前不久,鎂光起訴晉華侵權(quán)的訴訟已遭美國聯(lián)邦法院駁回,理由是晉華的產(chǎn)品并沒有在美國銷售,即使晉華有侵權(quán)的事實,美法院也沒有管轄權(quán)。
不過即便如此,鎂光也可以再補強證據(jù),繼續(xù)起訴,把訴訟周期拉長。另外,本次被駁回的侵權(quán)起訴和美國司法部出面指控福建晉華、聯(lián)電非法取得 DRAM 存儲技術(shù)并非同一個案件,也就是說,即便美國聯(lián)邦法院駁回起訴,也不意味著晉華就此脫困。
對于本次事件,有業(yè)內(nèi)人士分析,晉華最大的敗筆就是在技術(shù)上過于依賴聯(lián)電,以及沒有把研發(fā)中心設(shè)在境內(nèi)。
聯(lián)電和鎂光之間最初只是商業(yè)糾紛
近年來,在中國大陸企業(yè)力圖收購或入股鎂光、SK海力士、閃迪/西部數(shù)據(jù)未能如愿之后,中國大陸企業(yè)放棄了直接收購的計劃,選擇了高薪挖人的方式,直接以2倍、3倍、4倍的薪酬從境外公司挖人。
鎂光在中國***的合資公司華亞科等企業(yè)則是重點挖人對象之一,據(jù)媒體報道,已經(jīng)有數(shù)百名員工跳槽到中國大陸的長江存儲、合肥睿力等企業(yè)。
根據(jù)鎂光公司公布的資料,一位跳槽的員工通過閃存盤盜取了公司的技術(shù)資料,然后交給了新東家聯(lián)華電子公司的高管,屬于“帶槍叛逃”。隨即鎂光在去年2月和9月分別在中國***和美國對聯(lián)電提起訴訟。
由于晉華在存儲芯片上缺乏技術(shù)積累,選擇了與聯(lián)電合作的技術(shù)引進(jìn)道路,由晉華出資,委托聯(lián)電開發(fā) DRAM 相關(guān)技術(shù)。根據(jù)中國***“地檢署”公布的資料,晉華提供三億美元資金采購研發(fā)設(shè)備,并依進(jìn)度陸續(xù)支付聯(lián)電四億美元,開發(fā)出的技術(shù)成果雙方共有,整體技術(shù)完成后,再轉(zhuǎn)移到晉華進(jìn)行量產(chǎn)。
由于晉華和聯(lián)電的這種關(guān)系,使鎂光和聯(lián)電的糾紛波及到晉華。隨后,聯(lián)電和晉華在大陸對鎂光發(fā)起了訴訟,聯(lián)電和晉華認(rèn)為,包括鎂光MX500系列的2TB、1TB、500GB、250GB 2.5英寸的固態(tài)硬盤的數(shù)款產(chǎn)品存在侵權(quán)行為。
到這個階段為止聯(lián)電、晉華和鎂光的矛盾還處于商業(yè)糾紛的階段,并沒有被政治化。
晉華是為聯(lián)電擋槍
真正把鎂光逼急了的是福州中院的一個裁定——福州市中級人民法院做出了一個非常有智慧的裁定,要求鎂光立即停止銷售、進(jìn)口十余款英睿達(dá)固態(tài)硬盤、內(nèi)存條及相關(guān)芯片,并刪除其網(wǎng)站中關(guān)于上述產(chǎn)品的宣傳廣告、購買鏈接等信息。
這里說明一下,裁定僅用于解決程序性問題,也就是說,法院并沒有認(rèn)定鎂光的數(shù)款產(chǎn)品存在侵權(quán)行為。該裁定只是為了防止在訴訟審理期間,鎂光在中國內(nèi)地銷售產(chǎn)品、開展業(yè)務(wù)的活動可能會對聯(lián)電和晉華造成的利益損失。
但這種裁定雖然沒有就實體部門做出任何裁決,但起到的作用和鎂光敗訴的效果沒兩樣,這就使鎂光非常難受。因此,鎂光游說美國相關(guān)部門,要求美國政府出面施加壓力,也是情理之中。
接著,晉華就被制裁了。根據(jù)美國商務(wù)部公開的資料,之所以制裁晉華,主要是因為晉華“涉嫌參與違反美國國家安全利益的活動,構(gòu)成了重大風(fēng)險”,至于證據(jù)什么的一概沒提??梢哉f,原本一起商業(yè)糾紛,被一些人利用之后過度政治化,這就是晉華被制裁的原因之一。
從整個過程來看,本次晉華實際上是給聯(lián)電擋槍。
因為與鎂光存在知識產(chǎn)權(quán)糾紛的是聯(lián)電,而不是晉華。晉華只不過是出錢委托聯(lián)電研發(fā)技術(shù),然后通過技術(shù)轉(zhuǎn)讓的方式,獲得聯(lián)電研發(fā)的技術(shù)成果,聯(lián)電在研發(fā)DRAM技術(shù)過程中,是否存在侵犯知識產(chǎn)權(quán)的情況,這與晉華無關(guān)。
