? ? ??IGBT的四個主要參數 ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個
2024-03-22 08:37:29
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基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應用方除性能參數外最為關注的，也是特性參數測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應用可靠性的基礎。廣電計量擁有業(yè)界領先的專家團隊及先進
2024-03-13 16:26:07
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應用于各種高壓高電流的電力電子設備中。IGBT選型是指根據特定應用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12257 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種在功率電子領域中廣泛使用的半導體器件，用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉換。IGBT對驅動電路的要求
2024-03-12 15:27:38208 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導體功率開關器件。在工業(yè)和電力領域廣泛應用，常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實參數？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發(fā)送兩個脈沖信號并分析其響應
2024-02-18 09:29:23232 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 常用的變頻器檢測方法靜態(tài)測試和動態(tài)測試? 變頻器是一種電力調節(jié)裝置，可以實現對電動機的調速和節(jié)能。在使用變頻器時，經常需要對其進行檢測，以確保其正常工作。常用的變頻器檢測方法主要包括靜態(tài)測試和動態(tài)
2024-02-01 15:47:24607 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性器件，結合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢，既具有IGFET（Insulated Gate
2024-02-01 13:59:45449 ; QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求檢測項目試驗類型試驗項??損分析X 射線透視、聲學掃描顯微鏡、?相顯微鏡電特性/電性定位分析電參數測試、IV&a
2024-01-29 22:40:29
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，結合了絕緣柵場效應晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點。IGBT被廣泛應用于電力
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導體器件，它的特點是結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場畸變有關。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制，因此是器件質量和可靠性的良好指標，也可以驗證過程控制的有效性。
2024-01-17 09:57:17135 
IGBT是一種高性能功率半導體器件，常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構成。它結合
2024-01-12 14:43:521681 設計充電臺燈你需要關注的重要測試參數：不同電池SoC下最高檔模式下的流明與時間；UI指示器顏色“Flip Flop”；電池SoC變化時的軟啟動驗證
2024-01-09 23:33:3292 2N6509是一種可控硅(也被稱為晶閘管)器件，主要用于電力和電子設備中的變流器、逆變器等電路中。測試2N6509的好壞需要考慮多個關鍵因素，例如靜態(tài)和動態(tài)特性測試、封裝和連接測試等。以下介紹
2023-12-27 10:34:03182 或性能下降的情況下，其運行的工作電壓和電流條件。實際上，不僅需要在安全工作區(qū)內使用IGBT、SiC、GaN等開關器件，而且還需對其所在區(qū)域進行溫度調降。通常安全工作區(qū)分為正向偏置工作區(qū)（FBSOA）和反向偏置工作區(qū)（RBSOA），分別定義
2023-12-20 09:55:02118 
如何使用頻譜分析儀測試晶振參數？ 頻譜分析儀是一種常用于測試和分析信號頻譜特性的儀器，主要用于測量和分析各種信號的頻率、幅度和相位等參數。在測試晶振參數時，頻譜分析儀可以幫助我們了解晶振的頻率穩(wěn)定度
2023-12-18 14:16:16398 IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管
2023-12-08 15:49:06573 
這篇文章是英飛凌工業(yè)半導體微信公眾號系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數據手冊參數解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數據手冊參數解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應用中
2023-12-01 15:48:31
IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關參數。
2023-11-24 16:36:421608 
通常我們對某款IGBT的認識主要是通過閱讀相應的datasheet，數據手冊中所描述的參數是基于一些已經給定的外部參數條件測試得來的，而實際應用中的外部參數都是個性化的，往往會有所不同，因此這些參數有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:05683 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實現電能的轉換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學習IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
IGBT的RCD緩沖電路各元件參數選擇？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導體器件。它由一對PNP
2023-11-20 17:05:44545 電子發(fā)燒友網站提供《隔離驅動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:590 為什么需要芯片靜態(tài)功耗測試？如何使用芯片測試工具測試芯片靜態(tài)功耗？ 芯片靜態(tài)功耗測試是評估芯片功耗性能和優(yōu)化芯片設計的重要步驟。在集成電路設計中，靜態(tài)功耗通常是指芯片在不進行任何操作時消耗的功率
2023-11-10 15:36:271117 IGBT動態(tài)測試參數有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于各種高能效的電力電子設備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 對比不同IGBT的參數及性能；
獲取IGBT開通和關斷過程的參數；
評估驅動電阻是否合適；
