未來十年存儲級內(nèi)存將取代NAND閃存?
近日，HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進行了一次大膽預測，在他看來，存儲級內(nèi)存(SCM)或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
在Ivan Iannaccone看來，隨著企業(yè)對數(shù)據(jù)處理和請求的需求加快，NAND閃存的性能和延遲問題將使得SSD不足以滿足未來的企業(yè)需求。而讀寫性能遠高于SSD、延遲更為SSD十分之一的SCM將逐步取代NAND SSD。
同時，Ivan Iannaccone表示，盡管SCM確實比NAND好很多，但其比NAND高出4倍的成本依舊是最大的阻礙。
編輯觀點：
在筆者看來，SCM確實是趨勢，因其性能接近DRAM，而成本介于DRAM和NAND之間。
目前，做SCM的廠商主要為英特爾和三星。英特爾的傲騰產(chǎn)品定位于企業(yè)和消費，三星的Z-SSD更專注于消費者，并計劃在今年晚些時候向OEM提供樣品。此外，據(jù)爆料，東芝和西數(shù)也在開發(fā)自己的SCM產(chǎn)品。
另一方面，盡管各存儲廠商均發(fā)力SCM市場，但其高昂的成本確實阻礙著SCM取代NAND。最好的例子：這么多年過去了，NAND SSD依舊沒能完全取代HDD。
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原文標題：HPE：10年后 存儲級內(nèi)存將取代NAND閃存
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