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把晶圓當(dāng)做夾饃,來好好聊聊良率那些事兒!

電子工程技術(shù) ? 來源:lp ? 2019-04-16 11:00 ? 次閱讀

那天,買了一個(gè)肉夾饃吃,吃了肚子疼,上了好幾次廁所。

回去找老板理論,老板說,昨天我賣出去一百個(gè)饃,只有你一個(gè)人反應(yīng)肚子疼,你是想訛我吧!

我說我不想誣賴你,千真萬確,中午我除了夾饃根本沒吃別的東西。

老板說,這樣吧,我退你錢。

我說,不行,你得有所改正,萬一以后再發(fā)生同樣問題怎么辦?以后更嚴(yán)重,把小朋友吃壞怎么辦?

老板說,你看,我的整個(gè)工序十幾道,供應(yīng)商也好幾個(gè),有可能是面粉的問題,有可能肉,有可能辣椒壞了,也有可能我烤饃沒烤熟,我怎么改進(jìn)呢?而且,唯一一個(gè)壞的夾饃,還讓你給吃了,我查也沒法查?。?/p>

我說,你要不改,我以后再也不來你這里吃了!

各位,你們覺得下次我還會(huì)去這家店吃肉夾饃么?

好吧,為了給非專業(yè)人士講明白半導(dǎo)體良率這件事兒,處心積慮想出了這么個(gè)故事。但道理是相通的,每個(gè)晶圓廠(夾饃店)都希望自己的良率(夾饃質(zhì)量)越高越好,這樣大家都愿意來它這里投片(吃夾饃)。而每個(gè)IC設(shè)計(jì)公司都希望自己的產(chǎn)品成本越低越好,而且客戶不要退貨。

那么今天,我們就把晶圓,當(dāng)做夾饃,來好好聊聊良率那些事兒。

我們知道,每一片晶圓上,都同時(shí)制造數(shù)量很多的芯片。例如下面這張圖,但是,不同的芯片有不同的大小。大的Soc芯片,有可能一片晶圓上只有幾百個(gè)甚至幾十個(gè)芯片。而小的芯片,一個(gè)晶圓可以有成千上萬顆。

我們把每一顆芯片看做一個(gè)肉夾饃,那么一片晶圓上這么多“肉夾饃”,有多少質(zhì)量過關(guān)的“肉夾饃”,這個(gè)比例就是晶圓測(cè)試階段的良率。就如上面那個(gè)例子講的,老板一天賣出去一百個(gè)夾饃,只有一個(gè)是壞的。那么良率就是99%。

那么,這個(gè)良率和什么有關(guān)呢?一般來說,主要和下列因素相關(guān)。

1.生產(chǎn)工藝:生產(chǎn)工藝包括生產(chǎn)條件(廠房,設(shè)備,材料),工藝水平,工藝經(jīng)驗(yàn)與管理。

2.產(chǎn)品設(shè)計(jì)方法:我們這里講的是可制造性設(shè)計(jì)問題。

3.測(cè)試方法:測(cè)試技術(shù)與管理。

那么我們?cè)敿?xì)講一下:

第一,生產(chǎn)工藝。

晶圓的生產(chǎn)工藝是非常復(fù)雜的,整個(gè)流片過程包含光刻、蝕刻、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、離子注入以及爐管等幾百甚至上千步驟,需要單次或者多次進(jìn)入不同的機(jī)臺(tái),這個(gè)可比肉夾饃的工藝復(fù)雜多了!每個(gè)步驟,都有可能導(dǎo)入缺陷。那么問題來了,客戶在選擇晶圓廠以及工藝的時(shí)候,還沒有流過片,怎么知道這家晶圓廠好不好,這個(gè)工藝穩(wěn)定不穩(wěn)定,怎么預(yù)估自己的產(chǎn)品的良率和成本呢?

事實(shí)上,晶圓廠會(huì)給客戶提供一個(gè)D0值(平均缺陷密度)以用來表征這個(gè)工藝的良率水平。根據(jù)這個(gè)Do值以及特定的計(jì)算公式(不同的晶圓廠可能提供不同的計(jì)算公式),可以提前預(yù)測(cè)產(chǎn)品的大概良率。

聽上去是不是很神奇?那么這個(gè)Do是什么呢?又是怎么預(yù)測(cè)良率的呢?