即便鎂光和聯(lián)電存在知識產(chǎn)權(quán)糾紛,那也應(yīng)該由鎂光和聯(lián)電這對當(dāng)事人之間解決,不應(yīng)該由案外第三人晉華來承擔(dān)負(fù)面后果。在整個事件中,即便要找責(zé)任承擔(dān)者,也應(yīng)該是聯(lián)電,而不是晉華,晉華只不過找合作伙伴的時候遇人不淑,純屬躺著中槍。
正是因此,工信部部長苗圩在1月29日表示,去年10月份以后,美國商務(wù)部泛化了國家安全的概念,濫用出口管制措施,以所謂“可能使用了來自美國的技術(shù),威脅到了美國的軍事系統(tǒng)基本供應(yīng)商的長期生存能力”為由,用“可能使用了”、“可能威脅到了”等理由,對福建一家還在建設(shè)過程當(dāng)中、產(chǎn)品還沒有量產(chǎn)的企業(yè)實施了出口管制,“我們認(rèn)為是站不住腳的”。
技術(shù)依賴聯(lián)電研發(fā)中心設(shè)在境外成為敗筆
目前,長江存儲、福建晉華、合肥長鑫是中國存儲芯片的三駕馬車。其中,以長江存儲的表現(xiàn)最好。此前,紫光集團(tuán)董事長趙偉國就表示,2019年量產(chǎn)64層128Gb的3D NAND,并同步研發(fā)128層256Gb的3D NAND。
紫光之所以能夠做得比較好,就是因為從一開始就堅持走自主技術(shù)的路線,一方面整合了國內(nèi)武漢新芯和西安華芯這些有一定基礎(chǔ)的內(nèi)資企業(yè),同時大肆從海外挖人,比如高薪聘請了在中國***有“存儲教父”之稱的高啟全。在整合海內(nèi)外力量之后,形成了自己的研發(fā)能力和研發(fā)隊伍,因而可以避開海外大廠的專利。
高啟全
此外,長江存儲還依靠自己的力量研發(fā)出了64層的3D NAND,得益于Xtacking技術(shù)。這項技術(shù)可以使產(chǎn)品開發(fā)時間縮短三個月,生產(chǎn)周期可縮短20%,NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps,比傳統(tǒng)3D NAND擁有更高的存儲密度。這使得紫光的64層的3D NAND性能可以接近國際大廠的96層3D NAND。
這與晉華在技術(shù)上高度依賴聯(lián)電形成鮮明對比——在晉華被制裁之后,聯(lián)電馬上撤出了上百名技術(shù)骨干,直接導(dǎo)致晉華研發(fā)工資停擺。
把研發(fā)中心設(shè)置在境外,也是晉華的一大敗筆。因為如果把研發(fā)中心放在中國大陸,那么,國外大廠要調(diào)查取證會比較麻煩,而晉華和聯(lián)電合作的研發(fā)中心恰恰設(shè)在***地區(qū)的南科廠區(qū),這讓鎂光很容易狙擊聯(lián)電和晉華。
既然如此,那么為何當(dāng)初晉華和聯(lián)電不把研發(fā)中心放在境內(nèi)?
首先,臺商不愿意。一直以來,臺商在與大陸廠商技術(shù)合作中都是非常保守的,在技術(shù)上可謂嚴(yán)防死守。
其次,研發(fā)中心放***也更省錢。因為辦公大樓、研發(fā)設(shè)備、研發(fā)人員全部遷移到中國大陸,是一筆不小的開支,特別是如今中國大陸一線大城市房價、地價節(jié)節(jié)、生活成本攀升的情況下,研發(fā)中心放在中國大陸,成本優(yōu)勢已經(jīng)沒有了,反而還要額外支付一筆搬遷費用。
而在整個過程中,晉華是純資本,缺乏一個有經(jīng)驗的技術(shù)團(tuán)隊,因而即便資料全部給過來,晉華也消化不了,而聯(lián)電才是項目研發(fā)的實際主導(dǎo)者,話語權(quán)掌握在聯(lián)電手里,對于聯(lián)電來說,無論從經(jīng)濟(jì)性,還是從技術(shù)保密性的角度看,放在***地區(qū)的南科廠區(qū),顯然對自己更有利。
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原文標(biāo)題:晉華的最大敗筆是把研發(fā)中心設(shè)在境外?
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