上方電子成功研制的首臺8.6代新型顯示PVD裝備，順利完成發(fā)貨

2019年5月7日，浙江上方電子裝備有限公司成功研制的首臺8.6代新型顯示PVD裝備，順利完成發(fā)貨。

上方電子首臺8.6代Array PVD設備發(fā)貨儀式

根據(jù)CINNO Research供應鏈調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，截止2018年底Thin Film設備(包含PVD,CVD等成膜設備)國產(chǎn)化滲透率幾乎為0%,其中PVD設備始終被ULVAC和AKT壟斷，韓國設備商IRUJA在韓國面板廠的扶持下逐漸打破壟斷，隨著上方電子首臺8.6代新型顯示PVD裝備順利完成發(fā)貨，標志著我國國產(chǎn)設備商亦開始打破壟斷，實現(xiàn)突破。

中國已成為全球顯示裝備的最大市場，加強磁控濺射PVD等關(guān)鍵工藝裝備的國產(chǎn)化配套，是我國顯示產(chǎn)業(yè)提升競爭力的關(guān)鍵。

上方自主設計并開發(fā)的8.6代Array PVD裝備，最大玻璃基板尺寸為2250mm×2600mm，采用旋轉(zhuǎn)陰極鍍膜技術(shù)，可實現(xiàn)薄膜沉積厚度非均勻性<5%，靶材利用率>80%。裝備已獲得國內(nèi)技術(shù)專利11項，具有生產(chǎn)工藝先進、性能穩(wěn)定、操作簡單、維護保養(yǎng)成本低等優(yōu)點。該裝備的研發(fā)，得到了國家發(fā)改委和工信部的裝備國產(chǎn)化項目立項支持。

上方電子8.6代Array PVD設備

PVD設備旋轉(zhuǎn)陰極鍍膜源

上方8.6代PVD裝備的交付，將進一步推動裝備國產(chǎn)化的進程，有助于全方位提升我國新型顯示產(chǎn)業(yè)競爭力。

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TFT LCD工藝介紹

在了解PVD設備前，我們首先了解一下液晶顯示器(TFT LCD)的結(jié)構(gòu)。

上圖為TFT LCD的結(jié)構(gòu)圖，整個器件由背光，TFT基板，液晶，CF基板，上下偏光片等構(gòu)成。其中，TFT基板上的薄膜晶體管器件(Thin Film Transistor)是控制液晶轉(zhuǎn)向的關(guān)鍵器件，相當于每一個顯示像素的開關(guān)的作用。

上圖即為一個經(jīng)典的五光罩TFT器件的結(jié)構(gòu)圖，它是一個由多層金屬薄膜，無機膜和半導體薄膜構(gòu)成的復雜結(jié)構(gòu)。這個結(jié)構(gòu)就是通過以下Array工藝制作出來的。

首先在超薄玻璃上使用CVD或者PVD制作薄膜，其中金屬層和ITO層由PVD制作, 絕緣層，半導體層等由CVD制作。然后通過黃光工藝(PHOTO)曝光設備制作我們需要的圖形，最后通過蝕刻(Etching)工藝將多余的部分去除，留下我們需要的圖形薄膜。這樣多次循環(huán)后就制作完成了我們需要的TFT器件。

因此，對于整個顯示半導體TFT工藝來說，核心設備即成膜設備(PVD,CVD),曝光設備和蝕刻設備。而這些核心設備技術(shù)一直掌握在國外廠商手中，正是這點始終制約了我國由顯示面板大國向顯示面板強國的轉(zhuǎn)變。

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PVD設備介紹

PVD即物理氣相沉積設備，是顯示半導體生產(chǎn)工藝中非常核心的成膜工藝設備。

下圖為PVD設備的工作原理圖。主要原理為通過高能粒子轟擊靶材使靶材發(fā)生濺射，濺射粒子在玻璃基板上沉積形成薄膜。

PVD的核心參數(shù)涉及到氣流控制，真空倉壓力控制，電源控制，玻璃溫度控制和磁場控制等。這些參數(shù)直接影響到成膜膜厚，成膜均勻度，金屬膜電阻率等關(guān)鍵性能，進而影響到TFT器件性能。因此，PVD設備是Array工藝中非常核心的關(guān)鍵設備，技術(shù)門檻非常高。

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關(guān)于上方電子裝備

浙江上方電子裝備有限公司是一家專注于高端電子裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品磁控濺射鍍膜設備、卷對卷柔性鍍膜設備及其相關(guān)服務，可廣泛應用于新型顯示、薄膜太陽能及電致變色玻璃領域。公司成立于2011年12月，注冊資金3.25億元，位于浙江紹興。

憑借性能穩(wěn)定、技術(shù)領先、高性價比等優(yōu)勢，公司設備產(chǎn)品受到客戶青睞，經(jīng)營業(yè)績持續(xù)快速增長。公司以客戶為中心，將持續(xù)為廣大客戶提供最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務。