電子發(fā)燒友App
IGBT靜態(tài)特性與參數(shù)及電路圖
- IGBT(240044)
相關(guān)推薦
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)解決方案
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。
2023-09-19 14:57:28
205
205
IGBT模塊機械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)
? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)，包括絕緣耐壓、主端子電阻、雜散電感、直流電壓能力。 絕緣耐壓 為了評定IGBT模塊的額定絕緣電壓值，將所有
2023-09-08 08:58:00581
581
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:541161
1161
充電器DP4021芯片內(nèi)置60V 功率MOSFET-dp4021應(yīng)用電路圖
供應(yīng)充電器DP4021芯片內(nèi)置60V 功率MOSFET，提供dp4021應(yīng)用電路圖關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-15 17:07:28
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、
航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換…等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。
半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數(shù)能否達到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)
2023-02-24 10:25:56
1
1IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可測項目有哪些
普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，
電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件
2023-02-23 10:05:521
1IGBT靜態(tài)參數(shù)測試
EN-3020C系統(tǒng)是專為測試IGBT而設(shè)計。聯(lián)系易恩電氣：152 4920 2572 .能夠真實準(zhǔn)確測試出IGBT與二極管的靜態(tài)參數(shù)：其測試范圍如下：?柵極-發(fā)射極漏電流測試單元 IGESF
2023-02-23 09:16:5610
10igbt保護電路原理圖
igbt保護電路短路保護電路的設(shè)計:由對圖1所示電路的分析,可以得到igbt短路保護電路的原理更詳細請查看：新型IGBT短路保護電路的設(shè)計
2008-10-21 01:19:56
igbt驅(qū)動電路圖
igbt驅(qū)動電路圖 典型的IGBT驅(qū)動電路 如圖為典型的IGBT驅(qū)動電路圖。電路以混合IC?EXB840驅(qū)動模塊和外圍元器件組成。驅(qū)動信號輸入接SPWM控制電路輸出端。過流信號輸出端接SPWM
2023-02-06 10:40:308422
8422
功率器件靜態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測試項目和指標(biāo)
PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件
2022-07-14 16:35:411281
1281靜態(tài)斷路器的電路圖
這是靜態(tài)斷路器的電路圖。很多時候，當(dāng)任何電源設(shè)備（如電熨斗）打開或關(guān)閉時，您一定聽到揚聲器發(fā)出不想要的尖銳聲音。
2022-06-23 16:42:081286
1286
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢？IGBT模組靜態(tài)參數(shù)測試需要的儀器是一系列的
2021-11-16 17:17:301797
1797IGBT工作中的特性以及IGBT的動態(tài)特性的介紹
IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315428
5428IGBT主要參數(shù),IGBT驅(qū)動電路
IGBT是電壓控制型器件，它只有開關(guān)特性（通和斷兩種狀態(tài)），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導(dǎo)元件，以MOS管為驅(qū)動元件的達林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 10:17:0034536
34536IGBT模塊動態(tài)參數(shù)的詳細資料說明
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024
24lm324工作原理_引腳圖功能_特性參數(shù)_內(nèi)部電路及應(yīng)用電路
主要介紹了lm324工作原理_引腳圖功能_特性參數(shù)_內(nèi)部電路及應(yīng)用電路。由于LM324四運放電路具有電源電壓范圍寬，靜態(tài)功耗小，可單電源使用，價格低廉等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用在各種電路中。
2017-12-09 10:27:01192626
192626
學(xué)習(xí)電路圖的方法與技巧
本書是一部關(guān)于電路圖的實用方法與技巧指導(dǎo)用書,內(nèi)容包括:概述、元器件結(jié)構(gòu)原理與特性、電路圖例、電路識圖、典型電路原理分析、實用電路原理分析、元器件的參數(shù)計算、電路參數(shù)計算的方法與技巧等。
2016-04-25 17:07:5344
44BCD碼輸出靜態(tài)顯示電路圖
BCD碼輸出靜態(tài)顯示電路圖如下圖所示。CD4511是BCD碼七段共陰譯碼/驅(qū)動IC; 4511是4線-7段鎖存/譯碼/驅(qū)動電路，能將BCD碼譯成7段顯示符輸出。圖中：4511 ABCD為0～9二進制數(shù)輸入端(A是低位)，
2012-07-31 11:33:007366
7366
8051單片機典型接口電路--并行擴展靜態(tài)顯示電路圖
下圖為并行擴展靜態(tài)顯示電路圖（3位LED靜態(tài)顯示電路），按下圖編制顯示子程序，顯示數(shù)(255)存在內(nèi)RAM 30H中。 相應(yīng)的程序為： DIR1: MOV A,30H ;讀顯示數(shù) MOV B,#100 ;置除數(shù) DIV AB ;產(chǎn)生百位顯
2012-07-30 13:26:113687
3687
無靜態(tài)耗能延時開關(guān)電路圖
無靜態(tài)耗能延時開關(guān)電路圖：所示的電路中，當(dāng)手觸摸金屬片A時，感應(yīng)信號經(jīng)R1加至IC1的同相輸入端，IC1輸出高電平，IC2也輸出高電平，SCR被觸發(fā)導(dǎo)通。
2007-12-13 22:43:30536
536
工商網(wǎng)監(jiān)
評論