IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:18
4436 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:429922 
在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)
2023-04-18 09:53:235976 
IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01596 
的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
IGBT封裝新人報(bào)道，本人做IGBT封裝的，以后和大家多交流了~
2010-04-25 14:24:48
晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此，必須但對(duì)IGBT
2011-08-17 09:46:21
，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低
2012-07-09 14:14:57
)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率
2012-07-09 10:01:42
)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率
2012-07-09 11:53:47
大電流。對(duì)于 Mosfet來說，僅由多子承擔(dān)的電荷運(yùn)輸沒有任何存儲(chǔ)效應(yīng)，因此，很容易實(shí)現(xiàn)極短的開關(guān)時(shí)間。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也參與了導(dǎo)電。所以 IGB 結(jié)構(gòu)雖然使導(dǎo)通壓降
2022-09-16 10:21:27
式和平板壓接式兩種，螺栓式基本已經(jīng)淘汰。模塊式結(jié)構(gòu)多用于將數(shù)個(gè)器件整合成基本變流電路，例如，整流、逆變模塊，具有體積小，安裝方便，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)是器件只能單面散熱，而且要求底板既要絕緣又要導(dǎo)熱性
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)資料 ：集成電路查詢網(wǎng)datasheet5
2012-07-11 17:07:52
和CMOS的閂鎖效應(yīng)一個(gè)道理。所以需要分別控制兩個(gè)BJT的Gamma(共發(fā)射極電流放大系數(shù))，最好的方式就是Vbe短接，這就是為什么IGBT都需要把contact從Emitter延伸到Body里面去
2023-02-08 16:50:03
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士（艾克思科技）通過電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級(jí)。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器，結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
TM 4。EconoPACK TM 4——樹立新封裝標(biāo)準(zhǔn)EconoPACK TM 4是一個(gè)六單元IGBT模塊，包含測(cè)量溫度用的NTC電阻器。該封裝基于Econo封裝原理［3］，采用了獨(dú)特的扁平幾何結(jié)構(gòu)
2018-12-07 10:23:42
的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此
2021-09-09 08:27:25
簡(jiǎn)單，通態(tài)壓降低，且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力?！ ? IGBT及其功率模塊 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu) IGBT采用溝槽結(jié)構(gòu)，以減小通態(tài)壓降，改善其頻率特性，并采用NPT(Non Punch
2012-06-01 11:04:33
散熱器的特性不比N溝IGBT差多少，這非常有利于在應(yīng)用中采取互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而擴(kuò)大其在交流和數(shù)字控制技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用?！ ∧壳?，應(yīng)用在中壓大功率領(lǐng)域的電力電子器件，已形成GTO、IGCT、IGBT、IEGT
2012-06-19 11:17:58
IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問題-IGBT模塊散熱器 對(duì)IGBT模塊散熱器的過流檢測(cè)保護(hù)分兩種情況： (1)、驅(qū)動(dòng)電路中無保護(hù)功能。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過流檢測(cè)器件。對(duì)于小容量變頻器，一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)
2021-09-09 07:16:43
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？IGBT的特點(diǎn)有哪些？
2021-10-15 06:01:58
是電壓控制型器件，它只有開關(guān)特性（通和斷兩種狀態(tài)），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導(dǎo)元件，以MOS管為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。當(dāng)柵極電壓Uge達(dá)到開啟電壓，IGBT導(dǎo)通，當(dāng)Uge
2021-01-20 16:16:27
如圖所示，現(xiàn)在的問題是IGBT的門極給的是15V驅(qū)動(dòng)電壓，Vce=27V,為什么導(dǎo)通之后負(fù)載對(duì)地的電壓只有9.7V，在IGBT上的壓降很大，怎么才能解決這個(gè)問題
