華潤(rùn)微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”)首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市申請(qǐng)獲受理。
招股書(shū)顯示,華潤(rùn)微電子本次擬公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)2.93億股,公開(kāi)發(fā)行股份數(shù)量不低于本次發(fā)行后已發(fā)行股份總數(shù)的25%,擬募集資金30億元,用于傳感器和功率半導(dǎo)體等項(xiàng)目。
作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率器件廠商,華潤(rùn)微在經(jīng)過(guò)8年的之后,即將再度擁抱資本市場(chǎng),這無(wú)疑是讓人期待和興奮。目前華潤(rùn)微僅提交了招股說(shuō)明書(shū),還未進(jìn)入問(wèn)詢(xún)環(huán)節(jié),未有更多的信息細(xì)節(jié)披露。但是通過(guò)招股說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容,不妨讓我們先行了解這家富有傳奇色彩的中國(guó)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)頭羊。
根正苗紅的華潤(rùn)微電子
華潤(rùn)是一家賦有傳奇色彩的公司,是由偉大的中國(guó)社會(huì)主義經(jīng)濟(jì)建設(shè)的開(kāi)創(chuàng)者和奠基人之一的陳云一手主持建立起來(lái)。華潤(rùn)兩字中的“華”代表中國(guó),“潤(rùn)”取自***的字“潤(rùn)之”,蘊(yùn)含“中華大地,雨露滋潤(rùn)”的美好寓意,因此被譽(yù)為是根正苗紅的“紅色企業(yè)”。
根據(jù)招股說(shuō)明書(shū)披露,華潤(rùn)微電子有限公司是華潤(rùn)集團(tuán)半導(dǎo)體投資運(yùn)營(yíng)平臺(tái)。華潤(rùn)微電子被華潤(rùn)集團(tuán)(微電子)有限公司100%控股;華潤(rùn)集團(tuán)(微電子)有限公司又被華潤(rùn)(集團(tuán))有限公司100%控股;中國(guó)華潤(rùn)有限公司間接持有華潤(rùn)集團(tuán)的100%股權(quán),國(guó)務(wù)院國(guó)資委持有中國(guó)華潤(rùn)100%的股權(quán),因此國(guó)務(wù)院國(guó)資委是華潤(rùn)微電子的實(shí)際控制人。
目前華潤(rùn)微電子旗下包括多家子公司,包括華潤(rùn)半導(dǎo)體、無(wú)錫華潤(rùn)上華、華潤(rùn)芯功率、華潤(rùn)矽威、矽磐微電子、潤(rùn)科投資、迪思微電子、重慶華微、重慶潤(rùn)芯微、華潤(rùn)安盛、華潤(rùn)賽美科、華潤(rùn)華晶、華潤(rùn)矽科、華晶綜服等多家全資、控股子公司。如果按歷史沿革算,下屬相關(guān)經(jīng)營(yíng)主體曾改建并運(yùn)營(yíng)中國(guó)第一條4英寸晶圓生產(chǎn)線(原742廠和永川合并后后改名華晶電子并從德國(guó)西門(mén)子引入2-3微米的CMOS型4英寸線、1988年)、第一條完全自主的6英寸晶圓生產(chǎn)線(無(wú)錫華晶“908”工程、1995年),特別是無(wú)錫華晶,算的上當(dāng)代中國(guó)半導(dǎo)體制造的“黃埔軍?!?,目前半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)數(shù)百位杰出人物都曾在華晶工作過(guò)。
華潤(rùn)微電子的發(fā)展歷程可追溯至1999年。據(jù)招股書(shū)介紹,1999年陳正宇博士與中國(guó)華晶合作設(shè)立無(wú)錫華晶上華半導(dǎo)體有限公司(后改名為無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司)以運(yùn)營(yíng)一家6英寸MOS晶圓代工廠。2002年,華潤(rùn)集團(tuán)間接收購(gòu)中國(guó)華晶全部股權(quán),與陳正宇博士等人共同經(jīng)營(yíng)前述晶圓代工廠。