其實(shí)D0就是表征這個(gè)工藝在晶圓單位面積上產(chǎn)生缺陷的概率。D0的推導(dǎo)是十分復(fù)雜的。但我們可以把這個(gè)概念簡(jiǎn)單化來理解它是一個(gè)什么東西,比如,一個(gè)肉夾饃,會(huì)夾100個(gè)肉丁,而100個(gè)肉丁里,會(huì)有1個(gè)肉丁是變質(zhì)的。我們把這個(gè)缺陷密度看做0.01(1%)。另外一家店,同樣100個(gè)肉丁里,會(huì)有10個(gè)是變質(zhì)的,那么缺陷密度相對(duì)就是0.1(10%)。那么哪家的夾饃好呢?當(dāng)然是0.01要好于0.1.一般來說,D0越小,表示這個(gè)工藝越成熟,良率越高。

當(dāng)然,晶圓廠會(huì)不斷完善和改進(jìn)工藝,D0一般從剛開始研發(fā)到成熟量產(chǎn)的兩年過程中會(huì)不斷降低。下面請(qǐng)看32nm和22nm工藝當(dāng)初的D0發(fā)展趨勢(shì)。

問題來了,良率只和D0有關(guān)嗎?

非也非也!我們?cè)倩氐侥莻€(gè)夾饃,100個(gè)肉丁里,有一個(gè)是壞的。如果我們切100份,壞的肉丁影響了一份,那么良率就是99%。如果我們把饃切1000份呢?那么那個(gè)壞的肉丁還是只影響一份,但這時(shí)良率就變成99.9%了。我們把每一份想象成一個(gè)芯片,那么芯片的面積越大,良率就越低。其實(shí),換句更通俗的話講,這和戰(zhàn)爭(zhēng)中胖子比瘦子更容易中彈是一個(gè)道理吧。請(qǐng)看下圖關(guān)于D0、芯片面積和良率的關(guān)系:

關(guān)于神奇的D0,講到這里結(jié)束了嗎?還沒有哦,大家要注意,對(duì)于芯片里Logic(邏輯)電路和SRAM(靜態(tài)存儲(chǔ)器)電路,D0是不一樣的!為什么呢?因?yàn)镾RAM的密度要比Logic大得多,那么同樣是掉一顆缺陷,落在Logic區(qū)域的,可能就掉在空地上了,而掉在SRAM區(qū)域的,很可能影響電路。所以,晶圓廠針對(duì)Logic和SRAM提供不同的D0值,在預(yù)測(cè)目標(biāo)良率的時(shí)候要根據(jù)芯片里面SRAM和Logic的面積比例綜合考量哦。

試想,如果天上掉下來一顆石頭,哪里傷亡更慘重呢?

二、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方法

這里講的設(shè)計(jì)方法,和良率息息相關(guān)的主要是可制造性設(shè)計(jì)(DFM)和可測(cè)試化設(shè)計(jì)(DFT)。可制造性,顧名思義,就是設(shè)計(jì)的時(shí)候要考慮到制造的因素。同樣一個(gè)設(shè)計(jì),版圖不同的畫法、元器件擺放方向、位置,都有可能影響到最終的良率。這是當(dāng)工藝越來越先進(jìn),線寬越來越小時(shí)所帶來的不可逃避的問題。

一般情況下,當(dāng)工藝進(jìn)入65nm及以下,晶圓廠就會(huì)提供可制造性設(shè)計(jì)規(guī)則供IC設(shè)計(jì)公司檢查。但是一般認(rèn)為65nm及45nm工藝,可制造性設(shè)計(jì)規(guī)則是供參考的。因?yàn)楣に囎銐虺墒?,可以不必在設(shè)計(jì)上花費(fèi)很大的精力去遵守可制造性設(shè)計(jì)規(guī)則。但是到了28nm及以下,可制造性規(guī)則就是必須在設(shè)計(jì)過程中嚴(yán)格遵守了。