2016-10-16 17:07:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2021-09-09 08:29:41
作PN二極管的陰極，而P+還繼續(xù)做它的FS-IGBT的集電極，它具有增強(qiáng)的電流特性且改變了成本結(jié)構(gòu)，因?yàn)椴恍枰?b class="flag-6" style="color: red">封裝反并聯(lián)二極管了。實(shí)驗(yàn)證明，它可以提高飽和電流，降低飽和壓降(~12%)。 6、IGBT
2020-08-09 07:53:55
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试?b class="flag-6" style="color: red">器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试?b class="flag-6" style="color: red">器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
片發(fā)熱厲害，分析一下，這個(gè)時(shí)候只有剩下導(dǎo)通損耗了呀。多次懷疑自己的開通時(shí)序問題，但是都沒有發(fā)現(xiàn)問題，經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的折騰，測(cè)試IGBT的特性，發(fā)現(xiàn)問題是IGBT的管壓降比官方參數(shù)高，官方2.0V，實(shí)測(cè)
2015-03-11 13:15:10
及故障狀態(tài)反饋電路，為驅(qū)動(dòng)電路的可靠工作提供了保障。其特性為：兼容CMOS/TYL電平；光隔離，故障狀態(tài)反饋；開關(guān)時(shí)間最大500ns；“軟”IGBT關(guān)斷；欠飽和檢測(cè)及欠壓鎖定保護(hù)；過流保護(hù)功能；寬工作電壓
2012-07-06 16:28:56
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
?！ 〗^緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡(jiǎn)稱IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好
2012-09-09 12:22:07
` 誰知道igbt是電壓型還是電流型？`
2019-10-25 15:55:28
功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。 MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上
2022-06-28 10:26:31
通狀態(tài)特性。IGBT的主要問題是寄生PNPN（晶閘管）結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致器件故障。圖1說明了該寄生晶閘管的創(chuàng)建過程?！ D1. 直通 （PT） IGBT 的垂直橫截面和等效電路模型。圖片由意法半導(dǎo)體提供
2023-02-24 15:29:54
，但大多數(shù)600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負(fù)溫度系數(shù))特性，不能并聯(lián)分流?；蛟S，這些器件可以通過匹配器件VCE(sat)、VGE(TH
2018-08-27 20:50:45
Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負(fù)溫度系數(shù))特性，不能并聯(lián)分流。或許，這些器件可以通過匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (柵射閾值電壓) 及機(jī)械封裝以有限的成效進(jìn)行并聯(lián)，以使
2018-09-28 14:14:34
晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2022-04-01 11:10:45
Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。 IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路
2020-07-19 07:33:42
【不懂就問】說MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導(dǎo)致了他們工作原理和結(jié)構(gòu)的完全不一樣那么既然都是可以當(dāng)作開通關(guān)斷或者放大作用的管子且門極驅(qū)動(dòng)的話，都要接上電阻來控制開短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據(jù)U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開呢？
2018-07-04 10:10:27
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解?！ ⊥ㄟ^TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件，正如其開發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能，它在
2020-07-07 08:40:25
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
，是一款綠色環(huán)保的電子元器件，可應(yīng)用于汽車和工業(yè)用途的通用變頻器等領(lǐng)域。 圖1 RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）封裝情況和電氣原理圖RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管
2019-04-09 06:20:10
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。剛接觸那會(huì)兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡(jiǎn)單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