2003年,華潤(rùn)集團(tuán)和陳正宇博士為實(shí)現(xiàn)無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體等半導(dǎo)體資產(chǎn)在香港上市,經(jīng)過(guò)一系列重組將無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體等境內(nèi)公司權(quán)益置入CSMC(即發(fā)行人的前身),并以CSMC作為上市主體向香港聯(lián)交所申請(qǐng)上市。
于香港上市期間,華潤(rùn)集團(tuán)取得華潤(rùn)微電子控制權(quán)并將自身下屬的半導(dǎo)體資產(chǎn)和業(yè)務(wù)整合并入。后出于各種原因,華潤(rùn)微電子于2011年11月從香港聯(lián)交所私有化退市,直至8年后的現(xiàn)在,華潤(rùn)微電子借著科創(chuàng)板的東風(fēng),欲再創(chuàng)輝煌。
20年的時(shí)間,華潤(rùn)微電子已經(jīng)成為一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營(yíng)能力的半導(dǎo)體企業(yè),成為“中國(guó)芯”的一支重要力量。目前產(chǎn)品線聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域,為客戶(hù)提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案。
中國(guó)領(lǐng)先的功率器件企業(yè)
華潤(rùn)微電子作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的一支重要力量,也為“中國(guó)芯”做出了巨大的貢獻(xiàn),是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率器件廠商。
功率器件,又稱(chēng)為電子電力器件,是半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)最基礎(chǔ)最重要的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景。功率器件是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心;主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。
通俗理解,人類(lèi)通過(guò)各種功率器件對(duì)電能的控制、管理、利用等。
比如我們的日常用電是220V的,但是手機(jī)充電器是5V的,這中間就有一個(gè)降壓過(guò)程;同樣,為了遠(yuǎn)距離輸送電,需要高壓輸電,這里就有升壓的過(guò)程。此外因?yàn)閼?yīng)用端的需要,還有交直流電互相轉(zhuǎn)變過(guò)程,此外通過(guò)功率器件實(shí)現(xiàn)小電壓控制大電流等,這些都要依靠功率器件才能實(shí)現(xiàn)。
可以說(shuō),所有有電的地方,就有功率器件,人類(lèi)對(duì)電能控制、利用和管理,就是功率器件的發(fā)展歷史。
招股說(shuō)明書(shū)上披露:根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù),以銷(xiāo)售額計(jì),華潤(rùn)微電子在 2017 年中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)中排名第九,是前十名企業(yè)中唯一一家以 IDM 模式為主運(yùn)營(yíng)的半導(dǎo)體企業(yè)。以 2017年度銷(xiāo)售額計(jì),發(fā)行人是中國(guó)規(guī)模最大的功率器件企業(yè)。
不知道是不是筆誤,筆者實(shí)際查到是第6。
排在華潤(rùn)微電子前面的5家公司中,三星(中國(guó))主要為存儲(chǔ)芯片,中芯國(guó)際為純代工廠,SK海力士為存儲(chǔ)芯片,英特爾(大連)為存儲(chǔ)芯片,華虹為純代工廠,只有華潤(rùn)微是一家生產(chǎn)功率為主,毫無(wú)疑問(wèn)華潤(rùn)微電子確實(shí)是國(guó)內(nèi)功率器件制造第一。