DFT比較復(fù)雜,避免把大家講糊涂,這里就先不詳述了。

三、測(cè)試方法

首先,需要強(qiáng)調(diào)一下,測(cè)試方法不會(huì)改變芯片本身的質(zhì)量,不會(huì)因?yàn)椴煌臏y(cè)試方法,將本身一個(gè)功能失效的芯片變成好的芯片。但是,經(jīng)過優(yōu)化的測(cè)試方法,可以在具有高測(cè)試覆蓋率的前提下,控制成本又能降低在最終客戶那里的DPPM(DefectivePartsPerMillion,表征質(zhì)量的參數(shù)),減少退貨率。

晶圓生產(chǎn)出來后,在出晶圓廠之前,要經(jīng)過一道電性測(cè)試,稱為晶圓可接受度測(cè)試(WAT)。這個(gè)測(cè)試是測(cè)試在切割道(ScribeLine)上的測(cè)試鍵(TestKey)的電性能。測(cè)試鍵通常設(shè)計(jì)有各種原件,例如不同尺寸的NMOS、PMOS、電阻、電容以及其他工藝相關(guān)的特性。這一道可以當(dāng)做是初選。那些有嚴(yán)重生產(chǎn)問題從而使得測(cè)試鍵的電性能超出規(guī)格之外的晶圓會(huì)在這一道被篩選出來,報(bào)廢掉。這一道報(bào)廢掉的晶圓,因?yàn)檫€沒有出貨到客戶手里,所以是不收取客戶錢的,由晶圓廠自己吸收。

WAT測(cè)試結(jié)束后,晶圓工藝就算完成。下一步就是來到測(cè)試廠這里進(jìn)行測(cè)試。第一道晶圓切割前的測(cè)試我們稱為CP(ChipProbing),因?yàn)檫@一道測(cè)試是在完整的晶圓上測(cè)的,用到的機(jī)臺(tái),我們稱作Prober。每一個(gè)產(chǎn)品,都會(huì)有針對(duì)自己設(shè)計(jì)的ProberCard,上面根據(jù)芯片的測(cè)試焊盤(Pad)的位置裝有對(duì)應(yīng)的測(cè)試探針及電路與測(cè)試臺(tái)連接。每次測(cè)的時(shí)候,測(cè)試頭從上面壓下來,探針就會(huì)扎到Pad上,然后供電進(jìn)行測(cè)試。

講到這里,不得不提一下測(cè)試的成本問題。通常情況下,我們會(huì)發(fā)現(xiàn),一個(gè)IC產(chǎn)品,測(cè)試的費(fèi)用占了整體成本的很大一部分。所以,怎樣將測(cè)試程式優(yōu)化到簡(jiǎn)單而高效(達(dá)到必要的測(cè)試覆蓋率),就是IC設(shè)計(jì)公司的測(cè)試工程師的工作了。測(cè)試程式越簡(jiǎn)化,需要的測(cè)試時(shí)間就短,測(cè)試成本就下降。

一般,在CP階段,為了節(jié)約成本,不會(huì)測(cè)到全部芯片的功能。比如,有一些需要用到昂貴測(cè)試機(jī)臺(tái)的模擬功能測(cè)試,可能在CP階段就被省略,放到后面的FT(FinalTest)再進(jìn)行。

除了在測(cè)試程式上優(yōu)化,在測(cè)試方法上優(yōu)化也是大家一致在努力的方向。

一般用到下面幾個(gè)方法降低CP測(cè)試成本:

1.在生產(chǎn)一段時(shí)間后,對(duì)于晶圓邊緣的低良率芯片,直接忽略掉,不予采用。

一般,我們拿到了一個(gè)產(chǎn)品的一定量的CP測(cè)試結(jié)果后,可以將結(jié)果堆疊。Wafer的周邊,一些不完整的芯片或者因?yàn)檫^于靠近邊緣均勻性受到影響的低良率芯片,直接在測(cè)試程式上刪除。

將上圖中的不完整芯片和低良率芯片刪除,那么每片晶圓可以少測(cè)12個(gè)芯片,降低了成本的同時(shí),良率和質(zhì)量和質(zhì)量也相對(duì)提升。

