0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤 采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)

電子工程師 ? 來源:yxw ? 2019-05-14 13:45 ? 次閱讀

西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車行業(yè)日益增長的存儲需求,為汽車制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商提供先進技術(shù)和更高容量,以支持更廣泛的汽車應(yīng)用產(chǎn)品,包括電子駕駛艙(e-cockpit)、人工智能AI)數(shù)據(jù)庫、ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))、先進信息娛樂系統(tǒng)以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù),產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND,以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長的容量需求。

Counterpoint Research 公司合伙人兼研究總監(jiān) Neil Shah 表示:“存儲是自動駕駛/車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域中發(fā)展最快的半導(dǎo)體應(yīng)用之一。先進車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)、人工智能(AI)以及傳感器驅(qū)動的自動駕駛系統(tǒng)都會產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù),需要在終端進行本地處理和存儲。到 2022 年,每輛車的平均存儲容量將超過2TB?!?/p>

曾經(jīng),高容量存儲往往用于地圖數(shù)據(jù)、應(yīng)用軟件和用戶信息存儲,而今高容量存儲開始在新一代汽車應(yīng)用中擴展其適用的范圍,包括行車數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)儀表、遠程通信網(wǎng)關(guān)、車用無線通信技術(shù)、高級駕駛輔助系統(tǒng)、人工智能和自動駕駛的計算。這種不斷增長的存儲趨勢要求閃存設(shè)計用于極端汽車環(huán)境(包括高達105oC 的溫度范圍),同時要滿足此類應(yīng)用在存儲質(zhì)量和可靠性上的要求。

西部數(shù)據(jù)公司 Device 部門高級總監(jiān) Oded Sagee 表示:“具有嚴格質(zhì)量和可靠性要求的高容量存儲正在迅速成為汽車行業(yè)的標準,而搭載 3D TLC NAND 技術(shù)的新款西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤,在設(shè)計上采用了能夠滿足新一代應(yīng)用需求的功能和規(guī)格。”

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤通過了IATF16949認證,符合AEC-Q100標準,并遵守ISO26262 NAND閃存安全機制指南,還囊括了專為密集型汽車工作負載而設(shè)計的豐富汽車功能,包括:

? 先進的運行狀況監(jiān)控

? 熱管理

? 自動和手動讀取刷新

? 強大的電源管理

? 數(shù)據(jù)保存性超過JEDEC標準

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤采用先進的數(shù)據(jù)保護和糾錯技術(shù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1667

    瀏覽量

    135933
  • 嵌入式閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    17

    瀏覽量

    12744
  • e.MMC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    7654
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    西部數(shù)據(jù)推出全新閃迪手機閃存盤產(chǎn)品組合

    西部數(shù)據(jù)公司旗下閃迪品牌手機閃存盤產(chǎn)品組合,于近日正式推出了適用于Lightning和USB Type-C?設(shè)備以及適用于USB Type-A和USB Type-C?設(shè)備的兩款閃迪?手機閃存盤
    的頭像 發(fā)表于 10-14 12:59 ?171次閱讀
    <b class='flag-5'>西部數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>推出</b>全新閃迪手機<b class='flag-5'>閃存盤</b>產(chǎn)品組合

    西部數(shù)據(jù)計劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù),估值或達數(shù)百億美元

    近日,西部數(shù)據(jù)宣布了一項重大戰(zhàn)略調(diào)整,計劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來,形成兩個獨立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注,Wedbush分析師馬特·布賴森對此進行了深入解讀。
    的頭像 發(fā)表于 08-22 15:06 ?598次閱讀

    NAND閃存是什么意思

    NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:57 ?1766次閱讀

    美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨

    知名存儲品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:11 ?593次閱讀

    鎧俠瞄準2027年:挑戰(zhàn)1000堆疊的3D NAND閃存新高度

    在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中,日本知名存儲芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結(jié)束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后,鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%,同時上周還公布了其令人矚目的3D
    的頭像 發(fā)表于 06-29 09:29 ?571次閱讀

    MWC 2024速遞丨押寶AI,產(chǎn)業(yè)巨頭激戰(zhàn)未來

    iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤尤為引人注目,成為業(yè)界首批通過ASPICE CL3認證的存儲解決方案。這款產(chǎn)品采用先進的112
    的頭像 發(fā)表于 06-28 23:41 ?276次閱讀
    MWC 2024速遞丨押寶AI,產(chǎn)業(yè)巨頭激戰(zhàn)未來

    西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲新紀元

    在當今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代,存儲技術(shù)的每一次革新都牽動著整個科技行業(yè)的神經(jīng)。近日,西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC
    的頭像 發(fā)表于 06-15 11:42 ?986次閱讀

    3D NAND閃存來到290,400+不遠了

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+ 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、
    的頭像 發(fā)表于 05-25 00:55 ?3457次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>來到290<b class='flag-5'>層</b>,400<b class='flag-5'>層</b>+不遠了

    SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案

    在智能手機技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機優(yōu)化的
    的頭像 發(fā)表于 05-11 10:14 ?398次閱讀

    三星即將量產(chǎn)290V-NAND閃存

    據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND閃存芯片。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:06 ?554次閱讀

    西部數(shù)據(jù)通知合作伙伴調(diào)漲閃存與硬盤產(chǎn)品價格

    西部數(shù)據(jù)表示,市場對閃存和硬盤產(chǎn)品的需求超出預(yù)期,這導(dǎo)致供應(yīng)緊張,電子產(chǎn)業(yè)所面臨的供應(yīng)鏈問題也加劇了供應(yīng)緊缺,本季度還將繼續(xù)對閃存和硬盤產(chǎn)品進行價格調(diào)整,部分變動將立即生效。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 09:36 ?329次閱讀

    西部數(shù)據(jù)調(diào)整NAND閃存和硬盤價格,因需求旺盛供應(yīng)不足

    已證實,西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函,宣布將對NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價格進行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明,稱市場需求遠超預(yù)期,導(dǎo)致供應(yīng)緊張,加劇了電子行業(yè)供應(yīng)鏈問題。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:33 ?523次閱讀

    鎧俠計劃2030-2031年推出3D NAND閃存,并開發(fā)存儲級內(nèi)存(SCM)

    目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218堆疊的BICS8 3D
    的頭像 發(fā)表于 04-07 15:21 ?615次閱讀

    西部數(shù)據(jù)分拆存儲業(yè)務(wù):閃存與傳統(tǒng)硬盤的分離

    自2021年起,西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜,以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而,2023年10月的合并協(xié)商陷入停滯,此后西部數(shù)據(jù)宣布,他們
    的頭像 發(fā)表于 03-06 16:57 ?711次閱讀

    提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術(shù)

    增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 203
    的頭像 發(fā)表于 11-30 10:20 ?835次閱讀
    提高<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>存儲密度的四項基本<b class='flag-5'>技術(shù)</b>