注:由于聞泰科技旗下的安世半導(dǎo)體,主要生產(chǎn)環(huán)節(jié)都在國(guó)外,未將產(chǎn)能、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi),因此行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中并未統(tǒng)計(jì)。
從技術(shù)水平來(lái)看:
在功率器件領(lǐng)域,華潤(rùn)微電子均掌握了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、技術(shù)水平國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的核心技術(shù),如MOSFET、IGBT、SBD、FRD等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及制備技術(shù)、BCD工藝技術(shù)及MEMS工藝技術(shù)、功率封裝技術(shù)等,多項(xiàng)產(chǎn)品的性能及工藝居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。
其中,MOSFET 是華潤(rùn)微電子最主要的產(chǎn)品之一,是國(guó)內(nèi)營(yíng)業(yè)收入最大、產(chǎn)品系列最全的MOSFET 廠商。是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠提供 -100V 至 1500V 范圍內(nèi)低、中、高壓全系列 MOSFET 產(chǎn)品的企業(yè),也是目前國(guó)內(nèi)擁有全部主流 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)研發(fā)和制造能力的主要企業(yè),生產(chǎn)的器件包括溝槽柵 MOS、平面柵 VDMOS 及超結(jié) MOS 等,可以滿(mǎn)足不同客戶(hù)和不同應(yīng)用場(chǎng)景的需要。根據(jù) IHS Markit 的統(tǒng)計(jì),以銷(xiāo)售額計(jì),華潤(rùn)微在中國(guó) MOSFET 市場(chǎng)中排名第三,僅次于英飛凌與安森美兩家國(guó)際企業(yè),是中國(guó)最大的 MOSFET 廠商。
同時(shí)華潤(rùn)微電子還表示已經(jīng)掌握了Trench-FS(溝槽場(chǎng)截止型)型結(jié)構(gòu)的IGBT工藝技術(shù),這是第六代技術(shù)的IGBT。
這已經(jīng)是代表了中國(guó)最先進(jìn)的IGBT技術(shù)。第7代IGBT技術(shù) 為Channel-stop型,出現(xiàn)時(shí)間為2012年,主要專(zhuān)利都還掌握在國(guó)際巨頭手中,國(guó)內(nèi)廠商基本還未掌握。
從專(zhuān)利情況看:
截至2019年3月31日,華潤(rùn)微電子境內(nèi)專(zhuān)利申請(qǐng)共計(jì)2383項(xiàng),境外專(zhuān)利申請(qǐng)共計(jì)277項(xiàng);其已獲得授權(quán)的專(zhuān)利共計(jì)1274項(xiàng),包括境內(nèi)專(zhuān)利共計(jì)1130項(xiàng),境外專(zhuān)利共計(jì)144項(xiàng)。
從產(chǎn)能來(lái)看:
目前華潤(rùn)微電子晶圓工廠共有3條6英寸線,和2條8英寸線,以及封裝測(cè)試廠。
根據(jù)產(chǎn)能計(jì)算,6英寸247萬(wàn)片為等效8英寸約139萬(wàn)片,外加133萬(wàn)片的8英寸,合計(jì)等效8英寸272萬(wàn)片的產(chǎn)能,遠(yuǎn)超國(guó)內(nèi)其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,在國(guó)內(nèi)功率器件領(lǐng)域已經(jīng)無(wú)人出其左右。
產(chǎn)品線、工藝水平、產(chǎn)能、專(zhuān)利情況、以及產(chǎn)值情況來(lái)看,國(guó)內(nèi)功率器件第一確實(shí)實(shí)至名歸。
做功率必須是IDM?
