SK海力士的M16工廠將用上最先進(jìn)的EUV光刻工藝

今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲(chǔ)芯片工廠M14落成時(shí)SK Hynix宣布的46萬(wàn)億韓元投資計(jì)劃中的一部分，M15工廠位于韓國(guó)忠清南道的清州市，投資額高達(dá)15萬(wàn)億韓元，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，初期將生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆棧3D NAND，不過(guò)明年初就會(huì)轉(zhuǎn)向96層堆棧的3D NAND閃存。

著NAND閃存及DRAM內(nèi)存不斷降價(jià)，2019年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將迎來(lái)一輪熊市。為了應(yīng)對(duì)降價(jià)導(dǎo)致的損失，三星、SK Hynix及美光都計(jì)劃削減資本支出，不過(guò)削減并不意味著他們不再建設(shè)芯片工廠了。

就在本周三，也就是12月19日，SK海力士位于無(wú)錫的M16工廠正式舉行開(kāi)工典禮，預(yù)計(jì)2020年正式建成，總投資額還沒(méi)確定，不過(guò)也不會(huì)低于15萬(wàn)億韓元，其中基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)就要3.5萬(wàn)億韓元，占地面積30英畝。這座工廠最終會(huì)生產(chǎn)DRAM內(nèi)存還是NAND閃存都沒(méi)確定，SK Hynix表示這要看落成時(shí)的市場(chǎng)需求以及工廠的技術(shù)水平來(lái)決定。

不過(guò)有一點(diǎn)可以肯定的，M16工廠將會(huì)用上最先進(jìn)的EUV光刻工藝——存儲(chǔ)芯片跟邏輯芯片不同，雖然對(duì)EUV光刻工藝的需求沒(méi)那么高，不過(guò)三星、SK Hynix依然計(jì)劃在未來(lái)使用EUV工藝生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，而美光對(duì)EUV的態(tài)度就比較保守，未來(lái)兩代的內(nèi)存芯片依然不會(huì)用到EUV光刻工藝。

據(jù)ASML證實(shí)，此次入駐SK海力士無(wú)錫工廠確為NXT2000i，也即NXT2000。ASML解釋道，i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的機(jī)器。

今年8月份曾有消息表示，ASML已經(jīng)開(kāi)始出貨新品Twinscan NXT2000i DUV（NXT2000i雙工件臺(tái)深紫外***），可用于7nm和5nm節(jié)點(diǎn)。

NXT2000i將是NXE3400B EUV***的有效補(bǔ)充，畢竟臺(tái)積電/GF的第一代7nm都是基于DUV工藝。

同時(shí)，NXT2000i也成為了ASML旗下套刻精度（overlay）最高的產(chǎn)品，達(dá)到了和3400B一樣的1.9nm（5nm要求至少2.4nm，7nm要求至少3.5nm）。

當(dāng)時(shí)ASML只表示這款性能出眾的***將于本年度末正式量產(chǎn)，尚未確定***的價(jià)格。根據(jù)媒體的估計(jì)，按照目前ASML的定位，這款***的定價(jià)應(yīng)該在幾千萬(wàn)至上億美元之間。ASML的3400B EUV***的報(bào)價(jià)是1.2億美元一臺(tái)，而14nm節(jié)點(diǎn)的***報(bào)價(jià)則在7200萬(wàn)美元。