一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性

IGBT :

是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。

編輯：黃飛

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MOS管(64178) MOS管(64178)
IGBT(242707) IGBT(242707)
晶體管(134510) 晶體管(134510)
電驅(qū)系統(tǒng)(2274) 電驅(qū)系統(tǒng)(2274)

評(píng)論

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2017-10-13 14:40:54

壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)特性測試平臺(tái)設(shè)計(jì)及雜散參數(shù)提取

特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，

2017-12-26 14:16:01

AN-990應(yīng)用筆記之IGBT的特性

AN-990應(yīng)用筆記之IGBT的特性

2018-04-13 14:04:59

IGBT5的產(chǎn)品基本特點(diǎn)以及相關(guān)的導(dǎo)通和開關(guān)電氣特性

因?yàn)椴捎昧烁〉男酒穸群蛢?yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)，相比前一代芯片，IGBT5的導(dǎo)通壓降明顯降低。在相同的PrimePACK? 模塊封裝下對(duì)1700V IGBT5 P5和 IGBT4 P4進(jìn)行測試，比較在25

2018-07-23 17:23:50

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比亞迪電動(dòng)汽車IGBT芯片的技術(shù)分析

IGBT_insulated gate bipolar transisitor，釋義為絕緣柵雙極晶體管；在電驅(qū)領(lǐng)域所謂的IGBT芯片一般指模塊，其概念與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)需要以非常專業(yè)的術(shù)語進(jìn)行解析。

2020-02-03 09:45:55

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IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結(jié)構(gòu)，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)，集成

2020-09-10 08:00:00

IGBT主要參數(shù),IGBT驅(qū)動(dòng)電路

IGBT是電壓控制型器件，它只有開關(guān)特性（通和斷兩種狀態(tài)），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導(dǎo)元件，以MOS管為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。

2020-11-21 10:17:00

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IGBT工作中的特性以及IGBT的動(dòng)態(tài)特性的介紹

IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性，靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。（1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極

2020-12-15 16:10:31

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分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無法達(dá)到完全的對(duì)稱，使得理想化的靜、動(dòng)態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響，并

2021-02-14 11:43:00

3747

功率二極管晶閘管電氣特性

編者按功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)

2021-08-12 11:46:10

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解析三元材料電池特性

2022-01-11 18:17:45

IGBT短路測試方法詳解及波形解析

IGBT短路測試方法詳解及波形解析

2021-12-27 10:57:40

igbt電氣符號(hào)圖

igbt電氣符號(hào)圖 igbt電氣符號(hào)圖是指用于各種設(shè)備上，作為操作指示或用來顯示設(shè)備的功能或工作狀態(tài)的圖形符號(hào)，例如：電氣設(shè)備用圖形符號(hào)、紡織設(shè)備用圖形符號(hào)等。網(wǎng)站數(shù)據(jù)庫中收錄現(xiàn)行的含有設(shè)備用圖形

2023-02-06 10:45:24

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IGBT管的工作特性 IGBT管的選擇

　　IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)

2023-02-17 16:40:23

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IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

為了更好了解IGBT，下面我們?cè)賮砜纯此膬?nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實(shí)就相當(dāng)于是一個(gè)四層半導(dǎo)體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實(shí)現(xiàn)的，它們構(gòu)成了 P-N-P-N 排列。

2023-02-22 15:58:18

3058

?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。

2023-04-15 14:23:58

1289

IGBT模塊是如何失效的？

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。

2023-05-30 08:59:52

555

igbt的工作原理及應(yīng)用（IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性）

IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場效應(yīng)管)復(fù)合而成 BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :雙極性晶體管(晶體三極管)，“雙極性"是指工作時(shí)有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電。

2023-07-27 10:12:08

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超結(jié)IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及研究進(jìn)展

超結(jié)IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及研究進(jìn)展

2023-08-08 10:11:41

壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要壓接型 IGBT 芯片在正常的運(yùn)行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性對(duì)于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)?；?IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)具有

2023-08-08 09:58:28

IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)

? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)，包括絕緣耐壓、主端子電阻、雜散電感、直流電壓能力。絕緣耐壓為了評(píng)定IGBT模塊的額定絕緣電壓值，將所有

2023-09-08 08:58:00

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IGBT 晶體管選型解析

選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。

2023-09-13 15:47:56

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IGBT功率模塊的開關(guān)特性有哪些呢？

IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。

2023-09-22 09:06:14

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igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？

igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路

2023-10-19 17:08:14

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MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。

2023-11-03 14:53:42

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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)

這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）

2023-12-06 11:54:39

IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）

這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）

2023-12-06 11:56:43

igbt與mos管的區(qū)別

Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。首先

2023-12-07 17:19:38

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瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。

2023-12-26 13:31:35

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