從商業(yè)模式上看,華潤(rùn)微電子是典型的IDM企業(yè),即設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)均為自主完成。不光是華潤(rùn)微電子,國(guó)內(nèi)的華微電子、中車(chē)時(shí)代、士蘭微、揚(yáng)杰科技、蘇州固锝,捷捷微電;國(guó)外的英飛凌、羅姆、德州儀器、安森美、三菱、瑞薩等均為自主設(shè)計(jì),自主制造的IDM模式。
雖然這個(gè)行業(yè)也有“IC設(shè)計(jì)+晶圓代工”的組合比如國(guó)內(nèi)功率設(shè)計(jì)公司龍騰和華虹,但是絕大多數(shù)均為IDM模式,這是由行業(yè)特點(diǎn)所組成的。
1、功率半導(dǎo)體需求數(shù)量巨大,產(chǎn)能決定市場(chǎng)地位。
由于功率半導(dǎo)體都有標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)和性能,屬于標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品,而每個(gè)月代理商提貨量,以數(shù)十萬(wàn)、數(shù)百萬(wàn)顆計(jì),大規(guī)模統(tǒng)一生產(chǎn)的情況下,自家有工廠,產(chǎn)能才能有更多保障,產(chǎn)品夠豐富才能大舉開(kāi)拓市場(chǎng)。此外有工廠才有可能不斷優(yōu)化產(chǎn)品線,和調(diào)整工藝。如果沒(méi)有工廠,產(chǎn)品性能、差異化工藝、產(chǎn)能都將受到掣肘,在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中不容易占據(jù)優(yōu)勢(shì)。
不少大功率器件為垂直型器件,其顯著特征就是漏端(D)不在源端(S)和柵極(G)的同一平面上
2、工藝特殊性
功率半導(dǎo)體,特別是大功率器件基本多為垂直型器件,工藝也五花八門(mén),包括bipolar、DMOS等。DMOS下又分LDMOS、VDMOS等,和平面型的數(shù)字電路采用的CMOS完全不同。
每家公司對(duì)功率器件理解不一樣,所以會(huì)造出五花八門(mén)的結(jié)構(gòu)的器件。每家給出的摻雜區(qū)域和濃度,超級(jí)結(jié)深度、寬度,都完全不一樣,因此也決定了標(biāo)準(zhǔn)的工藝不能滿(mǎn)足每家公司的訴求。
因此制造工藝成了每家功率半導(dǎo)體的護(hù)城河。比如英飛凌的CoolMOSTM系列產(chǎn)品的超級(jí)結(jié)區(qū)是采用的是外延堆積法,這是英飛凌的獨(dú)門(mén)秘籍,并申請(qǐng)了專(zhuān)利保護(hù),別人就是知道也不能用,國(guó)內(nèi)的公司生產(chǎn)類(lèi)似的SJ-MOSFET多采用的深槽法,做出類(lèi)似的產(chǎn)品。
華潤(rùn)微電子募投項(xiàng)目是落后工藝?
目前華潤(rùn)微電子主力生產(chǎn)線是6英寸和8英寸,而募投項(xiàng)目也是8英寸。線寬也僅僅是0.35-0.11um。有人不禁要問(wèn)了,現(xiàn)在都是7nm時(shí)代,為什么還要投資這些比較落后的工藝?
功率器件和數(shù)字電路對(duì)線寬的需求完全不一樣!
數(shù)字電路追求單位面積內(nèi)的晶體管密度,以追求更強(qiáng)的性能來(lái)打敗對(duì)手,因此線寬越做越小,集成度越做越高,目前已經(jīng)有超過(guò)百億門(mén)的芯片誕生。
功率器件正好相反,功率器件在工作中,需要耐高壓、耐大電流,因此不能把線寬做太小,反而應(yīng)該做的更粗更寬,才能更好的承受大電流和高電壓的沖擊,不被大電壓和大電流擊穿,確保功率芯片保持穩(wěn)定性。因此華潤(rùn)微電子還是以6英寸、8英寸產(chǎn)線為主,最線寬也僅僅是0.35um-0.11um而已,這些生產(chǎn)數(shù)字電路是沒(méi)有優(yōu)勢(shì)的,但是做功率半導(dǎo)體,剛好對(duì)口。
從材料工藝角度而言,垂直型器件需要長(zhǎng)厚外延層,而且目前只有6英寸和8英寸可以生長(zhǎng)較厚的外延層(150um以上),而12英寸外延層一旦做厚,容易卷邊導(dǎo)致無(wú)法使用,因此8英寸線剛剛好。
從經(jīng)濟(jì)角度而言,目前8英寸一條線較為經(jīng)濟(jì)的建設(shè)方案也就20-30億元的投入,5-7年能收回投資成本;但一條12英寸線至少要100億元甚至更高的投入,至少要7-10年才能收回成本,相較之下12英寸線的運(yùn)營(yíng)壓力和風(fēng)險(xiǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于8英寸,所以不管?chē)?guó)內(nèi)外,功率器件主流廠商依然是押注8英寸,而非盲目擴(kuò)充12英寸。
募投項(xiàng)目成色如何?
