MJD系列現(xiàn)已上市，涵蓋2 – 8 A和45 – 100 V，且增強(qiáng)了Nexperia的功率產(chǎn)品組合。
2021-07-29 14:13:36
3898 
80V，8A PNP高功率雙極晶體管 DPAK3
2023-03-29 21:43:27
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
的典型結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)面積較大，電流分布均勻，易于提高耐壓和耗散熱量；缺點(diǎn)是電流增益較低，一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖2、達(dá)林頓GTR結(jié)構(gòu)(a
2018-01-15 11:59:52
的典型結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)面積較大，電流分布均勻，易于提高耐壓和耗散熱量；缺點(diǎn)是電流增益較低，一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖2、達(dá)林頓GTR結(jié)構(gòu)(a
2018-01-25 11:27:53
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和ON→OFF時(shí)的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？確認(rèn)絕對(duì)最大
2019-04-15 06:20:06
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
之一。關(guān)鍵要點(diǎn):?本章中選取功率晶體管中的雙極、MOSFET、IGBT進(jìn)行了介紹。?介紹雙極晶體管、MOSFET、IGBT的基本特征。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞Si晶體管雙極晶體管MOSFETIGBT
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
發(fā)展。正因?yàn)樗绱说?b class="flag-6" style="color: red">豐富了人們的生活，就其貢獻(xiàn)度而言，作為發(fā)明者的3位物理學(xué)家--肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士，當(dāng)之無愧地獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。恐怕今后的發(fā)明都難以與晶體管的發(fā)明相提并論?？傊?，晶體管為
2019-05-05 00:52:40
彩色電視機(jī)中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管，其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V，耗散功率應(yīng)大于或等于50W，最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A（大屏幕彩色電視機(jī)行輸出管的耗散功率應(yīng)大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發(fā)射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
AP1684 Ac / Dc，高Pf，高效率LED驅(qū)動(dòng)器控制器的典型應(yīng)用。 AP1684是一款高性能AC / DC功率因數(shù)校正LED驅(qū)動(dòng)器控制器，可驅(qū)動(dòng)高壓雙極晶體管。該器件采用脈沖頻率調(diào)制（PFM
2019-10-18 08:46:36
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
`產(chǎn)品型號(hào)：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達(dá)80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進(jìn)行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、工業(yè)、科研、以及醫(yī)療領(lǐng)域。我們的全鍍金制造工藝確保了產(chǎn)品的高性能和長期可靠性。我們的雙極晶體管旨在為用戶嚴(yán)苛的應(yīng)用提供可靠的解決方案。射頻功率晶體管 - 硅MOSFETMACOM公司
2017-08-14 14:41:32
雙極晶體管MAPRST0912-50產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管金金屬化系統(tǒng)擴(kuò)散Emitter Ballasting Resistor高效數(shù)字化幾何寬帶C類操作共基極結(jié)構(gòu)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的密封金屬
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF1004MB報(bào)價(jià)MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
)耦合器/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF317產(chǎn)品名稱：硅雙極晶體管MRF317產(chǎn)品特性保證性能在150兆赫，28伏直流電：輸出功率＝100瓦，最小增益＝9分貝高可靠性應(yīng)用的金金屬化系統(tǒng)
2018-08-07 17:02:08
(IPP)耦合器/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF321產(chǎn)品名稱：硅雙極晶體管MRF321產(chǎn)品特性保證性能在400兆赫，28伏直流電：輸出功率＝10瓦，功率增益＝12分貝min.，效率＝50
2018-08-08 11:12:43
/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF327產(chǎn)品名稱：硅雙極晶體管MRF327產(chǎn)品特性保證性能@ 400兆赫，28伏直流電：輸出功率＝80瓦以上225至400兆赫頻段，最小增益＝7.3分貝@ 400
2018-08-08 11:22:49
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計(jì)，從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
TIM8996-30 功率晶體管產(chǎn)品介紹TIM8996-30報(bào)價(jià)TIM8996-30代理TIM8996-30咨詢熱線TIM8996-30現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 TIM8996-30東芝
2018-07-25 15:39:20
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
）
場效應(yīng)晶體管
因此，這是理想的，因?yàn)樗鼈儾粫?huì)干擾它們所連接的原始電路功率元件。它們不會(huì)導(dǎo)致電源負(fù)載下降。FET 的缺點(diǎn)是它們無法提供與雙極晶體管相同的放大效果。
雙極晶體管的優(yōu)勢(shì)在于它們提供了更大的放大能力
2023-08-02 12:26:53
（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結(jié)合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)。它具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發(fā)射極。晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)包括電流放大因數(shù)
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定?！ ∵_(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對(duì)晶體管元件?；パa(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
適當(dāng)?shù)妮斎腚娏骱图姌O電壓條件。NPN或PNP雙極晶體管的正確偏置點(diǎn)通常位于兩個(gè)極端運(yùn)行之間，這是因?yàn)槠渲绷髫?fù)載線是“全開”或“全關(guān)”。該中心工作點(diǎn)稱為“靜態(tài)工作點(diǎn)”，簡稱Q點(diǎn)。當(dāng)雙極晶體管偏置時(shí)，Q點(diǎn)
2020-11-12 09:18:21
安全使用晶體管，請(qǐng)務(wù)必作為參考。判定前：晶體管的選定～貼裝的流程1. 晶體管的選定從Web、Shortform產(chǎn)品目錄上選定滿足規(guī)格要求的晶體管。晶體管產(chǎn)品頁2. 規(guī)格?樣品的獲取部分樣品可從網(wǎng)上申請(qǐng)
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個(gè)別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個(gè)別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA時(shí)，基極電流IB需要相對(duì)
2019-04-22 05:39:52
判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A：首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產(chǎn)品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
求購雙極晶體管BD249C，NPN，30個(gè)，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
。因而同時(shí)具備了MOS管、GTR的優(yōu)點(diǎn)。二．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點(diǎn)：這種器件的特點(diǎn)是集MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低，耐壓高，電流大。它
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:396003 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001282 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595421 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14604
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021352 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465920 功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照來降低功率雙極晶體管的下降延時(shí)， 以此來降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個(gè)典型的充電器開關(guān)電源中， 85 V 交流
2019-09-15 04:36:001810 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1422939 
總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
2019-12-03 09:32:352721 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:261314 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:15
0 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、1 A PNP 功率雙極晶體管-BCX52T_SER
2023-02-20 19:41:260 Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
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