2.那么上面經(jīng)過優(yōu)化的測(cè)試map還可以優(yōu)化嗎?我們知道,同一個(gè)probecard可以同時(shí)測(cè)幾個(gè)芯片,怎么排列是個(gè)問題。如果同時(shí)可以測(cè)6顆,那么排列是2x3還是3x2,或者1x6,都會(huì)對(duì)扎針次數(shù)產(chǎn)生影響;不同的走針方式,也會(huì)產(chǎn)生不同的扎針次數(shù)。比如有可能下面第二張圖就可能比第一張圖少幾次扎針,這樣就會(huì)節(jié)省測(cè)試時(shí)間。現(xiàn)在市面上有專業(yè)軟件可以模擬和優(yōu)化這些。

3.抽測(cè):當(dāng)一片晶圓上有幾千顆甚至上萬顆芯片,而且良率已經(jīng)達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定的高度時(shí),很多公司在CP階段采用抽測(cè)(SamplingTest)的方式以減少測(cè)試時(shí)間。下面的圖中,黃色代表不進(jìn)行測(cè)試的芯片,綠色代表需要測(cè)試的芯片。下圖是個(gè)典型的抽測(cè)方式。請(qǐng)注意,一般晶圓邊上一圈良率相對(duì)較低,在抽測(cè)的時(shí)候有時(shí)會(huì)考慮這一圈全測(cè)。

還有采取只測(cè)良率最低的晶圓外側(cè)及中心的芯片。例如下圖:

不管怎么變化,目標(biāo)只有一個(gè),那就是用最少的測(cè)試費(fèi)用,盡可能多地篩選出不合格芯片,那么問題來了,上述抽測(cè)是否會(huì)錯(cuò)過一些異常低良率的晶圓,造成后面封裝及終測(cè)的浪費(fèi)?答案是肯定的。抽測(cè)肯定要比全測(cè)有更大的風(fēng)險(xiǎn)。以下圖為例:假設(shè)下圖為抽測(cè)結(jié)果,綠色表示好的芯片,紅色代表失效的芯片。看上去只檢測(cè)出四顆壞的芯片,良率還不錯(cuò)。

但是,如果進(jìn)行全測(cè),有可能是這樣的,不僅遺漏了低良率的芯片,還可能因?yàn)檫@種遺漏造成潛在的可靠性問題:

那么,怎樣在抽測(cè)的情況下盡量避免上述問題呢?

一些大數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)控軟件可以在測(cè)試的同時(shí)監(jiān)測(cè)并控制走針,測(cè)試者可以提前設(shè)置一個(gè)條件,例如,當(dāng)測(cè)到一個(gè)點(diǎn)失效以后,測(cè)試探針自動(dòng)圍繞這顆失效芯片測(cè)試周圍一圈的芯片是否是好的芯片。如果周圍是好的,那么探針回到下一個(gè)抽測(cè)點(diǎn)繼續(xù)抽測(cè)。如果周圍一圈的芯片里面還有不好的,繼續(xù)圍繞這顆失效的芯片一圈測(cè)下去。那么我們會(huì)發(fā)現(xiàn),如下圖,這一條失效的芯片都被測(cè)出來了?;诳煽啃缘目剂?,測(cè)試者可以決定是否將這種失效芯片周圍一圈的好的芯片也報(bào)廢。

說了這么多,才剛剛結(jié)束了CP這第一道芯片測(cè)試。CP測(cè)試完的芯片,會(huì)經(jīng)過晶背打磨、切割等程序,剔除掉失效芯片,將好的芯片送入到封裝制程。

封裝過程,芯片經(jīng)歷打線、沖模等高溫高壓過程,也會(huì)有一定的良率損失,但這部分在沒有意外發(fā)生的情況下是很小并且穩(wěn)定的,一般考慮的不多。但是近年也有公司在考慮使用大數(shù)據(jù)的手段,監(jiān)控封裝機(jī)臺(tái)的參數(shù),進(jìn)行大數(shù)據(jù)分析,來提高封裝良率,在這里不予討論。

等封裝完畢,這顆芯片就有模有樣了,就像肉夾饃,餅已烤好,肉已加好,可以出鍋!

