CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 推動碳化硅功率器件廣泛應用

各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術(shù)難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。

近年來，碳化硅功率器件憑借多方面的性能優(yōu)勢，在一些領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。同時，新能源汽車在全球各地快速發(fā)展，推動碳化硅器件的市場規(guī)模不斷擴大，目前國際頂級的特斯拉和豐田等車廠已開啟了碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的早期應用。然而，在汽車應用中，為了充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢，需要驅(qū)動器在耐高溫以及異常嚴苛的保護機制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來自比利時的高溫半導體解決方案領(lǐng)先廠商，擁有在航空航天、石油、汽車等多個高端領(lǐng)域驗證過的，應用超過10年的耐高溫、高可靠性、高魯棒性元器件及驅(qū)動器產(chǎn)品，可以使碳化硅功率模塊在系統(tǒng)中充分發(fā)揮性能，進而幫助提升新能源汽車的電力運轉(zhuǎn)水平和續(xù)航里程。

中科院電工所是以電氣科學與工程為學科方向的國立科研機構(gòu)，定位于電能領(lǐng)域的高新技術(shù)研發(fā)與電氣科學的前沿研究，在中國能源技術(shù)與電氣科學領(lǐng)域具有重要地位。中科院電工所在電動汽車領(lǐng)域有超過20年的研究歷史，承擔并完成了數(shù)十項國家、地方的電動汽車相關(guān)重要科技攻關(guān)任務，在中國率先開展了車用高功率密度電機驅(qū)動的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)，其產(chǎn)品和技術(shù)成功應用于北京市2008年奧運會、上海市2010年世博會等運行示范項目，在國際同行中享有很高的聲譽和廣泛的影響。近年來，中科院電工所在寬禁帶半導體方面率先開展研究，成功研發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的直接冷卻碳化硅混合功率模塊、新型間接冷卻膜電容組件和全碳化硅高功率密度驅(qū)動電機控制器樣機，功率密度和效率等部分關(guān)鍵指標方面達到國際領(lǐng)先水平。本次CISSOID公司和中科院電工所攜手研發(fā)高質(zhì)量的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)，將利用各自優(yōu)勢形成強大合力，助力中國新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更快、更好發(fā)展。

“2018年，中國新能源汽車產(chǎn)銷量均有大幅度增長，突破了125萬臺。這對中國碳化硅功率器件市場的發(fā)展有著極大的推動作用。中科院電工所近年來在新能源利用領(lǐng)域投入了大量的研發(fā)力量，新能源汽車就是其中非常的重要領(lǐng)域，此次與CISSOID公司合作研發(fā)的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)就是我們推動中國新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵一步?！敝锌圃弘姽に鶞匦褫x研究員表示?！靶履茉雌噷Ω咝?、小體積、耐高溫的碳化硅器件及其驅(qū)動器件有很強的需求，CISSOID公司多年來在高溫驅(qū)動器和高溫封裝方面的技術(shù)可以助力碳化硅器件在系統(tǒng)級上實現(xiàn)耐高溫、高能量密度，同時可極大地提高電控系統(tǒng)整體的可靠性?！?/p>

“中科院電工所是中國一流的研究機構(gòu)，他們在新能源汽車領(lǐng)域的研究與我們一拍即合。十分期待雙方的研究可以將碳化硅功率模塊的效率及能量密度推向新高。CISSOID將利用自己久經(jīng)驗證、享譽業(yè)界的高溫驅(qū)動芯片和高溫封裝設計團隊為本次研發(fā)合作提供大力支持，解決碳化硅器件應用的技術(shù)難題，使碳化硅功率模塊在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛而深入的應用。”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?！癈ISSOID非?？粗刂袊履茉雌囶I(lǐng)域的發(fā)展，同時十分注重與中國半導體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展，我們已經(jīng)融入了來自中國的投資，并在芯片制造、封裝測試等方面，開始與中國公司進行廣泛的合作。此次我們與中國頂級研究機構(gòu)共同開發(fā)則進一步體現(xiàn)了CISSOID以求廣泛融入中國半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的戰(zhàn)略?！?/p>

市場研究公司Yole Development的報告指出，在過去幾十年里，市場的需求、技術(shù)的進步及設計的改良等因素一直驅(qū)使功率半導體的平均結(jié)溫不斷上升，已由1980年的100℃增加了到2018年的150℃。這一現(xiàn)象一方面表明功率器件品質(zhì)和可靠性越做越好，另一方面也體現(xiàn)了整個行業(yè)對高功率密度的不斷追求。按其報告預測，對功率半導體的結(jié)溫要求在近幾年內(nèi)將很快達到并超過175℃。這與第三代半導體功率器件（碳化硅和氮化鎵）的普及，以及市場對高功率密度設計的需求直接相關(guān)。在新能源汽車領(lǐng)域亦是如此，采用碳化硅器件可以帶來頻率高、內(nèi)阻小等優(yōu)點，并充分提高能源效率，但是需要耐高溫驅(qū)動器的良好配合。此次CISSOID公司和中科院電工所的強強聯(lián)合，將利用業(yè)界領(lǐng)先的耐高溫驅(qū)動器件以充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢，為新能源汽車的發(fā)展提供強大助力。