引言
基于開路電壓(OCV)的電量計DS2786在出廠時將默認(rèn)的OCV特性和默認(rèn)配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應(yīng)特定的應(yīng)用場合,必要時需對DS2796的EEPROM進行再編程。本文描述了如何對EEPROM進行編程及如何對已經(jīng)安裝好的電路板進行測試。
板極測試
下文給出了一個安裝電池包之前測試基于DS2786 OCV電路板的例子。圖1為電路板的電路原理圖,用到了DS2786的所有功能。圖中所有重要的測試點(共7個)都用帶圈數(shù)字標(biāo)出。測試流程假定電路中的所有分立元件已經(jīng)過測試,因此,測試目的為確認(rèn)線路連接,從而驗證安裝的電路板是否正確。
圖1. 必須驗證的電路節(jié)點
測試步驟1:測試初始化。該步驟的目的是確定電路板中是否存在直接短路,是否能進行通信。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數(shù),以驗證SDA和SCL連接(節(jié)點1)、Pack+和VDD引腳之間的連接(節(jié)點2),以及Pack-和VSS引腳(節(jié)點3)之間的連接是否正確。此外,通過讀取電壓寄存器并確認(rèn)測試是否有效,可以驗證VIN引腳(節(jié)點4)連接是否正確。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
等待880ms。 等待電壓轉(zhuǎn)換。
讀電壓寄存器: 2字節(jié)。
若未發(fā)生通信表明電路安裝失敗。
若電壓讀數(shù)不正確表明電路安裝失敗。
測試步驟2:驗證SNS (節(jié)點5)。通過有效的電流測試可驗證SNS引腳連接是否正確。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
Pack-與系統(tǒng)VSS間電流為1.0A。
等待880ms。 等待電流轉(zhuǎn)換
讀電流寄存器: 2字節(jié)。
若電流讀數(shù)不準(zhǔn)確表明電路安裝失敗。
測試步驟3:驗證輔助輸入AIN0和AIN1連接(節(jié)點6)。通過有效的電阻測量可驗證AIN0和AIN1引腳連接是否正確。這一步是可選的。
在PackID端與Pack-間接10kΩ電阻。
在Therm端與Pack-間接10kΩ電阻。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
等待880ms。 等待輔助輸入轉(zhuǎn)換。
讀AIN0和AIN1: 4字節(jié)。
若AIN0/AIN1讀數(shù)不準(zhǔn)確表明電路安裝失敗。
測試步驟4:驗證VPROG并對EEPROM編程(節(jié)點8)。需要提供一個測試點用于連接編程電壓至VPROG引腳,以對DS2786的EEPROM進行編程。通過寫EEPROM和復(fù)制EEPROM可以驗證該連接是否正確,并驗證EEPROM是否已更新。EEPROM中包括了電流失調(diào)偏置寄存器(COBR),因此在編程EEPROM之前校準(zhǔn)COBR是有益的。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
校準(zhǔn)COBR。 若希望進行COBR校準(zhǔn),可以參看下文的詳細說明。
寫參數(shù)EEPROM區(qū): 32字節(jié)。
將參數(shù)復(fù)制到EEPROM。
等待14ms。 等待復(fù)制EEPROM。
向參數(shù)EEPROM區(qū)寫0xFFh: 31字節(jié)非存儲器地址0x7Dh)*。
從EEPROM中調(diào)用參數(shù)。
讀參數(shù)EEPROM區(qū): 32字節(jié)。
如果從EEPROM中讀取到的32個字節(jié)都無法與原先寫入的32字節(jié)相匹配,說明電路安裝失敗。
*不要向存儲器地址7Dh寫入0xFFh,否則從地址將變化并且器件將停止響應(yīng)當(dāng)前從地址。
電流失調(diào)偏置寄存器的校準(zhǔn)
通過電流失調(diào)偏置寄存器,可在+3.175mV至-3.2mV間調(diào)節(jié)DS2786電流測量結(jié)果,步長為25μV。COBR的出廠默認(rèn)值為0x00h。以下例子列出了校準(zhǔn)DS2786電流失調(diào)偏置寄存器的步驟:
給DS2786加電,確保檢測電阻中無電流。
向COBR中寫0x00h (存儲器地址0x60h)。
等待880ms,直至下一個轉(zhuǎn)換周期到來。
讀電流寄存器。
根據(jù)實際需要,多次重復(fù)步驟3和步驟4,直至獲得平均電流讀數(shù)。
將平均電流讀數(shù)的相應(yīng)值寫入COBR。
將COBR值復(fù)制到EEPROM (該步驟應(yīng)與將所有值復(fù)制到EEPROM結(jié)合起來共同進行)。
總結(jié)
要對組裝好的基于OCV電量計DS2786進行正確驗證,需要測試電路中的每一個焊點。測試步驟1、2和3可以合為一個步驟以縮短測試時間,尤其是可以縮短轉(zhuǎn)換延遲時間。
此外,測試期間對EEPROM編程可以提供更有效的測試流程,同時可以提供足夠的時間施加保存參數(shù)(包括電流失調(diào)偏置)至EEPROM所需的編程電壓。
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