新巨頭的誕生 大基金評估援助國內(nèi)兩公司超100億資金

近期，存儲產(chǎn)業(yè)風暴已至。海外三大 DRAM 巨頭三星、 SK 海力士、美光涉及價格操縱案遭中國反壟斷調(diào)查，美光也傳出施壓阻止部分設(shè)備商供貨給中國 DRAM 廠。

目前，國內(nèi)為了加速存儲芯片自主化，國家集成產(chǎn)業(yè)電路基金（大基金）積極評估砸逾 100 億人民幣投資兩大 DRAM 陣營福建晉華和合肥長鑫，加上長江存儲，大基金對三大存儲陣營布局正式完成，要用 5 ~10 年換取斬斷存儲技術(shù)被國際大廠壟斷的局面！

中國是全球最大的半導體芯片消耗國，但芯片自制率偏低，每年進口芯片的金額甚至高于石油，其中絕大部分是存儲芯片，因此，國內(nèi)三大存儲陣營紫光集團長江存儲、福建晉華、合肥長鑫都卯足全力自主開發(fā)技術(shù)，背負國家級的重大任務，要打破長期以來國際大廠壟斷存儲技術(shù)的局面。

近期，國內(nèi)存儲大廠也有好消息傳出，大基金正在積極評估投資兩大 DRAM 存儲陣營福建晉華和合肥長鑫，業(yè)界透露，可能分別是 60 億人民幣資金援助，合計 120 億的金額，來支持這兩大存儲陣營的芯片開發(fā)。

由于從零開始的 DRAM 技術(shù)開發(fā)十分“燒錢”，這兩大存儲陣營如果有大基金“灌頂”，不單是國家重點項目的表征，在研發(fā)經(jīng)費上更是重要的實際支援。

福建晉華300人研發(fā)團隊準備就緒，無奈遭美光施壓兼騷擾

福建晉華集成電路經(jīng)過兩年的整軍出發(fā)，從最初的 100 人研發(fā)團隊，現(xiàn)在已經(jīng)擴充至 300 名研發(fā)人員，且日以繼夜投入 DRAM 技術(shù)開發(fā)。晉華的 12 寸晶圓廠已在 2017 年 11 月封頂，包含 FAB 主晶圓廠、辦公室綜合大樓、中央電力站和變電站、員工宿舍等都已經(jīng)完成，今年更完成了機電安裝和無塵室的施工。

福建晉華集成是由福建省電子信息集團、泉州、晉江政府投資，第一期投資金額為 53 億美元，預計 2018 年底試產(chǎn)，單月產(chǎn)能規(guī)模為 6 萬片，未來五年內(nèi)的第二期規(guī)模是達到月產(chǎn)能 12 萬片，技術(shù)來源是委由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā) DRAM 制程技術(shù)，而機臺設(shè)備是由晉華采購，未來技術(shù)所有權(quán)歸屬由聯(lián)電和晉華共同持有。

不過，福建晉華最近正走“殺破狼”格局，遭遇“空前劫難”。由于福建晉華的掌舵者陳正坤以前是美光轉(zhuǎn)投資公司瑞晶的總經(jīng)理，加上有少數(shù)的技術(shù)團隊人員以前曾經(jīng)任職美光體系，美光咬住這個把柄，拼命阻止福建晉華的 DRAM 研發(fā)進度。

美光使出兩大“騷擾”策略，第一是設(shè)法阻止供應商對晉華進口 DRAM 相關(guān)半導體機臺設(shè)備，第二是動用司法手段控告晉華和技術(shù)母廠聯(lián)電侵權(quán)，然聯(lián)電在半導體業(yè)界“摸爬滾打”超過三十年，手上累積豐厚的技術(shù)和專利庫，開始反告美光的產(chǎn)品和技術(shù)侵權(quán)，然這樣的發(fā)展，已經(jīng)演變成以司法手段干預商業(yè)行為。

業(yè)內(nèi)人士分析，美光非常忌憚福建晉華 DRAM 技術(shù)開發(fā)陣營崛起，一來是始于老東家與前員工之間的矛盾關(guān)系，二來，美光內(nèi)部評估福建晉華的實力深厚，未來恐會成為一大威脅。

美光“騷擾”福建晉華的 DRAM 技術(shù)開發(fā)進度，甚至于從設(shè)備商著手。據(jù)了解，部分設(shè)備供應商不愿意賣機臺給晉華做技術(shù)開發(fā)，雖然表面上用的理由是：基于共同技術(shù)開發(fā)的限制，因此拒絕銷售設(shè)備，但實際來看，這根本不構(gòu)成拒賣的理由，背后隱含了美光的“施壓”！

