自定義RISC V的bootloader-v2

在生成SoC時，會生成一個預定義bootloader .bin文件，用于指定soc的工程運行的地址，這包括在flash的存儲地址 ，加載到外存中的運行地址及在外存中分配的存儲空間的大小 。下面我們來講解下怎樣定義自己的bootloader

在外部存儲的Bootloader

1、導入軟件自帶的bootloader工程，在工程中選擇bootloaderConfig.h文件。

2、修改參數(shù)。

USER_SOFTWARE_MEMORY：對應的是APP在外部存儲器中的運行起始地址；USER_SOFTWARE_FLASH：對應APP在flash中的存儲地址；USER_SOFTWARE_SIZE：APP對應片外存儲的大?。?/p>

如下是一個設(shè)置案例，也可以根據(jù)自己的需要進行相應的修改：

把下面參數(shù)

#define USER_SOFTWARE_MEMORY 0x00001000#define USER_SOFTWARE_FLASH    0x380000#define USER_SOFTWARE_SIZE     0x01F000

修改成：

#define USER_SOFTWARE_MEMORY 0x00008000#define USER_SOFTWARE_FLASH    0x500000#define USER_SOFTWARE_SIZE     0x01F000

3、編譯修改后的工程。接下來會有兩種方法處理。

方法一：

4、重新生成存儲器初始化文件。

（1）路徑轉(zhuǎn)到efinty安裝路徑的bin文件夾下，運行setup.bat，然后重新生成OCR初始文件。

${EFINITY_HOME}/bin/setup.bat

（2）再轉(zhuǎn)到embedded_sw//tool路徑下，并把bootloader.bin文件拷貝到該文件夾下，運行指令，打開浮點生成8個bin,f設(shè)置為1

python3 binGen.py -b bootloader.bin -s  -f 

（3）生成的初始化bin文件在tool/rom文件夾下；

5、將步驟4中的rom文件夾里的bin替換工程中的bin文件

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方法二：

4、勾選Cache/Memory下sapphire IP中Overwrite the default SPI flash bootloader with the user application前面的對勾。并添加上第3步生成的bootloader.hex文件.

5、重新生成IP并編譯。

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6、重新編譯工程。合成工程時注意指定的Flash地址.

這里有一個問題，修改flash的地址是多少合適呢？以Ti60F100為例 ，內(nèi)部合封了一個16Mb的flash，0x38000這個地址是超出范圍的，那RISCV的地址應該放上哪些呢，從上面的合并操作中可以看到soc.hex文件的Flash Length為0x00362c95,那memTest.bin的地址只要保證不重合，也就是大于0x00362c95即可。

另外值的強調(diào)的是邏輯工程生成的hex文件放在flash地址必須要從0x0開始。