采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
281文章
4664瀏覽量
205984 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2730瀏覽量
62360 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1909瀏覽量
72685
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
利用LMG1210實現(xiàn)GaN半橋設(shè)計的散熱和功耗降低
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用LMG1210實現(xiàn)GaN半橋設(shè)計的散熱和功耗降低.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-14 10:13
?0次下載
SiC和GaN：新一代半導(dǎo)體能否實現(xiàn)長期可靠性?
近年來，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正
SiC MOS卓越性能的材料本源
來源：凌銳半導(dǎo)體 SiC MOS憑借其性能優(yōu)勢為越來越多的行業(yè)，如儲能，充電樁，光伏逆變器所采用。特別是在采用800V電池系統(tǒng)的新能源車中1
威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該產(chǎn)品以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計，
在GaN半橋電路中實現(xiàn)自舉過充預(yù)防
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在GaN半橋電路中實現(xiàn)自舉過充預(yù)防.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 08-29 09:42
?0次下載
微型逆變器性能躍升：SiC器件的關(guān)鍵作用
隨著光伏儲能技術(shù)的崛起，SiC器件已成為微型逆變器性能提升的關(guān)鍵。看SiC器件如何為光伏儲能帶來革命性的改變！ 編者按： 在當(dāng)今能源轉(zhuǎn)型的大
基于 GaN 的 MOSFET 如何實現(xiàn)高性能電機逆變器
，設(shè)計人員可以使用氮化鎵(GaN)來實現(xiàn)這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進和進步。G
PMP22089.1-配備 GaN 技術(shù)的半橋點負載轉(zhuǎn)換器 PCB layout 設(shè)計
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP22089.1-配備 GaN 技術(shù)的半橋點負載轉(zhuǎn)換器 PCB layout 設(shè)計.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 05-16 15:10
?0次下載
碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅(qū)動器研究
與保護問題，設(shè)計了一款驅(qū)動器。采用高可靠性、高抗擾性能的電源及驅(qū)動芯片設(shè)計驅(qū)動電路，增加共模電感提高驅(qū)動電路抗擾性能，設(shè)計短路保護電路實現(xiàn)對大電流短路故障的快速響應(yīng)。通過對
發(fā)表于 05-14 09:57
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和
什么是全橋逆變器？全橋逆變器的工作原理
全橋逆變器是一種H橋逆變器拓撲，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。轉(zhuǎn)換所需的元件是單相半
晶能微電子10億元SiC半橋模塊制造項目簽約嘉興
近日，浙江晶能微電子有限公司與嘉興國家高新區(qū)成功簽約，共同打造一項總投資約人民幣10億元的SiC半橋模塊制造項目。該項目由晶能微電子攜手星驅(qū)技術(shù)
設(shè)計SiC逆變器有哪些流程
。以下是設(shè)計SiC逆變器的一般流程： 需求分析：首先需要明確SiC逆變器的應(yīng)用需求，包括輸入電壓
同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析
工商網(wǎng)監(jiān)
評論