內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒(méi)來(lái)得及興奮，壞消息就來(lái)了。據(jù)臺(tái)媒援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計(jì)劃推遲工廠擴(kuò)建、產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，原因是客戶需求正在變緩，會(huì)導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價(jià)格在2019年上半年明顯下滑，這自然是他們不想看到的。
近期，DRAM內(nèi)存合約價(jià)出現(xiàn)了明顯的走低跡象，預(yù)計(jì)到今年第四季度隨著供應(yīng)充足、供過(guò)于求，DRAM合約價(jià)會(huì)開(kāi)始大幅度下降。
NAND閃存方面，盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季，但今年全球市場(chǎng)供應(yīng)仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升，但由于筆記本、智能手機(jī)市場(chǎng)都相當(dāng)飽和，需求增長(zhǎng)有限。同時(shí)，渠道供應(yīng)鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片，進(jìn)一步導(dǎo)致價(jià)格下滑，預(yù)計(jì)合約價(jià)會(huì)在今年第三季度環(huán)比下降10-15％，超出預(yù)期，第四季度則會(huì)再降15％。對(duì)于廠商和渠道而言，DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價(jià)格在2019年上半年都會(huì)面臨很大壓力，當(dāng)然對(duì)消費(fèi)者而言就是好事了。目前，三星已經(jīng)減緩了3D NAND閃存產(chǎn)能的擴(kuò)充，新的生產(chǎn)線要推到明年上半年才會(huì)上線，同時(shí)暫停了在韓國(guó)華城、平澤新建1ynm DRAM內(nèi)存芯片工廠的計(jì)劃。在此之前，三星曾計(jì)劃從今年第三季度開(kāi)始，將DRAM內(nèi)存芯片每個(gè)月的產(chǎn)能輸出擴(kuò)大3萬(wàn)塊晶圓。SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴(kuò)充的計(jì)劃。簡(jiǎn)而言之，內(nèi)存、閃存(SSD)的價(jià)格在未來(lái)都會(huì)慢慢下降，但因?yàn)樵搭^的刻意控制，不要指望太大的降幅了。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
原文標(biāo)題：完了！三星、海力士推遲擴(kuò)產(chǎn)了！
文章出處：【微信號(hào)：CSF211ic，微信公眾號(hào)：中國(guó)半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
相關(guān)推薦
韓國(guó)交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來(lái)的最低水平。
![的頭像]()
發(fā)表于 10-28 15:44
?430次閱讀
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財(cái)務(wù)報(bào)告，市場(chǎng)焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。
SK海力士因在高帶寬
![的頭像]()
發(fā)表于 10-08 15:58
?598次閱讀
近期，科技界傳來(lái)重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測(cè)，至2025年，這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬(wàn)個(gè)單位，推動(dòng)年度總
![的頭像]()
發(fā)表于 08-29 16:43
?810次閱讀
近日，韓國(guó)上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開(kāi)發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
![的頭像]()
發(fā)表于 05-30 11:30
?698次閱讀
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推
![的頭像]()
發(fā)表于 05-22 14:54
?489次閱讀
近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著
![的頭像]()
發(fā)表于 05-17 10:12
?587次閱讀
業(yè)界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存，下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM，引起市場(chǎng)搶貨潮，導(dǎo)致近期DDR3
![的頭像]()
發(fā)表于 05-14 10:31
?341次閱讀
臺(tái)灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強(qiáng)烈地震之后，美光、SK海力士、三星紛紛暫停存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)，三星雖未受直接影響，卻暫時(shí)停止出貨以待上級(jí)指示。據(jù)了解，盡管三家主要DRAM供應(yīng)商尚未宣布后續(xù)漲價(jià)
![的頭像]()
發(fā)表于 04-10 09:30
?441次閱讀
三星近期在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議中聲稱，計(jì)劃于今年底以前實(shí)現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另?yè)?jù)行業(yè)消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實(shí)現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
![的頭像]()
發(fā)表于 04-09 16:53
?793次閱讀
來(lái)源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報(bào)道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了
![的頭像]()
發(fā)表于 03-27 09:12
?543次閱讀
三星必須采取一些措施來(lái)提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)對(duì)三星來(lái)說(shuō)有點(diǎn)不得已而為之，因?yàn)樗罱K遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)。
![的頭像]()
發(fā)表于 03-14 11:00
?659次閱讀
近日，據(jù)報(bào)道，三星電子正計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)。
![的頭像]()
發(fā)表于 01-26 15:33
?708次閱讀
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬(wàn)億韓元，推進(jìn)“超級(jí)集群”計(jì)劃。
![的頭像]()
發(fā)表于 01-23 11:35
?610次閱讀
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
![的頭像]()
發(fā)表于 01-08 10:25
?919次閱讀
12月18日，傳聞三星及SK海力士正籌劃于來(lái)年加大芯片制造設(shè)備的投入，如三星電子預(yù)計(jì)投注27萬(wàn)億韓元，SK海力士則計(jì)劃注入5.3萬(wàn)億韓元，增幅分別達(dá)25%與100%。
![的頭像]()
發(fā)表于 12-19 09:20
?457次閱讀
三星、海力士推遲或致內(nèi)存價(jià)格下降緩慢
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論