DRAM價(jià)格持續(xù)上漲，NAND Flash跌價(jià)壓力增加

根據(jù)CINNO Research從存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建置持續(xù)暢旺，整體第二季DRAM需求位出貨將拜托第一季衰退的局面，將呈現(xiàn)季增5-10%，帶動(dòng)DRAM價(jià)格持續(xù)往上，因此第二季DRAM價(jià)格較第一季微幅上漲3%；而DRAM供貨商的報(bào)價(jià)區(qū)間也持續(xù)收斂，顯示整體DRAM產(chǎn)業(yè)秩序穩(wěn)定，在不帶變動(dòng)的市場占有率中追求利潤最大化成為大家有志一同的目標(biāo)。

DRAM: CINNO Research副總楊文得認(rèn)為，整年2018年服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的建置需求將從年初旺到年底，再加上Intel今年推出新款服務(wù)器處理器可望進(jìn)一步帶動(dòng)服務(wù)器換機(jī)需求，服務(wù)器內(nèi)存條的容量也持續(xù)增加，這方面的需求是穩(wěn)定；而第一季智能型手機(jī)需求疲軟的情形在經(jīng)過一季庫存調(diào)整后，再加上第二季三星、華為、OPPO、VIVO與小米等一線品牌推出新款手機(jī)啟動(dòng)備貨需求，在高階機(jī)種的廝殺上大家持續(xù)提升DRAM容量的態(tài)勢不變，有效抵銷iPhoneX銷售不振的負(fù)面因素；同時(shí)其它各種新興應(yīng)用悄然躍上臺(tái)面，比特幣挖礦機(jī)需求雖然高低起伏，但整體態(tài)勢持續(xù)往上，對于高階繪圖內(nèi)存的消耗量不少，AI人工智能和自駕車等高度效能運(yùn)算的應(yīng)用也多需要高頻率高速度的內(nèi)存來搭配，因此我們認(rèn)為即便第四季韓系廠商陸續(xù)有新產(chǎn)能加入，但考慮到下半年需求將大于上半年，整體DRAM供需維持吃緊，價(jià)格持續(xù)上漲，唯獨(dú)DRAM價(jià)格過去一整年累積基期漲幅也高，因此各季度的漲幅也將收斂。

NAND Flash: 各家64/72層堆棧的3D-NAND Flash良率爬升速度加快，多數(shù)廠商已達(dá)到良率成熟的階段，因此供給量成長的速度加快，需求端也因第一季智能型手機(jī)市場進(jìn)入庫存調(diào)節(jié)以及iPhoneX銷售不如預(yù)期而影響到需求端，加上筆記本電腦市場疲軟依舊影響到SSD固態(tài)硬盤的市場，讓NAND Flash價(jià)格下滑的速度加快，四月份NAND Flash價(jià)格三月份再度下跌9-10%，上半年價(jià)格持續(xù)下跌已成共識(shí)，下半年NAND Flash市場供需備受考驗(yàn)，關(guān)鍵觀察指標(biāo)在于下半年新款iPhone的銷售，然而我們認(rèn)為在供給量成長幅度高于需求上漲的程度，下半年NAND Flash跌價(jià)的壓力只會(huì)增加。

表1:四月份DRAM/NAND Flash存儲(chǔ)器價(jià)格