閃存物理結(jié)構(gòu),閃存器件原理

閃存物理結(jié)構(gòu)

閃存器件原理

前文已經(jīng)講過(guò)了固態(tài)硬盤的發(fā)展史，曾經(jīng)的固態(tài)硬盤有過(guò)RAM等介質(zhì)，但是目前絕大多數(shù)固態(tài)硬盤都是以閃存芯片為存儲(chǔ)介質(zhì)的。DRAM固態(tài)硬盤我們見(jiàn)得少，主要應(yīng)用于特殊的場(chǎng)合。1978年誕生的世界上第一塊固態(tài)硬盤就是基于DRAM的。但由于DRAM掉電易失性，當(dāng)然還有成本因素，現(xiàn)在的固態(tài)硬盤一般都不用DRAM，而是使用閃存作為存儲(chǔ)介質(zhì)，并且是NAND 閃存。固態(tài)硬盤的工作原理很多也都是基于閃存特性的。比如，閃存在寫之前必須先擦除，不能覆蓋寫，于是固態(tài)硬盤才需要垃圾回收（Garbage Collection，或者叫 Recycle）；閃存每個(gè)塊（Block）擦寫次數(shù)達(dá)到一定值，這個(gè)塊要么變成壞塊，要么存儲(chǔ)在上面的數(shù)據(jù)不可靠，所以固態(tài)硬盤固件必須做磨損平衡，讓數(shù)據(jù)平均寫在所有塊上，而不是盯著幾個(gè)塊拼命寫（不然很快固態(tài)硬盤就報(bào)廢了）。還有類似很多例子，固態(tài)硬盤內(nèi)部很多算法都是在為閃存服務(wù)的。所以，欲攻固態(tài)硬盤，閃存首當(dāng)其沖。

閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，也就是說(shuō)，掉電了，數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。閃存基本存儲(chǔ)單元 (Cell) 是一種類NMOS的雙層浮柵 (Floating Gate) MOS管組成，如圖3-1所示：

圖3-1 浮柵晶體管結(jié)構(gòu)

在源極(Source)和漏極(Drain)之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成貯存電子的浮柵，浮柵上下被絕緣層所包圍，存儲(chǔ)在里面的電子不會(huì)因?yàn)榈綦姸В蚤W存是非易失存儲(chǔ)器。

寫操作是在控制極加正電壓，使電子通過(guò)絕緣層進(jìn)入浮柵極。擦除操作正好相反，是在襯底加正電壓，把電子從浮柵極中吸出來(lái),如圖3-2所示：

圖3-2 左：寫原理；右：擦除原理

在2014年的閃存峰會(huì)上，浮柵晶體管的發(fā)明人施敏（Dr.Simon Sze）被授予終身成就獎(jiǎng)，以表彰他發(fā)明了浮柵極晶體管。據(jù)說(shuō)，浮柵極晶體管的發(fā)明靈感是這樣來(lái)的：有天，施敏和搭檔Dawon Kahng在公司的食堂一起吃午餐，飯后甜點(diǎn)是奶酪蛋糕?？粗鴬A心蛋糕，他們?cè)谙?，如果在MOS場(chǎng)效應(yīng)管中間加個(gè)東西，會(huì)怎樣呢？于是，浮柵晶體管橫空出世。截至2014年某個(gè)時(shí)間點(diǎn)，據(jù)統(tǒng)計(jì)，全世界生產(chǎn)的浮柵晶體管數(shù)目達(dá)1 074 344 929 692 350 000 000

這個(gè)數(shù)字還在繼續(xù)增長(zhǎng)著。阿呆覺(jué)得終身成就獎(jiǎng)不夠，施敏應(yīng)該獲得諾貝爾獎(jiǎng)，畢竟機(jī)械硬盤機(jī)理——巨磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)人已經(jīng)獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。

獲獎(jiǎng)后，施敏在慶功宴上，為自己點(diǎn)了一份奶酪蛋糕。

SLC，MLC，TLC

一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)的閃存，我們叫它為SLC (Single Level Cell)，2比特為MLC (Multiple Level Cell) ，3比特為TLC (Triple Level Cell)?，F(xiàn)在已經(jīng)有廠商在研發(fā)QLC，即一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)，本書(shū)不做介紹。

圖3-3 SLC，MLC，TLC原理

對(duì)SLC來(lái)說(shuō)，一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)兩種狀態(tài)，浮柵極里面的電子多于某個(gè)參考值的時(shí)候，我們把它采樣為0，否則，就判為1。

圖3-4是閃存芯片里面存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲(chǔ)單元數(shù)量。其實(shí)在0或1的時(shí)候，并非所有的存儲(chǔ)單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個(gè)電壓為中心的一個(gè)分布。讀的時(shí)候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認(rèn)為是1；落在0范圍里面，就認(rèn)為是是0。

擦除之后，閃存讀出來(lái)的值為1，充過(guò)電之后，就是0。所以，如果需要寫1，就啥都不用干，寫0，就需要充電到0。

圖1-4 SLC電壓分布（來(lái)源：Inside NAND Flash Memory）

對(duì)MLC來(lái)說(shuō)，如果一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)4個(gè)狀態(tài)，那么它只能存儲(chǔ)2比特的數(shù)據(jù)。通俗來(lái)說(shuō)就是把浮柵極里面的電子個(gè)數(shù)進(jìn)行一個(gè)劃分，比如低于10個(gè)電子，判為0；11-20個(gè)電子，判為1；21-30，判為2；多于30個(gè)電子，判為3。

圖1-5 MLC電壓分布（來(lái)源：Inside NAND Flash Memory）

依次類推TLC，若是一個(gè)存儲(chǔ)單元有8個(gè)狀態(tài)，那么它可以存儲(chǔ)3比特的數(shù)據(jù)，它在MLC的基礎(chǔ)上對(duì)浮柵極里面的電子數(shù)又進(jìn)一步進(jìn)行了劃分。

圖1-6 TLC電壓分布（來(lái)源：Inside NAND Flash Memory）

同樣面積的一個(gè)存儲(chǔ)單元，SLC，MLC和TLC，分別可以存儲(chǔ)1，2，3 比特的數(shù)據(jù)，所以在同樣面積的DIE上，閃存容量依次變大。

但同時(shí)，一個(gè)存儲(chǔ)單元電子劃分的越多，那么在寫入的時(shí)候，控制進(jìn)入浮柵極的電子個(gè)數(shù)就要越精細(xì)，所以寫耗費(fèi)的時(shí)間就越長(zhǎng)；同樣的，讀的時(shí)候，需要嘗試用不同的參考電壓去讀取，一定程度上加長(zhǎng)讀取時(shí)間。所以我們會(huì)看到在性能上，TLC不如MLC，MLC不如SLC。

下表所示是SLC，MLC和TLC在性能和壽命（Endurance）上的一個(gè)直觀對(duì)比

（不同制程和不同廠家的閃存，參數(shù)不盡相同，數(shù)據(jù)僅供參考）：

3D TLC逐漸成為主流。同時(shí)，QLC也馬上要量產(chǎn)了，每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)，比TLC還要慢，還要不可靠。之前懷疑TLC可靠性的人們，怎么看QLC?