開通和關斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32786 
開關器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設備中。IGBT短路測試是在IGBT生產和維修過程中常用的一項關鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關器件，優(yōu)勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應用于乘用車、光伏和風電能源領域。
2023-11-08 11:49:33282 聯(lián)訊儀器WAT 半導體參數測試系統(tǒng)基于自主研發(fā)pA/亞pA高精度源表，半導體矩陣開關，高電壓半導體脈沖源，3500V高壓源表等基礎儀表，掌握核心技術，通過優(yōu)化整機軟硬件設計，進一步提高系統(tǒng)精度，提升
2023-11-06 16:27:57467 
IGBT是新型功率半導體器件中的主流器件，已廣泛應用于多個產業(yè)領域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 電子發(fā)燒友網站提供《基于IGBT器件的直流充電機充電裝置設計.pdf》資料免費下載
2023-10-23 10:20:290 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強大的電力開關元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應用中。IGBT的前向導通特性類似于單晶體管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561075 igbt可以反向導通嗎？如何控制igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 導通條件 IGBT的導通需要滿足以下三個條件： 1. 高驅動電壓：IGBT的導通需要在門極和漏極之間建立一定的電
2023-10-19 17:08:028161 年
業(yè)務模式：模組
簡介：寧波達新半導體有限公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷售，并提供相關的應用解決方案。公司總部位于浙江省余姚市，建有國內領先的測試
2023-10-16 11:00:14
隨著科學技術的發(fā)展，MCU芯片因其強大功能被廣泛應用，尤其是成為汽車領域的核心電子元器件?，F如今車規(guī)應用要求更加嚴格，對于車載mcu芯片測試的要求也變得嚴苛。那么mcu芯片需要測試哪些項目呢？
2023-10-12 15:11:45667 
半導體動態(tài)測試參數是指在交流條件下對器件進行測試，是確保半導體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據。動態(tài)測試參數主要有開關時間、開關損耗、反向恢復電流、開關電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 
半導體靜態(tài)測試參數是指在直流條件下對其進行測試，目的是為了判斷半導體分立器件在直流條件下的性能，主要是測試半導體器件在工作過程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導體測試系統(tǒng)采用軟硬件架構為測試工程師提供整體解決方案，此系統(tǒng)可程控，可以實現隨時隨地測試，移動端也可實時監(jiān)控測試數據情況。
2023-10-10 15:05:30415 IGBT是如今被廣泛應用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數是IGBT模塊測試一項重要內容，IGBT動態(tài)測試參數是評估IGBT模塊開關性能的重要依據。其動態(tài)測試參數主要有：主要參數有開關參數、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
通過目視檢查、測量電氣參數、評估柵極驅動和開關特性以及在應力條件下進行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關 IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估，建議進行柵極驅動測試、開關性能分析等額外測試。
2023-10-09 14:20:02798 
軟件即可完成靜態(tài)功耗的測量，不同參數的配置與儀器操作完全由軟件完成，無需人工修改參數與讀取記錄數據，可以一次對多個芯片進行同時測量。
2023-10-08 15:30:25492 
電源并不是一個簡單的小盒子，它相當于有源器件的心臟，源源不斷的向元器件提供能量。電源的好壞，直接影響到元器件的性能。電源的設計、制造及品質管理等測試需要精密的電子儀器設備來模擬電源供應器實際工作時之各項特性（即為各項規(guī)格），在驗證通過后才能投入使用。
2023-10-08 12:00:44276 就是是德-B1500A維修情況 ? 是德半導體器件參數分析儀B1500A電源損壞無法開機維修 一、半導體器件參數分析儀維修型號：是德-B1500A。 二、報修故障：儀器內部工作電源損壞，造成儀器無法開機。 三、故障檢測：儀器缺縮放旋鈕，進入測試界面提
2023-09-28 16:33:50525 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成，是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件，是實現電能轉換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103335 
IGBT靜態(tài)參數測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數表征和測試需求。
2023-09-19 14:57:28499 
在能源問題日益突出的現代，以IGBT為代表的功率半 導體器件以其優(yōu)良的能效轉換性能廣發(fā)應用于功率電子領域。正確的IGBT測試技術,不僅能準確的測量IGBT各項電氣指標，而且可以盡可能降低IGBT
2023-09-18 12:06:22320 IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 了性能各異的IGBT產品。為了優(yōu)化和驗證組件性能以及對不同IGBT的性能驗證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實現以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484 
IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 靜態(tài)測試 1、測試整流電路 找下結果，可以判定電路已出現異常，A.到變頻器內部直流電源的P端和N端，將萬用表調到電阻X10檔，紅表棒接到P，黑表棒分別依到R、S、T，正常時有幾十歐的阻值，且基本平衡
2023-09-13 14:50:41301 芯片測試大講堂系列 又和大家見面了 本期我們來聊聊 半導體參數測試 內容涉及半導體參數測試原理， 參數測試面臨的挑戰(zhàn)與實測避坑指南。 前言 ● 半導體元器件是構成現代電子設備和系統(tǒng)的基礎，其性能
2023-09-13 07:45:021210 
ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654 端子連接到一起，接至高壓源高端，基板接至測試儀器低壓端。高阻抗高壓源必須提供需要的絕緣測試電壓Viso，將測試電壓逐漸提升至規(guī)定值，該值可由下式確定并保持規(guī)定的時間t，然后將電壓降為0。對于內部帶有NTC的IGBT模塊，可通過在接地的NTC與其他連