之后,封裝好的芯片進(jìn)入終測(cè)(FinalTest)。因?yàn)榻K測(cè)是很多IC產(chǎn)品商對(duì)自己產(chǎn)品的最后一道測(cè)試,這個(gè)測(cè)試相對(duì)會(huì)比CP測(cè)試要完整,而且終測(cè)可以做CP不能做的高速和混合信號(hào)(mix-signal)測(cè)試。

終測(cè)的良率,因?yàn)榻?jīng)過了前面的層層篩選,一般是不錯(cuò)的。但是,我們講到,因?yàn)榻K測(cè)包含了比CP更多的項(xiàng)目,也有可能遭遇到低良率問題。一般情況下,終測(cè)的低良率,更難找到原因,更復(fù)雜。有可能與模擬參數(shù)有關(guān),有可能與封裝有關(guān),也有可能與ESD失效有關(guān),所以往往要用到各種各樣的失效分析方式進(jìn)行分析。

對(duì)于很多公司來說,產(chǎn)品到了終測(cè)之后,就可以出貨給客戶了。但是有一些公司或者一些產(chǎn)品,在終測(cè)之后,還會(huì)做系統(tǒng)級(jí)測(cè)試(SLT,Systemleveltest,又叫Benchtest)。SLT是搭建實(shí)際系統(tǒng)應(yīng)用環(huán)境來測(cè)試。以手機(jī)芯片為例,可以搭建openphone模擬客戶的樣機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試甚至可以模擬客戶使用中可能遇到的各種問題,例如,手機(jī)信號(hào)的方向性問題以及電池低溫保護(hù)問題。這些測(cè)試在之前的CP和FT是無法測(cè)試到的。

當(dāng)然,SLT會(huì)更耗費(fèi)時(shí)間,所以可以采用定期抽測(cè)的方式進(jìn)行。

好吧,說了這么多,你可能要問了,芯片可以出貨了吧?其實(shí)還沒有講到質(zhì)量(QA)管控的問題。QA是一個(gè)大的體系包含各種驗(yàn)證,時(shí)間可能會(huì)很長(zhǎng)。但是QA的目的是保證產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性,而不是良率提升,所以有時(shí)候產(chǎn)品部門會(huì)覺得QA部門就是來找麻煩、來挑刺的!這個(gè)QA部門就像是專門試吃各種夾饃,而且還長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)個(gè)血糖、血壓啥的,一有異常就回來找夾饃店老板麻煩!質(zhì)量認(rèn)證,先不講了。留點(diǎn)懸念,回頭再請(qǐng)大牛來講一下哈!

回頭一看,居然說了這么多,別把大家說糊涂了!

簡(jiǎn)單總結(jié)一下吧,良率是用來表征肉夾饃的好壞的。生產(chǎn)工藝越完善、設(shè)計(jì)方法越先進(jìn),肉夾饃就越好吃,次品就越少而且吃了越不容易拉肚子。通過優(yōu)化測(cè)試方法來保證檢測(cè)率并同時(shí)降低成本:你是要狼吞虎咽,還是配涼皮、冰峰慢慢享用,這個(gè)就看你自己啦!只能說狼吞虎咽對(duì)腸胃不好,可是沒錢也別太講究!

除此之外,還有質(zhì)量部門的老兄虎視眈眈要找你抽血化驗(yàn)!

做一個(gè)合格的肉夾饃真不容易!

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原文標(biāo)題:關(guān)于肉夾饃和良率那點(diǎn)事兒

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    半導(dǎo)體工藝之生產(chǎn)力和工藝

    圓實(shí)際被加工的時(shí)間可以以天為單位衡量。但由于在工藝站點(diǎn)的排隊(duì)以及由于工藝問題導(dǎo)致的臨時(shí)減速,圓通常在制造區(qū)域停留數(shù)周。等待的時(shí)間越
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    半導(dǎo)體工藝之生產(chǎn)力和工藝<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>

    制造限制因素簡(jiǎn)述(2)

    相對(duì)容易處理,并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將斷裂降至低水平。然而,砷化鎵并不是那么堅(jiān)
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:39 ?363次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>限制因素簡(jiǎn)述(2)

    淺談?dòng)绊?b class='flag-5'>晶分選的因素(2)

    制造率部分討論的工藝變化會(huì)影響分選。
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    淺談?dòng)绊?b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>分選<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>的因素(2)

    制造限制因素簡(jiǎn)述(1)

    下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)列在第3列,累積列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:50 ?351次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>限制因素簡(jiǎn)述(1)