【AI技術(shù)支持】ESP32模組PSRAM的CS引腳上拉導(dǎo)致功耗上升處理

你是否曾遇到過(guò)？

在游戲機(jī)產(chǎn)品上，使用ESP32-WROOM-32E/ESP32-WROOM-32UE模組，ESP-IDF版本為IDF v5.1.1時(shí)，根據(jù)外圍設(shè)計(jì)原理圖介紹，在模組內(nèi)置esp32芯片類(lèi)型使用了QSPI PSRAM的情況下，IO16引腳必須接上拉電阻10K且不能用作其他功能。在這個(gè)設(shè)計(jì)下，外部psram啟用時(shí)，psram的cs是輸出低有效，IO16一直輸出低電平會(huì)跟VDD33形成短路，即使串了一個(gè)10K電阻又因?yàn)橥饷鏌o(wú)法修改IO16的引腳狀態(tài)，從而導(dǎo)致深度睡眠的時(shí)有140uA的大電流，針對(duì)這種情況，該怎么去降低模組功耗呢？

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這是咋回事呢？

通過(guò)驗(yàn)證，之前使用不帶psram的模組，深度睡眠的功耗測(cè)試為10uA；在10K上拉后IO16引腳端電壓是1.67v， 計(jì)算 (3.3v-1.67)/10K=140ua，與目前的實(shí)際測(cè)試功耗值正好對(duì)應(yīng)。根據(jù)以上信息確定是IO16上拉電阻10K電阻導(dǎo)致深度睡眠模式下的功耗增加。

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解決方案

SO easy！

解決方案1：硬件方案、由于該上拉電阻的作用是PSRAM 運(yùn)行穩(wěn)定性，無(wú)法直接去除，但是可以適當(dāng)加大這個(gè)電阻的阻值來(lái)降低功耗；

解決方案2：軟件方案、在項(xiàng)目的menuconfig配置中啟用CONFIG_ESP_SLEEP_PSRAM_LEAKAGE_WORKAROUND配置項(xiàng)，此選項(xiàng)將設(shè)置 PSRAM 的 CS 管腳在睡眠期間為 PULL-UP 狀態(tài)，從而避免psram的cs 引腳在浮空狀態(tài)被識(shí)別為低電平時(shí)產(chǎn)生大的電流泄漏和保護(hù)PSRAM 中的數(shù)據(jù)不被被其他 SPI 引腳上的隨機(jī)信號(hào)破壞。