根據(jù)招股書(shū)披露,這次申請(qǐng)科創(chuàng)板上市,華潤(rùn)微電子擬募集資金30億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目、前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品升級(jí)研發(fā)項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)并購(gòu)及整合項(xiàng)目、補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金。
其中第三、第四個(gè)項(xiàng)目,補(bǔ)充運(yùn)營(yíng)資金和產(chǎn)業(yè)并購(gòu)整合,屬于非定向,我們無(wú)從判斷。
前兩項(xiàng)募投項(xiàng)目,還是可以好好分析一番。
8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目是此次主要募投項(xiàng)目,華潤(rùn)微電子表示,募投項(xiàng)目主要聚焦功率半導(dǎo)體以及智能傳感器的戰(zhàn)略布局,通過(guò)完成基礎(chǔ)廠房和動(dòng)力設(shè)施建設(shè)推進(jìn)工藝技術(shù)研發(fā),提升8英寸BCD工藝平臺(tái)的技術(shù)水平并擴(kuò)充生產(chǎn)能力;同時(shí)建立8英寸MEMS工藝平臺(tái),完善外延配套能力,保持技術(shù)的領(lǐng)先性。
該項(xiàng)目總投資額為23.11億元,擬投入募集資金金額15億元,項(xiàng)目將在無(wú)錫現(xiàn)有的8英寸晶圓廠區(qū)和廠房?jī)?nèi)進(jìn)行擴(kuò)充實(shí)施。首期項(xiàng)目投產(chǎn)后,華潤(rùn)微電子計(jì)劃每月增加BCD和MEMS工藝產(chǎn)能約16000片。
品利基金判斷,而且對(duì)于項(xiàng)目表示一定的謹(jǐn)慎和疑慮。
首先23億投入僅16000片產(chǎn)能,略低于行業(yè)水準(zhǔn),偏少的產(chǎn)能會(huì)拉長(zhǎng)項(xiàng)目投入回報(bào)周期,一定時(shí)期內(nèi)不利于的公司業(yè)績(jī)表現(xiàn)。
其次、目前多數(shù)8英寸的主力生產(chǎn)設(shè)備早在十多年前便已停產(chǎn),市面上只能買(mǎi)到二手設(shè)備,但是由于歐美的8英寸產(chǎn)線近十年來(lái)并沒(méi)有大規(guī)模淘汰過(guò),因此市面上的二手設(shè)備非常難得,湊齊一條線也頗為不易,國(guó)產(chǎn)雖然有替代,但是目前還不能提供全套產(chǎn)線所需設(shè)備方案。存在“有錢(qián),但是搞不到設(shè)備”的情況,這也是不利于未來(lái)公司的業(yè)績(jī)表現(xiàn)的。
但是從產(chǎn)品角度而言,還是不錯(cuò)的。BCD工藝是一種主流的工藝,所生產(chǎn)的產(chǎn)品銷(xiāo)路基本不愁。
除了功率半導(dǎo)體之外,華潤(rùn)微電子也將發(fā)力MEMS 領(lǐng)域。但是很遺憾,目前列出的壓力傳感器、煙霧檢測(cè)傳感器、均屬于成熟市場(chǎng)、成熟產(chǎn)品,只有光電傳感器屬于較前端的產(chǎn)品。
在中國(guó)實(shí)施的TPMS(輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng))相關(guān)法規(guī)影響下,將有利于壓力傳感器的增長(zhǎng),但是目前整個(gè)汽車(chē)行業(yè)進(jìn)入寒冬,量?jī)r(jià)齊跌的情況下,不利于汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。雖然汽車(chē)的電氣化、電子化、電動(dòng)化是未來(lái)汽車(chē)發(fā)展的方向,整車(chē)將不斷提升“硅的含量”,但是短期內(nèi)的行業(yè)周期低谷期內(nèi),壓力傳感器存在一定壓力,中長(zhǎng)期可能才會(huì)慢慢好轉(zhuǎn)。