`本書在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國(guó)內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出實(shí)用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵?b class="flag-6" style="color: red">器件，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有
2019-07-16 07:30:00
更加優(yōu)化。（平面柵與溝槽柵技術(shù)的區(qū)別可以參考文章“平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)淺析”）?？v向結(jié)構(gòu)方面，為了緩解阻斷電壓與飽和壓降之間的矛盾，英家于2000年推出了Field Stop IGBT，目標(biāo)在于
2021-05-26 10:19:23
和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進(jìn)入量產(chǎn)２?。桑牵拢缘墓ぷ髟恚桑牵拢缘尿?qū)動(dòng)原理與電力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一種場(chǎng)控器件，其開通和關(guān)斷由柵射極電壓u GE
2021-03-22 19:45:34
進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)系統(tǒng)的企業(yè)，打破歐美等國(guó)家對(duì)我國(guó)在這一市場(chǎng)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，加快了國(guó)家智能電網(wǎng)“中國(guó)芯”國(guó)產(chǎn)化的步伐。IGBT器件作為電壓控制型器件，具有容量大、損耗小、易于控制等優(yōu)點(diǎn)，可使換流器拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)更加
2015-01-30 10:18:37
，最新技術(shù)的特點(diǎn)為正面采用溝槽柵結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步減小正向?qū)〞r(shí)飽和壓降值，同時(shí)背面采用場(chǎng)截止技術(shù)進(jìn)一步優(yōu)化器件的開關(guān)性能，在提高性能同時(shí)可使芯片做的更薄，這種結(jié)構(gòu)特性對(duì)高壓器件來說是重要的。圖3 中科君芯
2014-08-13 09:01:33
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡(jiǎn)單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
二極管型防護(hù)器件是利用硅PN結(jié)正向壓降（VF）和反向雪崩擊穿電壓（VZ）特性制成的，如瞬變電壓抑制二極管（TVS）。它有兩種形式：一是齊納型單向雪崩擊穿，二是雙向的硅壓敏電阻。TVS器件在規(guī)定
2013-02-25 10:41:28
(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小
2012-06-19 11:36:58
A:TVS 瞬態(tài)電壓抑制器是在穩(wěn)壓二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，是一種二極管形式的新型高效能保護(hù)器件。B:TVS通常采用二極管式的軸向引線封裝結(jié)構(gòu)，TVS的核心單元是芯片，芯片主要材料為半導(dǎo)體硅片或曬片
2021-04-18 18:07:31
和DRAM），40μm的芯片堆疊8個(gè)總 厚度為1.6 mm，堆疊兩個(gè)厚度為0.8 mm。如圖1所示。圖1 元器件內(nèi)芯片的堆疊 堆疊元器件（Amkor PoP）典型結(jié)構(gòu)如圖2所示： ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20
]的結(jié)構(gòu)如圖6所示。 這種結(jié)構(gòu)使IGBT既有MOS FET可以獲得較大直流電流的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型晶體管較大電流處理能力、高阻塞電壓的優(yōu)點(diǎn)。這種器件可以連接在開關(guān)電路中，就像NPN型的雙極型晶體管
2012-03-31 11:21:58
，它是單個(gè)無聯(lián)系的、具有器件功能特性的管芯，封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件，在大功率、高反壓、高頻高速、射頻微波、低噪聲、高靈敏度等很多應(yīng)用場(chǎng)合起著舉足輕重與不可替代的關(guān)鍵作用。一些先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝
2018-08-29 10:20:50
優(yōu)化工藝，將PWell拐角——即電場(chǎng)最強(qiáng)處的N型區(qū)去掉，達(dá)到了既能降低IGBT的VCEsat，又不明顯降低IGBT的耐壓的目的。（a）SPT IGBT結(jié)構(gòu)示意圖（b）SPT+ IGBT結(jié)構(gòu)示意圖圖
2015-12-24 18:23:36
IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
的導(dǎo)通能量損耗，并在電力電子學(xué)的典型模式下擴(kuò)大開關(guān)元件的安全工作區(qū)域。使用硅IGBT可以優(yōu)化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關(guān)分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因?yàn)檎沁@種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
研制成功1kA /2.5kV平板型IGBT，由于集電、發(fā)射結(jié)采用了與GTO類似的平板壓接結(jié)構(gòu)，采用更高效的芯片兩端散熱方式。特別有意義的是，避免了大電流IGBT 模塊內(nèi)部大量的電極引出線，提高了可靠性
2019-03-03 07:00:00
