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摩爾學(xué)堂

文章:43 被閱讀:8.5w 粉絲數(shù):7 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):6

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什么是LDO?淺析低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 中的噪聲及電源抑制比

在本文中,我們將介紹低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器中噪聲和電源抑制比 (PSRR) 的影響。讓我們簡單討....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 03-15 17:12 ?2550次閱讀
什么是LDO?淺析低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 中的噪聲及電源抑制比

一篇看懂LDO的工作原理及其設(shè)計(jì)LDO應(yīng)注意的問題

LDO是Low Dropout Regulator的縮寫,意思是低壓差線性穩(wěn)壓器,LDO是用來做什么....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 03-08 15:48 ?9803次閱讀
一篇看懂LDO的工作原理及其設(shè)計(jì)LDO應(yīng)注意的問題

設(shè)計(jì)雙邊射頻放大器以實(shí)現(xiàn)最大增益的方法

本文介紹了設(shè)計(jì)雙邊射頻放大器以實(shí)現(xiàn)最大增益的方法。在單邊設(shè)計(jì)方法中,可以使用單邊品質(zhì)因數(shù)(U)來評估....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 12-07 10:21 ?1037次閱讀
設(shè)計(jì)雙邊射頻放大器以實(shí)現(xiàn)最大增益的方法

設(shè)計(jì)單向射頻放大器時(shí)增益分析的重要性

本文介紹了在設(shè)計(jì)單向射頻放大器時(shí)增益分析的重要性。首先,在低頻放大器的分析相對簡單,因?yàn)椴恍枰紤]信....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 12-05 10:02 ?898次閱讀

一文詳解MOSFET的非理想特性

MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面,包括電容、體....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 11-16 16:15 ?1582次閱讀
一文詳解MOSFET的非理想特性

MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 11-15 09:30 ?7012次閱讀
MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

如何利用相位噪聲分析程序和傳遞函數(shù)來降低鎖相環(huán)的輸出相位噪聲?

本文是關(guān)于相位噪聲建模、仿真和傳播在鎖相環(huán)中的應(yīng)用的第三部分。文章介紹了相位噪聲的理論和測量方法,并....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-27 11:42 ?1379次閱讀
如何利用相位噪聲分析程序和傳遞函數(shù)來降低鎖相環(huán)的輸出相位噪聲?

關(guān)于相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計(jì)和分析

本篇文章是關(guān)于相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計(jì)和分析,重點(diǎn)討論了相位噪聲和頻率噪聲的測量、建模和....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-26 15:30 ?1272次閱讀
關(guān)于相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計(jì)和分析

為什么我們需要SERDES?SERDES的優(yōu)點(diǎn)有哪些?

盡管設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很復(fù)雜,SERDES 已成為 SoC 模塊不可或缺的一部分。隨著 SERDES IP ....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-23 14:44 ?1213次閱讀
為什么我們需要SERDES?SERDES的優(yōu)點(diǎn)有哪些?

為什么要進(jìn)行正弦直方圖測試?正弦直方圖方法測試模數(shù)轉(zhuǎn)換器

使用正弦直方圖測試方法可以確定模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)的參數(shù),并優(yōu)于線性斜坡直方圖測試方法。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-22 15:58 ?1895次閱讀
為什么要進(jìn)行正弦直方圖測試?正弦直方圖方法測試模數(shù)轉(zhuǎn)換器

SerDes:串行和并行通信有何區(qū)別?

SerDes(Serialization/Deserialization)是一種在數(shù)字通信系統(tǒng)中提供....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-20 15:31 ?1504次閱讀
SerDes:串行和并行通信有何區(qū)別?

開關(guān)穩(wěn)壓器的電流模式控制詳解

電壓模式控制通過將輸出電壓反饋到誤差放大器來控制輸出電壓,而CMC則通過采樣電感電流來控制輸出電壓。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-19 10:58 ?1377次閱讀
開關(guān)穩(wěn)壓器的電流模式控制詳解

深入理解SerDes系列之三

抖動是指信號的跳邊時(shí)刻偏離其理想(ideal)或者預(yù)定(expected)時(shí)刻的現(xiàn)象。噪聲,非理想的....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-18 15:52 ?599次閱讀
深入理解SerDes系列之三

直方圖測試模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)介紹

直方圖測試是確定模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)靜態(tài)參數(shù)的最流行方法之一。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-17 15:58 ?1853次閱讀
直方圖測試模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)介紹

SerDes是怎么設(shè)計(jì)的?(二)

接收端均衡器的目標(biāo)和發(fā)送均衡器是一致的。對于低速(<5Gbps)SerDes,通常采用連續(xù)時(shí)間域,線性均衡器實(shí)現(xiàn)如尖峰放大器(peaking amplifier), 均衡器對高頻分量的增益大于對低頻分量的增益。圖2.8為一個(gè)線性均衡器的頻域特性。通常工廠會對均衡特性封裝為數(shù)種級別,可以動態(tài)設(shè)置,以適應(yīng)不同的信道特性,如High/Med/Low等。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-16 16:18 ?752次閱讀
SerDes是怎么設(shè)計(jì)的?(二)

SerDes是怎么設(shè)計(jì)的?(一)

FPGA發(fā)展到今天,SerDes(Serializer-Deserializer)基本上是器件的標(biāo)配....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 10-16 14:50 ?1141次閱讀
SerDes是怎么設(shè)計(jì)的?(一)

用模擬芯片取代數(shù)字芯片?

