英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級(jí)換代了？

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200V TRENCHSTOP? IGBT7，同時(shí)采用最新EmCon 7二極管芯片與之搭配成IGBT開關(guān)，帶來功率器件領(lǐng)域的革命性變革。

想先人一步領(lǐng)略新品魅力？敬請(qǐng)蒞臨6月25日舉行的2018 英飛凌功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)上海站，我們將在下午變頻驅(qū)動(dòng)分會(huì)場(chǎng)上進(jìn)行IGBT7技術(shù)特性的首次國內(nèi)宣講，揭開英飛凌下一代IGBT的神秘面紗。

IGBT7和EmCon7 針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)，進(jìn)一步減少器件穩(wěn)態(tài)損耗，可實(shí)現(xiàn)更高功率密度，同時(shí)兼顧了芯片的軟特性。此外，過載條件下允許的最高工作結(jié)溫將提升至175 °C，實(shí)現(xiàn)同等封裝下輸出電流能力增大40%。

突出特性

? 最低的通態(tài)壓降Vce(sat)和Vf

? 過載條件下支持175 °C最高虛擬結(jié)溫

? 在滿足dv/dt=5kV/us的前提下，優(yōu)化器件開關(guān)損耗

? 滿足8us短路耐受時(shí)間

? 續(xù)流二極管FWD可靠性增強(qiáng)

客戶收益

? 低損耗滿足系統(tǒng)提高效率的需求

? 優(yōu)化的設(shè)計(jì)同時(shí)兼顧低損耗與EMI 需求

首發(fā)型號(hào)

首批推出10A至100A的EasyPIM? 與EasyPACK? 產(chǎn)品

?FP10R12W1T7_B11

?FP25R12W1T7_B11

?FS100R12W2T7_B11

TRENCHSTOP? IGBT7 EASY1B

TRENCHSTOP? IGBT7 EASY2B