二極管；過流器件則以PPTC元件自恢復(fù)保險(xiǎn)絲為主，下面由我們優(yōu)恩半導(dǎo)體來講講開關(guān)型過壓器件陶瓷氣體放電管的生產(chǎn)工藝，其生產(chǎn)流程主要包括以下關(guān)鍵步驟：原材料清潔—畫碳線—涂覆—封裝—燒結(jié)—早期失效分揀
2017-07-28 11:11:38
期間需要較厚的襯底來維持電場(chǎng)，如圖1（a）所示。-n-襯底的厚度是決定IGBT中飽和壓降的主要因素?！ 鹘y(tǒng)NPT IGBT的“n-”漂移層和“p+”集電極之間的“n”型摻雜場(chǎng)截止層（如圖1（b）所示
2018-09-30 16:10:52
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
保護(hù)，可有效地使電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖的損壞。本文對(duì)TVS管的結(jié)構(gòu)與特性進(jìn)行了介紹： TVS管是在穩(wěn)壓二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，是一種二極管形式的新型高效能保護(hù)器件。 TVS管通常
2018-11-05 14:21:17
，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低
2019-03-05 06:00:00
本文由IGBT技術(shù)專家特約編寫，僅供同行交流參考?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件
2012-03-23 11:13:52
的結(jié)果 雜散電感與電流變化率的結(jié)合影響著器件的開通和關(guān)斷電壓特性，可以表示為ΔV=L*di/dt。因此，如果器件關(guān)斷時(shí)電感Lσ較大，電壓尖峰就會(huì)升高。關(guān)斷行為對(duì)柵極電阻很不敏感。這是溝槽場(chǎng)截止IGBT
2018-12-07 10:16:11
），到現(xiàn)在的超結(jié)IGBT（SJ-IGBT），新結(jié)構(gòu)層出不窮，并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發(fā)展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）?！ 薄 ?、逆阻
2020-12-11 16:54:35
防雷過壓器件分為鉗位型過壓器件和開關(guān)型過壓器件，開關(guān)型過壓器件就是我們熟知的防雷器件:陶瓷氣體放電管、半導(dǎo)體放電管和玻璃放電管；鉗位型過壓器件有瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、貼片壓敏電阻和ESD靜電
2016-12-26 11:25:21
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產(chǎn)和
封裝技術(shù)的革命性發(fā)展，拓寬了這種主力電源開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用范圍。
IGBT的基本概念是雙極性（高電流密度）的開關(guān)
器件，以及如MOSFET
器件上的高阻抗柵極。盡管人們?cè)缭?/div>
2018-12-03 13:47:00
功率執(zhí)行器件，需求量不斷增加?；谶@個(gè)目的出發(fā)，我們中國(guó)北車進(jìn)行國(guó)產(chǎn)的高壓大功率IGBT模塊封裝已滿足國(guó)內(nèi)的需求，在高鐵和動(dòng)車上主要用的IGBT是650伏600安培的，目前我們公司可以封裝650伏600安培
2012-09-17 19:22:20
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵
2010-03-04 15:55:315186 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 對(duì)于壓接式IGBT器件，封裝結(jié)構(gòu)引起的寄生參數(shù)不一致將導(dǎo)致開通瞬態(tài)過程中并聯(lián)IGBT芯片的電流分布不一致，使部分芯片在開關(guān)瞬態(tài)過程中的電流過沖太大，從而降低了開通性能。采用寄生參數(shù)提取、電路建模
2018-01-07 11:04:08
7 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結(jié)構(gòu)，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)，集成
2020-09-10 08:00:0019 IGBT是電壓控制型器件，它只有開關(guān)特性（通和斷兩種狀態(tài)），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導(dǎo)元件，以MOS管為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 10:17:0037937 的殼溫，而IGBT器件由于封裝尺寸遠(yuǎn)大于芯片尺寸，所以殼溫不易準(zhǔn)確測(cè)量，測(cè)量過程中引入的誤差較多，最終無法得到器件真正的熱阻值。
2021-04-29 09:15:084006 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)
2023-02-17 16:40:23915 為了更好了解IGBT，下面我們?cè)賮砜纯此膬?nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實(shí)就相當(dāng)于是一個(gè)四層半導(dǎo)體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實(shí)現(xiàn)的，它們構(gòu)成了 P-N-P-N 排列。
2023-02-22 15:58:183058 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432105 
單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041021 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
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