聯(lián)電聯(lián)手AVALANCHE 合作開發(fā)28納米MRAM技術

據(jù)***經濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發(fā)MRAM及相關28納米產品；聯(lián)電即日起透過授權，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術。

此兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產取代嵌入式存儲器的磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）。同時聯(lián)電將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。

聯(lián)電根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM存儲器模組整合至應用產品，并鎖定在物聯(lián)網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器（MCU）和系統(tǒng)單晶片（SoC）上。

兩家公司也正考慮將合作范疇擴展至28納米以下的制程技術，利用Avalanche在CMOS技術的相容及可擴充特性，運用到各個先進制程。使這些統(tǒng)一存儲器（非揮發(fā)性及靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM）能順利地移轉調配到下一世代的高整合性的微控制器（MCU）和系統(tǒng)單晶片（SoC）上。如此一來，系統(tǒng)設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟體系統(tǒng)上直接修改而不需重新設計。

聯(lián)電先進技術處副總經理洪圭鈞表示，聯(lián)電不斷推出持續(xù)精進的制程技術，以提升客戶的競爭優(yōu)勢。隨著嵌入式非揮發(fā)性存儲器NVM解決方案在目前的晶片設計界日趨普及，已經為高成長的行業(yè)，如：新興消費和車用電子應用的客戶，建立了強大且堅實的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案組合。聯(lián)電和Avalanche合作開發(fā)28納米MRAM，期待能將此合作進程推升至聯(lián)電客戶的量產階段。