另外一個(gè)募投項(xiàng)目前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)項(xiàng)目,華潤(rùn)微電子表示將要投資6個(gè)億,重點(diǎn)支持碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體。SiC和GaN作為新一代半導(dǎo)體材料。在功率領(lǐng)域,SiC和GaN優(yōu)勢(shì)非常明顯(GaN還能用于光電和5G通訊),從下圖中可以看出,從智能電網(wǎng)到高鐵、到工業(yè)機(jī)電、新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子領(lǐng)域,采用SiC/GaN功率模組的情況下,明顯比硅基功率產(chǎn)品更省電、更低損耗、更節(jié)能、更小體積、更好的可靠性,優(yōu)勢(shì)十分明顯。
采用SiC/GaN 材料做成的功率器件,對(duì)比硅器件的具有明顯的提效、節(jié)能優(yōu)勢(shì)
Yole 2017年統(tǒng)計(jì),全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模僅3億美金,但是行業(yè)增速可能會(huì)超過(guò)40%預(yù)測(cè)到2025年能達(dá)到35億美金以上,相當(dāng)可觀,所以未來(lái)還是值得期待的。
但是想要將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)成果,預(yù)計(jì)還要再投入5-10億建設(shè)化合物半導(dǎo)體廠,這也是一筆不小的支出,同樣短期內(nèi)無(wú)法令公司業(yè)績(jī)?cè)錾虚L(zhǎng)期看好。
業(yè)績(jī)水平低于同行?
招股說(shuō)明書(shū)披露:在報(bào)告期內(nèi),2016-2018年,華潤(rùn)微電子的資產(chǎn)總額分別為74.11億元、96.21億元、99.02億元,分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入43.97億元、58.76億元、62.71億元,分別實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)分別為-3.03億元、7028.29萬(wàn)元、4.29億元。制造及服務(wù)業(yè)務(wù)的毛利率分別為9.91%、16.33%、18.57%,呈現(xiàn)持續(xù)上升的趨勢(shì),但是同行業(yè)可比公司平均值分別為22.16%、24.31%、33.45%,均低于同行業(yè)可比公司平均值,2018年甚至只有同業(yè)公司的一半。
品利基金認(rèn)為:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),特別是實(shí)體重資產(chǎn)投入的生產(chǎn)型項(xiàng)目,一直存在回本周期長(zhǎng),回報(bào)慢,前期虧損較大的特點(diǎn)。深究其原因,是因?yàn)榍捌诘馁Y本投入后產(chǎn)生的巨額的折舊。同時(shí)投產(chǎn)后,產(chǎn)能在初期處于爬坡階段,無(wú)法迅速達(dá)到滿(mǎn)產(chǎn)規(guī)模,因此前期的攤銷(xiāo)和折舊費(fèi)用像一座大山一樣壓著公司。這種情況一直要等到若干年后完成設(shè)備折舊以及產(chǎn)能爬坡完成后,利潤(rùn)水平才能慢慢恢復(fù)到正常狀態(tài),這是行業(yè)特征。
正常的情況下,8英寸產(chǎn)線一般第5年才能達(dá)到盈虧平衡,第6年開(kāi)始盈利,前提還必須是產(chǎn)能爬坡順利,良率水平良好,同時(shí)趕上行業(yè)景氣周期。如果以上幾個(gè)條件有一條不滿(mǎn)足,盈利期就要往后推。不過(guò)幸運(yùn)的是,華潤(rùn)微電子在的功率半導(dǎo)體方面已經(jīng)耕耘多年,又是擴(kuò)產(chǎn)成熟的產(chǎn)品,無(wú)需擔(dān)心工藝,良率等問(wèn)題,只要不出大差錯(cuò),一般幾年后都能順利進(jìn)入盈利期,確定性還是比較高的。
華潤(rùn)微電子也解釋當(dāng)前利潤(rùn)水平較低是因?yàn)榍捌谕度氪?。綜合判斷,未來(lái)完成設(shè)備折舊期后,應(yīng)該能提升到行業(yè)平均水平,值得期待。