福建晉華的掌舵者陳正坤有著日本傳統(tǒng)存儲產(chǎn)業(yè)的血統(tǒng)，從 1990 年代的三菱電機還是全球存儲產(chǎn)業(yè)一方之霸時，他就接受嚴格的日本半導體文化薰陶，后來 NEC 、 Hitach 、三菱電機的存儲部門合并成為日本最后一家 DRAM 廠爾必達，他更成為爾必達與***力晶合資公司瑞晶的掌舵者，之后爾必達破產(chǎn)被美光并購后，他從日本半導體企業(yè)走入美國體系。

由陳正坤領(lǐng)軍的福建晉華集成技術(shù)陣營，目前已經(jīng)快速累積成一支超過 300 名研發(fā)軍團，而負責技術(shù)開發(fā)的聯(lián)電早期也具備 DRAM 制程能力，因此技術(shù)實力雄厚。

合肥長鑫“兇猛”超車高薪挖角，300臺研發(fā)設(shè)備準備就緒

另一支重要的 DRAM 陣營是出自于“合肥派系”：控股母公司合肥長鑫存儲技術(shù)旗下的睿力集成電路。長鑫在 DRAM 技術(shù)開發(fā)上，也是一路“兇猛”超車前進，近期也傳出獲得大基金評估投資。

合肥長鑫投入研發(fā)的第一代 DRAM 技術(shù)是 19 納米世代的，對比福建晉華開發(fā)的第一代技術(shù)是 32 納米，第二代是 32S 納米制程，從制程數(shù)字來看，晉華的技術(shù)開發(fā)似乎落后很多，但實則不然，這數(shù)字其實隱含了一些玄機！

晉華的技術(shù)是委由聯(lián)電開發(fā)，受限于 N-1 規(guī)范，聯(lián)電為晉華開發(fā)的技術(shù)必須是落后于聯(lián)電目前量產(chǎn)制程至少一個世代，也就是說，聯(lián)電現(xiàn)在量產(chǎn) 14 納米制程，但轉(zhuǎn)移到大陸的技術(shù)必須是 20 納米制程以上。

知情人士透露，福建晉華目前開發(fā)的 32 納米技術(shù)，其實等同于三星、SK 海力士的 2x 納米制程，若以每片晶圓的設(shè)計數(shù)量來看（先不看量產(chǎn)良率），更是相當于韓系大廠的 1x 納米技術(shù)的實力，之所以低調(diào)的取名“32X”納米，是因為不想引起競爭對手的過分關(guān)注，以及部分業(yè)者的“不斷騷擾”，因此刻意在制程數(shù)字上“掩飾鋒芒”。

合肥長鑫在進度上“兇猛”的程度，反映在機臺設(shè)備的進度，以及研發(fā)人員的挖角上。長鑫的 12 寸晶圓生產(chǎn)基地在今年一月已經(jīng)完成晶圓廠的建設(shè)，技術(shù)研發(fā)所需的 300 臺設(shè)備已經(jīng)全部到位，下半年全力進入試產(chǎn)，動作十分快速。

同時，合肥長鑫在研發(fā)人員的挖角上，也為半導體行業(yè)立下高標，之前大量以 2~3 倍的薪資在韓國、***等地挖角，符合資歷的簽下五年長約，讓整個半導體行業(yè)有高度的輿論關(guān)注。

不過，高薪挖角一事也引發(fā)不少DRAM公司的反擊，除了美光告福建晉華、聯(lián)電之外，日前南亞科控告一名離職赴合肥長鑫任職的工程師涉嫌竊取DRAM產(chǎn)品測試的營業(yè)秘密，南亞科表示，如果競爭對手非法使用該技術(shù)，未來產(chǎn)生的不法利益可能高達1.2億美元，基于捍衛(wèi)營業(yè)秘密和智財權(quán)的決心，堅持對該名“帶槍投靠”的跳槽工程師提出告訴。

根據(jù)合肥長鑫既定的時程，今年底將生產(chǎn) 8Gb DDR4 的工程樣品，預計 2019 年底實現(xiàn)單月產(chǎn)能 2 萬片。再者，計劃在 2020 年啟動二廠的建設(shè)，2021 年完成第二代 17 納米的技術(shù)研發(fā)。