2023-09-08 08:58:001893 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
功率半導體器件在現代電力控制和驅動系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負載和驅動電機等應用，但是它們的內部結構和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494677 
在電場中的運動來確定正負離子的平衡狀態(tài)，而電阻法則是通過測量離子在電阻層中的電流來判斷離子的平衡情況。 離子平衡測試儀器一般由以下幾個組成部分構成： 1. 測試儀表：包括顯示屏、控制按鈕等，用于顯示和控制測試參數
2023-09-04 09:29:18425 
師來說，了解如何檢測IGBT的質量非常重要。而對于初學者來說，找到正確的測試方法可能是一項挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實、細致的文章，介紹如何使用萬用表來測試IGBT的質量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測試IGBT之前，我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導體器件，可用于
2023-09-02 11:20:152222 手機側鍵手感測試儀的參數是什么？|深圳市磐石測控儀器有限公司
2023-08-31 09:14:59777 
在T/R組件測試中，測試設備的日趨復雜和技術的漸進融合迫使測試系統(tǒng)需要變得更加靈活。一方面成本的壓力要求測試系統(tǒng)具有更長的生命周期，另一方面測試系統(tǒng)仍須適應被測件隨時間變化而帶來的各種變化，并且
2023-08-23 09:17:39987 
IGBT結溫是功率電子器件最重要的參數之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22751 
) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結 IGBT 器件。測試結果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導通電流 20 A 時，其飽和導通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結 IGBT 器件更低，關斷
能量為 0. 23 mJ，遠低于傳統(tǒng)超結 IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
在 IGBT驅動電源板 中有著廣泛的應用。 ? ? ? ?IGBT驅動板是控制系統(tǒng)和開關器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔著接受控制系統(tǒng)信號并傳輸信號，確保IGBT執(zhí)行開關、保護、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅動板由IGBT驅動芯片、驅動外圍電路、驅動輔
2023-08-04 17:35:03609 IGBT模塊動態(tài)參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區(qū)時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態(tài)參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態(tài)參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543290 
電路基礎知識。芯片測試涉及到電子電路的測量和分析，因此需要具備扎實的電路基礎知識，包括電子元器件、電路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34506 根據IGBT的產品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
而形成的器件。它具有低開關損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關等優(yōu)點，因此在各個領域都得到廣泛應用，如電力、軌道交通、電動汽車等。本文將詳細介紹IGBT如何選型以及選型時要考慮的參數。
2023-07-20 16:39:514487 工作條件下的輸出光功率，達到特定輸出光功率所需要的電流，斜線效率以及光譜特性等等。聯(lián)訊儀器CoC測試聯(lián)訊儀器全自動CoC測試系統(tǒng)CT6201，與聯(lián)訊儀器BI6201老化
2023-07-20 00:00:00438 
靜態(tài)分析可幫助面臨壓力的開發(fā)團隊。高質量的版本需要按時交付。需要滿足編碼和合規(guī)性標準。錯誤不是一種選擇。
這就是開發(fā)團隊使用靜態(tài)分析工具/源代碼分析工具的原因。在這里，我們將討論靜態(tài)分析和使用靜態(tài)代碼分析器的好處，以及靜態(tài)分析的局限性。
2023-07-19 12:09:38845 
、激光顯示、光存儲、消費電子等領域得到了廣泛應用。VCSEL生產過程中有三道檢測工序,這三道工序都需要脈沖電流源對器件進行測試?？焖?、靈活且精度高的測試方案對于減小測試的成本至關重要。
2023-07-18 16:06:211726 
對功率器件動態(tài)參數進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343 常用音頻運放最佳靜態(tài)電流，包括官方靜態(tài)電流與測試靜態(tài)電流，供功放電路設計參考
2023-06-25 09:26:081 PS-9305S-A5四軸五軸按鍵手感測試機的參數？|深圳磐石測控儀器
2023-06-14 09:49:17292 
在一起。焊接的質量和可靠性對于電子產品的性能和壽命至關重要。這個時候則需要進行SMT元器件焊接的推力測試。 為了完成這一測試，我們需要使用SMT元器件焊接推拉力測試機。本文科準測控小編將探討SMT元器件焊接推拉力測試機的原理、應用和優(yōu)
2023-06-13 10:02:351357 
： 在進行元器件選型時，首先需要了解電路的需求和性能要求，例如：電壓、電流、頻率、溫度等參數。 2. 研究市場情況： 在元器件市場非常發(fā)達的情況下，所以同一類型的元器件會有很多品牌、型號和價格。在進行元器件選型時，需要經過充分
2023-06-03 16:44:492692 PS-2305-20N自動化按鍵測試模組技術規(guī)格書的參數？|深圳磐石測控儀器
2023-05-30 10:53:02315 
在半導體元器件生產研發(fā)或者半導體晶圓封測過程中需要進行電性能參數的表征，這些測量需要將精密源表(Source/MeasureUnit），LCR表（LCRMeter），數字萬用表
2023-05-21 08:32:35404 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432099 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高輸入阻抗和低導通壓降的優(yōu)點。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175478 
與驅動板進行連接，組合成為一個完整的整體。 在運行過程中有開損耗、關損耗等，會造成IGBT會發(fā)熱，溫度升高，影響性能，因此，需要散熱系統(tǒng)為IGBT模塊提供散熱，IGBT模塊配備用于冷卻液的針狀散熱翅片
2023-03-23 16:01:54
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工商網監(jiān)
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