IBM 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建的設(shè)計(jì)可以在每個(gè)芯片上編碼 3500 萬個(gè)相變存儲設(shè)備;換句話說,模型具有多達(dá) ....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 08-28 15:38 ?853次閱讀

伺服環(huán)路ADC測試的基礎(chǔ)知識介紹

伺服環(huán)路測試可以確定模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 傳遞函數(shù)。本文將介紹伺服環(huán)路 ADC 測試的基礎(chǔ)知識,并....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 08-21 15:33 ?1251次閱讀
伺服環(huán)路ADC測試的基礎(chǔ)知識介紹

GPT-4已經(jīng)會自己設(shè)計(jì)芯片了嗎?

? GPT-4已經(jīng)會自己設(shè)計(jì)芯片了!芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的一個(gè)老大難問題HDL,已經(jīng)被GPT-4順利解決。并....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 06-20 11:51 ?833次閱讀
GPT-4已經(jīng)會自己設(shè)計(jì)芯片了嗎?

振蕩器頻率對系統(tǒng)性能參數(shù)的影響

繼續(xù)深入研究一個(gè)可以產(chǎn)生負(fù)電源電壓的簡單SPICE電路,我們將考慮振蕩器頻率對系統(tǒng)性能參數(shù)的影響。 ....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 06-19 09:32 ?1180次閱讀
振蕩器頻率對系統(tǒng)性能參數(shù)的影響

LTspice負(fù)壓電荷泵的振蕩器頻率分析

繼續(xù)深入研究一個(gè)可以產(chǎn)生負(fù)電源電壓的簡單SPICE電路,我們將考慮振蕩器頻率對系統(tǒng)性能參數(shù)的影響。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 06-19 09:31 ?1614次閱讀
LTspice負(fù)壓電荷泵的振蕩器頻率分析

如何使用Y因子方法測量噪聲系數(shù)(NF)

了解如何使用 Y 因子方法測量噪聲系數(shù) (NF)。我們將深入研究如何使用它來查找噪聲因子、如何校準(zhǔn)噪....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 06-12 10:07 ?2743次閱讀
如何使用Y因子方法測量噪聲系數(shù)(NF)

如何使用Y因子方法來查找噪聲因子呢?

NF 指標(biāo)使我們能夠表征 RF 組件和系統(tǒng)的噪聲性能。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 06-12 10:07 ?1033次閱讀
如何使用Y因子方法來查找噪聲因子呢?

芯片設(shè)計(jì)流程概要

芯片設(shè)計(jì)過程是一項(xiàng)復(fù)雜的多步驟工作,涉及從初始系統(tǒng)規(guī)格到制造的各個(gè)階段。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 06-05 10:03 ?1618次閱讀
芯片設(shè)計(jì)流程概要

抗混疊濾波器:將采樣理論應(yīng)用于ADC設(shè)計(jì)

本文研究了奈奎斯特-香農(nóng)采樣定理的一個(gè)重要方面,并解釋了它與模數(shù)轉(zhuǎn)換中抗混疊濾波器需求的聯(lián)系。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 05-19 15:17 ?3245次閱讀
抗混疊濾波器:將采樣理論應(yīng)用于ADC設(shè)計(jì)

頻域中的奈奎斯特-香農(nóng)定理

在上一篇介紹奈奎斯特-香農(nóng)定理的文章中,我們看到當(dāng)以每個(gè)周期不提供至少兩個(gè)樣本的頻率對波形進(jìn)行采樣時(shí)....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 05-18 11:02 ?1292次閱讀
頻域中的奈奎斯特-香農(nóng)定理

奈奎斯特-香農(nóng)定理:了解采樣系統(tǒng)

奈奎斯特采樣定理,或更準(zhǔn)確地說是奈奎斯特-香農(nóng)定理,是支配混合信號電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基本理論原則。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 05-16 14:11 ?4088次閱讀
奈奎斯特-香農(nóng)定理:了解采樣系統(tǒng)

高速ADC的單事件效應(yīng)(SEE):單事件閂鎖(SEL)

今天我們將專門研究高速 ADC 以及可以觀察到的單事件效應(yīng)。我計(jì)劃在接下來的幾篇博客中深入探討這些單....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 05-09 15:10 ?1968次閱讀
高速ADC的單事件效應(yīng)(SEE):單事件閂鎖(SEL)

一文了解RF噪聲系數(shù)規(guī)范

仔細(xì)查看 RF 噪聲系數(shù)的定義并討論一些細(xì)微之處,以幫助避免對該規(guī)范的錯誤解釋。
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 05-09 09:38 ?1039次閱讀
一文了解RF噪聲系數(shù)規(guī)范

高速ADC的單事件效應(yīng)(SEE):單事件瞬態(tài)(SET)

在上一篇文章中討論,高速 ADC 的單粒子效應(yīng) (SEE):單粒子閂鎖 (SEL),我們通過觀察閂鎖....
的頭像 摩爾學(xué)堂 發(fā)表于 05-08 11:52 ?2060次閱讀
高速ADC的單事件效應(yīng)(SEE):單事件瞬態(tài)(SET)