差分 90 歐姆;
  3. 需要盡可能的減少 USB 走線的 stubs,減少信號(hào)反射;USB 信號(hào)的測試點(diǎn)最好直接放在走線上以

減少 stub;

  1. 盡可能的減少 USB 走線的過孔數(shù)量;
  2. 在靠近 USB 連接器或者測試點(diǎn)的地方添加 TVS 保護(hù)管,由于 USB 的速率較高,需要注意 TVS 管

的選型,保證選用的 TVS 保護(hù)管的寄生電容小于 1pF

  1. VBUS 作為 USB 插入喚醒作用,并不直接參與 USB 插入檢測,非必須,在不需要 USB 插入喚醒的

場景也可以不接

**3.7. ****USB **下載模式

管腳名類型序號(hào)電壓域描述
BOOTDI25在開機(jī)之前上拉到 VDD_EXT,模塊會(huì)強(qiáng)行進(jìn)入 USB 下載模式,BOOT 須留測試點(diǎn),方便后續(xù)升級(jí)軟件

Air700ECQ 模塊進(jìn)入 USB 下載模式:

  1. 在開機(jī)之前,把 BOOT 上拉到 VDD_EXT
  2. 給模塊上電,POWKEY 拉低,開機(jī)
  3. 成功進(jìn)入下載模式后,PC 端會(huì)虛擬出單個(gè)串口。
管腳名類型序號(hào)電壓域描述
I2C0_SCLIO49VDD_EXTI2C 時(shí)鐘信號(hào),用作 I2C 時(shí)需外加 1.8V 上拉
I2C0_SDAIO33VDD_EXTI2C 數(shù)據(jù)信號(hào),用作 I2C 時(shí)需外加 1.8V 上拉
I2C1_SCLIO37VDD_EXTI2C 時(shí)鐘信號(hào),用作 I2C 時(shí)需外加 1.8V 上拉
I2C1_SDAIO38VDD_EXTI2C 數(shù)據(jù)信號(hào),用作 I2C 時(shí)需外加 1.8V 上拉

3.8 I2C

Air700ECQ 可支持兩路 I2C 接口:

? 兼容 Philips I2C 標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議

? 支持 Fast mode (400Kbps)和 Slow mode(100Kbps)

? 只支持 master 模式,不支持 slaver 模式

? 可通過軟件來配置內(nèi)部的上拉電阻,1.8K 或者 20K

? 理論上最多可支持 127 個(gè)從設(shè)備

I2C 的參考電路如下:

?

Air700ECQ 的 I2C 接口電壓固定 1.8V,能夠滿足大部分外設(shè)的直接需求,但是如果要和 3.3V 或者以上 電平的外設(shè)通信,那就必須要加電平轉(zhuǎn)換電路:

?

電平轉(zhuǎn)換用的 NMOS 管必須選用結(jié)電容小于 50pF 的型號(hào),推薦型號(hào)如下:

物料名稱型號(hào)廠商描述
NMOSBSS138江蘇長電N 溝道,50V,0.22A,SOT-23,ROHS
BSS138UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)N 溝道,50V,0.3A,SOT-23,ROHS

**3.9. ****SIM ****卡接口 **

Air700ECQ 支持 1 路 SIM 卡接口,支持 ETSI 和 IMT-2000 卡規(guī)范,支持 1.8V 和 3.0V USIM 卡。SIM 接口

下表介紹了 SIM 接口的管腳定義。

表格 9:SIM 卡接口管腳定義

接口管腳名序號(hào)描述
SIMSIM_VDD13SIM 卡供電電源,最大供電電流 10mA。 模塊可以自動(dòng)識(shí)別 1.8V 或者 3V(U)SIM 卡。
SIM_RST10SIM 卡復(fù)位信號(hào)
SIM_DAT12SIM 卡數(shù)據(jù)信號(hào)
SIM_CLK11SIM 卡時(shí)鐘信號(hào)

**3.9.1. ****SIM ****接口參考電路 **

下圖是 SIM 接口的參考電路,使用 6pin 的 SIM 卡座。

?

圖表 9:使用 6pin SIM 卡座參考電路圖(SIM)

在SIM卡接口的電路設(shè)計(jì)中,為了確保SIM卡的良好的功能性能和不被損壞,在電路設(shè)計(jì)中建議遵循以下設(shè)計(jì)

原則:

  1. SIM卡座與模塊距離擺件不能太遠(yuǎn),越近越好,盡量保證SIM卡信號(hào)線布線不超過20cm。
  2. SIM卡信號(hào)線布線遠(yuǎn)離RF線和VBAT電源線。
  3. 為了防止可能存在的USIM_CLK信號(hào)對(duì)USIM_DATA信號(hào)的串?dāng)_,兩者布線不要太靠近,在兩條走線之間增

加地屏蔽。且對(duì)USIM_RST_N信號(hào)也需要地保護(hù)。

  1. 為了保證良好的ESD保護(hù),建議加TVS管,并靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大于50pF。在

模塊和SIM卡之間也可以串聯(lián)22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI,增強(qiáng)ESD防護(hù)。SIM卡的外圍電路必須盡量靠近SIM卡座。

本篇文章先分享到這里,接下來我們分享第二部分。

?審核編輯 黃宇

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