合肥長鑫的目標，是打破國內(nèi)自制率仍是掛零的空白 DRAM 市場，同時要拿 8% 目標的全球 DRAM 市場份額，成為世界級的存儲制造企業(yè)。

隨著兩大 DRAM 陣營福建晉華、合肥長鑫的進展加速，又將獲得大基金的支援，正式列入國家重點培植的項目，加上紫光集團的長江存儲 3D NAND 技術(shù)開發(fā)順利，成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片后，年底將進入 64 層技術(shù)展示，國內(nèi)三大存儲陣營已經(jīng)成為打破空白存儲產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵項目。

3D NAND供貨疏解，DRAM芯片卻持續(xù)漲價引發(fā)反彈

無論是 DRAM 或是 3D NAND 芯片過去幾年都經(jīng)歷凌厲的價格漲勢，手機、服務器等系統(tǒng)大廠飽受供貨不足之苦，現(xiàn)在 3D NAND 市場已經(jīng)從供不應求轉(zhuǎn)為供過于求，但 DRAM 市場因為供應商只剩下三家，在大家控制擴產(chǎn)的情況下，預計仍是處于缺貨狀態(tài)。

全球三大 DRAM 巨頭三星、SK 海力士、美光掌握全球 95% 市場份額，足足享受了超過兩年的 DRAM 漲價超額利潤好時光，引來中國品牌手機大廠反彈聲浪，從去年底開始陸續(xù)向中國監(jiān)管機關(guān)以操控價格的名義指控三大存儲陣營涉嫌壟斷 DRAM 價格，在全球半導體產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪。

這一波維持近兩年的 DRAM 漲價潮始于 2016 年中，當時的 DRAM 產(chǎn)業(yè)面臨需求不振，合約價下跌將近 20 個月，龐大的成本壓力朝各家 DRAM 大廠迎面而來，因此各廠開始調(diào)整產(chǎn)品比重，放緩轉(zhuǎn)進高端制程的腳步，才讓價格止跌回穩(wěn)。

漲價兩年“惹毛”手機廠 是供應商的聯(lián)合價格操作？還是另有隱情？

然而意外的是，這一波止跌回升的行情居然一走就是兩年，漲價漲到手機大廠都不堪負荷，進而控告三家 DRAM 供應商有壟斷市場和操縱價格之嫌。

全球前十大手機廠中，國內(nèi)手機廠占了 7 個名額，但國內(nèi)自有的 DRAM 存儲芯片供給率幾乎是零，100% 依賴進口，過去兩年以來手機大廠面臨芯片嚴重供給不足的問題，引發(fā)強烈反彈。

面對三星半導體事業(yè)部靠著存儲芯片不斷漲價，獲利節(jié)節(jié)攀升，系統(tǒng)廠卻一直被調(diào)漲零組件價格，反彈情緒越來越無法壓抑，中國反壟斷機構(gòu)也開始調(diào)查近期的芯片價格操縱行為，陸續(xù)對三星、 SK 海力士、美光三家大廠展開調(diào)查。

存儲產(chǎn)業(yè)遭到反壟斷的責罰不是第一次，2002 年由美國司法部發(fā)起的調(diào)查，陸續(xù)向三星、美光、 SK 海力士、英飛凌等公司罰款，最后美光出面做污點證人免責，其他企業(yè)都被處以數(shù)億美元的罰金，其中三星被罰 3 億美元。

因此，業(yè)界根據(jù)反壟斷法推斷，如果這次手機系統(tǒng)大廠發(fā)起的針對三 DRAM 巨頭價格操作案控訴成功，根據(jù)上一年度（2017 年）銷售額進行 1％~10% 的罰款，三家的罰金可能高達 4~40 億美元，但如果把 2016 年度也納入，那罰款金額可能擴大至 8~80 億美元。

業(yè)界認為，此案未來的發(fā)展關(guān)鍵是“舉證”，因為經(jīng)歷 2000 年初那一波反壟斷大刀后，半導體廠都非常小心翼翼，但此時間點有涉及大環(huán)境緊張的氛圍，加上美光限制供應商進口設(shè)備給福建晉華，也涉及違反公平競爭，狀況會更復雜一些。

國內(nèi)從零開始研發(fā)存儲技術(shù)的決心、毅力強烈，這是過去 20 年來半導體產(chǎn)業(yè)不曾發(fā)展的重大轉(zhuǎn)折，未來先填補國內(nèi)市場空白為優(yōu)先，之后再考慮國際布局。

平心而論，國內(nèi)三大存儲新秀短期要撼動國際三巨頭的地位是不太可能，但打破“零自制率”卻是一個可以期待的目標，但國內(nèi)存儲芯片量產(chǎn)后，也可能要面對專利侵權(quán)的議題，可以預見，這是一場長期抗戰(zhàn)，要有用 10 年打一場漂亮戰(zhàn)役的決心，才能成為最后贏家。