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在MOS管選擇方面，系統(tǒng)請求相關的幾個重要參數(shù)是：
2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負載占空比才能限制；
3． mos開關頻率FS。這個參數(shù)影響MOSFET開關霎時的耗散功率；
4． MOSFET最大允許工作溫度。這要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的。
MOSFET設計選擇：
一旦系統(tǒng)的工作條件（負載電流，開關頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下：
1 RDSON的值。最低的導通電阻，能夠減小損耗，并讓系統(tǒng)較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。
2 散熱。假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運用外表貼裝MOSFET到達同樣效果。
3 MOSFET組合。假如板上空間允許，有時分，能夠用兩個較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢較低。
MOS管參數(shù)
（1）MOS管主要參數(shù)
飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。
夾斷電壓UP它可定義為：當UDS一定時，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啟電壓UT它可定義為：當UDS一定時，使ID到達某一個數(shù)值時所需的UGS。
（2）MOS管交流參數(shù)
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導2個參數(shù)，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間，而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi)，特殊的可達100mS，甚至更高。
低頻跨導gm它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
極間電容MSO管三個電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。
（3）MOS管極限參數(shù)
①最大漏極電流是指管子正常工作時漏極電流允許的上限值，
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作溫度的限制，
③最大漏源電壓是指發(fā)生在雪崩擊穿、漏極電流開始急劇上升時的電壓，
④最大柵源電壓是指柵源間反向電流開始急劇增加時的電壓值。
除以上參數(shù)外，還有極間電容、高頻參數(shù)等其他參數(shù)。
漏、源擊穿電壓當漏極電流急劇上升時，產(chǎn)生雪崩擊穿時的UDS。
柵極擊穿電壓結型MOS管正常工作時，柵、源極之間的PN結處于反向偏置狀態(tài)，若電流過高，則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。
（4）使用時主要關注的MOS管參數(shù)
1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵MOS管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵MOS管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量MOS管放大能力的重要參數(shù)。
5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，MOS管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在MOS管上的工作電壓必須小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指MOS管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，MOS管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數(shù)，是指MOS管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。MOS管的工作電流不應超過IDSM。
MOS管參數(shù)含義說明
1、極限參數(shù)：
ID：最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過 ID 。此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額
IDM：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額
PD：最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升有所減額
VGS：最大柵源電壓
Tj：最大工作結溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量
TSTG：存儲溫度范圍
2、靜態(tài)參數(shù)
V（BR）DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS 為 0 時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應管上的工作電壓必須小于 V（BR）DSS 。 它具有正溫度特性。故應以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。△ V（BR）DSS/ △ Tj ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，一般為 0.1V/ ℃
RDS（on）：在特定的 VGS （一般為 10V）、結溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導通時的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所增大。 故應以此參數(shù)在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算
VGS（th）：開啟電壓（閥值電壓）。當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS（th） 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所降低
IDSS：飽和漏源電流，柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流。一般在微安級
IGSS：柵源驅動電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級
3、動態(tài)參數(shù)
gfs ：跨導。是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。 gfs 與 VGS 的轉移關系注意看圖表
Qg ：柵極總充電電量。 MOSFET 是電壓型驅動器件，驅動的過程就是柵極電壓的建立過程，這是通過對柵源及柵漏之間的電容充電來實現(xiàn)的，下面將有此方面的詳細論述
Qgs ：柵源充電電量
Qgd ：柵漏充電（考慮到 Miller 效應）電量
Td（on） ：導通延遲時間。從有輸入電壓上升到 10% 開始到 VDS 下降到其幅值 90% 的時間
Tr ：上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td（off） ：關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
Tf ：下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間
Ciss ：輸入電容， Ciss= CGD + CGS （ CDS 短路）
Coss ：輸出電容，Coss = CDS +CGD
Crss ：反向傳輸電容，Crss = CGD
MOS管的極間電容，MOSFET 之感生電容被大多數(shù)制造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容。所引述的值是在漏源電壓為某固定值的情況下。此些電容隨漏源電壓的變化而變化，電容數(shù)值的作用是有限的。輸入電容值只給出一個大概的驅動電路所需的充電說明，而柵極充電信息更為有用。它表明為達到一個特定的柵源電壓柵極所必須充的電量。
4、雪崩擊穿特性參數(shù)
這些參數(shù)是 MOSFET 在關斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標。如果電壓超過漏源極限電壓將導致器件處在雪崩狀態(tài)
EAS：單次脈沖雪崩擊穿能量。這是個極限參數(shù)，說明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量
IAR：雪崩電流
EAR：重復雪崩擊穿能量
5、體內(nèi)二極管參數(shù)
IS：連續(xù)最大續(xù)流電流（從源極）
ISM：脈沖最大續(xù)流電流（從源極）
VSD：正向導通壓降
Trr：反向恢復時間
Qrr：反向恢復充電電量
Ton：正向導通時間。（基本可以忽略不計）
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