警惕行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)
由于2019經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)存在的不確定性。國(guó)際半導(dǎo)體機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)都較為悲觀,普遍看低整個(gè)市場(chǎng)的表現(xiàn)水平,普遍預(yù)測(cè)2019年增長(zhǎng)應(yīng)該超過(guò)-10%。因此無(wú)論是世界巨頭,還是中國(guó)領(lǐng)先企業(yè),都感覺(jué)到絲絲涼意。
幸運(yùn)是的華潤(rùn)微電子主業(yè)聚焦于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,這塊領(lǐng)域的波動(dòng),小于其他存儲(chǔ)器件,邏輯、處理器等產(chǎn)品市場(chǎng)。因此還是看好華潤(rùn)微電子能順利渡過(guò)行業(yè)冷周期。
未來(lái)的行業(yè)增長(zhǎng)點(diǎn),還是在900V以上的高壓市場(chǎng)。這點(diǎn)對(duì)于掌握第6代IGBT技術(shù)的華潤(rùn)微電子而言,是值得期待的。
全球及中國(guó)大陸功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模分析(來(lái)源:Yole、IHS、Gartner、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)、賽迪顧問(wèn),單位:億美元)
正視差距,努力追趕
作為中國(guó)功率半導(dǎo)體的龍頭企業(yè),在國(guó)內(nèi)已經(jīng)屬于“大哥”,但是拿到國(guó)際上和國(guó)外大公司相比,華潤(rùn)微電子則屬于“小弟”。
英飛凌、羅姆、德州儀器、瑞薩、恩智浦、意法半導(dǎo)體、安森美、三菱、ABB、富士等無(wú)論是產(chǎn)品水平、產(chǎn)能都遠(yuǎn)超國(guó)內(nèi)公司,幾乎壟斷了高壓大功率的IGBT、MOSFET、以及IPM和功率模組高端市場(chǎng)。
如消費(fèi)領(lǐng)域?yàn)槲鏖T(mén)子、安森美的天下;中等電壓的工業(yè)級(jí)市場(chǎng)基本被ABB、英飛凌、三菱電機(jī)所把持;而在3300V以上高電壓領(lǐng)域,更是被英飛凌、ABB、三菱電機(jī)三家所壟斷;在大功率溝槽技術(shù)方面,也為英飛凌、三菱電機(jī)等壟斷。
包括華潤(rùn)微電子在內(nèi)的國(guó)內(nèi)廠商還停留在中低壓的中小功率領(lǐng)域,少有高端產(chǎn)品面世。
另外一塊MEMS領(lǐng)域,華潤(rùn)微電子未來(lái)也存在較大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。光學(xué)MEMS的德州儀器是無(wú)可爭(zhēng)議的老大;射頻MEMS的博通獨(dú)霸全球市場(chǎng);慣性MEMS和壓力MEMS的世博和博通,意法半導(dǎo)體打的火熱,華潤(rùn)微電子在這個(gè)領(lǐng)域還只是一個(gè)新手,短期內(nèi)難言大發(fā)展。
正視差距,厚積薄發(fā),努力追趕,這是作為“根正苗紅”的中國(guó)功率半導(dǎo)體的龍頭公司華潤(rùn)微電子所肩負(fù)的使命,中國(guó)需要一家技術(shù)、產(chǎn)能、產(chǎn)品足以抗衡國(guó)外功率巨頭的公司,保證不被國(guó)外公司“卡脖子”。在中國(guó)逐漸成為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)情況下,華潤(rùn)微電子如能發(fā)揮主場(chǎng)作戰(zhàn)優(yōu)勢(shì),兌現(xiàn)自身的成長(zhǎng)性,還是值得期待的。
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原文標(biāo)題:科創(chuàng)板將再迎重量級(jí)選手,功率“大哥”華潤(rùn)微8年后回歸A股!
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