導(dǎo)電膜技術(shù)的應(yīng)用
在電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)的應(yīng)用過程中,絕緣材料的樣品經(jīng)常會遇到電荷積聚問題,這不僅會降低圖像質(zhì)量,還會影響衍射數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。為了有效減少或消除這種電荷積聚效應(yīng),采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施是十分必要的。
樣品表面處理的要點
1. 表面平整性:確保樣品表面盡可能地平整,減少因表面不均勻引起的電荷積聚。
2. 表面精拋光:對樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光,以降低由于表面粗糙度引起的電荷積累。
3. 樣品傾斜:在電子束開啟前,將樣品傾斜至約70度,有助于減少樣品表面的電荷積聚。
4. 預(yù)鍍金:在最終拋光步驟前對樣品進(jìn)行預(yù)鍍金處理,有助于填補(bǔ)樣品表面的裂縫和空隙,提高整體導(dǎo)電性。
5. 低真空或可變氣壓模式:如果電鏡設(shè)備支持,可以選擇在低真空模式(10-50Pa)下工作,通過增加環(huán)境氣體來減少電荷積聚。
6. 快速采集:采用快速采集技術(shù),減少電子束在同一點上的停留時間,降低電荷積聚。
7. 減小電子束流和加速電壓:通過減小電子束流或降低加速電壓,減少樣品表面的電荷積聚。
8. 導(dǎo)電材料的使用:使用導(dǎo)電膠帶或?qū)щ姖{料在樣品與樣品臺之間建立導(dǎo)電通路,改善電荷分布。
導(dǎo)電膜的必要性
盡管采取了上述措施,但在某些情況下,為了徹底消除荷電效應(yīng),樣品可能仍需鍍上一層導(dǎo)電膜??刂棋儗雍穸仍?-5納米范圍內(nèi)是關(guān)鍵,以免影響信號的信噪比和衍射圖樣的質(zhì)量。
選擇合適的鍍層材料
理想的鍍層材料是蒸鍍或濺射的碳膜,但也可以考慮使用金或鎢等其他材料。如果鍍層稍厚,可以通過提高加速電壓來穿透鍍層,從而改善EBSD圖樣的質(zhì)量。
荷電現(xiàn)象的特征
1. SE圖像信號強(qiáng)度變化:SE圖像信號強(qiáng)度隨時間變化,EBSD數(shù)據(jù)采集中也可能出現(xiàn)類似變化。
2. 電子束偏轉(zhuǎn)與樣品漂移:荷電現(xiàn)象可能導(dǎo)致電子束偏轉(zhuǎn)和樣品漂移,使得初始電子圖像與EBSD采集數(shù)據(jù)不匹配,包括晶粒形狀和尺寸的變化。
3. EBSD分布圖的不連續(xù)性:由于電子束的大幅偏轉(zhuǎn)或采集區(qū)域附近電荷的突然變化,導(dǎo)致EBSD分布圖出現(xiàn)不連續(xù)。
結(jié)論
綜合運(yùn)用上述措施,可以有效地控制EBSD測試中的荷電效應(yīng),提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。對于絕緣體樣品,精確控制導(dǎo)電鍍膜的厚度是確保最佳測試結(jié)果的關(guān)鍵。通過精心優(yōu)化樣品制備和測試參數(shù),可以顯著提升EBSD測試的質(zhì)量,為材料科學(xué)研究提供更加精確的數(shù)據(jù)支持。
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