在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級(jí)系列非常重要
2022-11-18 09:42:25
719 (PFC)級(jí)。該 PFC 級(jí) 具有 配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
存儲(chǔ)。在兩級(jí)使用GaN和超過(guò)100 kHz的開(kāi)關(guān)頻率極大地提高了當(dāng)前設(shè)計(jì)的效率。除了dc-dc轉(zhuǎn)換器，POL轉(zhuǎn)換器和逆變器之外，其他GaN應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類(lèi)大功率音頻放大器。突破性產(chǎn)品使用eGaN
2017-05-03 10:41:53
通電阻非常低，僅70mΩ，這款門(mén)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置了降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，從而可以產(chǎn)生負(fù)電壓來(lái)關(guān)閉GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率級(jí)器件的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是在硬切換時(shí)控制轉(zhuǎn)換速率，這種控制對(duì)于抑制
2019-07-16 00:27:49
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
LMG341xR050 半 H 橋驅(qū)動(dòng)器（內(nèi)部 FET） 電源管理 評(píng)估板
2024-03-14 23:22:15
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
解決方案來(lái)簡(jiǎn)化您的設(shè)計(jì)，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門(mén)戶(hù)上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類(lèi)博文更多充電類(lèi)產(chǎn)品TI更多視頻培訓(xùn)原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
了輸入隔離開(kāi)關(guān)功能，此功能允許進(jìn)行升壓短路保護(hù)；該器件在發(fā)生短路事件時(shí)會(huì)關(guān)閉此開(kāi)關(guān)。主要特色 高密度設(shè)計(jì)集成升壓短路保護(hù)72W 功能+/- 5% 負(fù)載瞬態(tài)過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)
2018-11-05 16:27:20
。 圖1：四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級(jí)布局和原理圖在筆者看來(lái)，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵，尤其在較高的開(kāi)關(guān)頻率下對(duì)濾波器無(wú)源組件
2018-09-05 15:24:36
中央處理器（CPU）內(nèi)核電源的高功率密度穩(wěn)壓器模塊TI Designs參考設(shè)計(jì)。電感器置頂?shù)母?b class="flag-6" style="color: red">功率密度12Vin、100W同步DC/DC步降（降壓）型轉(zhuǎn)換器TI Designs參考設(shè)計(jì)。訂購(gòu)高密度
2018-09-05 15:24:34
高密度FIFO器件在視頻和圖像領(lǐng)域中的應(yīng)用是什么
2021-06-02 06:32:43
高密度印制電路板(HDI)簡(jiǎn)介印刷電路板在制成最終產(chǎn)品時(shí)，其上會(huì)安裝積體電路、電晶體、二極體、被動(dòng)元件（如：電阻、電容、連接器等）及其他各種各樣的電子零件。藉著導(dǎo)線(xiàn)連通，可以形成電子訊號(hào)連結(jié)及應(yīng)有
2010-03-16 09:28:51
高密度多重埋孔印制板的設(shè)計(jì)與制造
2009-03-26 21:51:41
需求：人數(shù)較多，大概有60多人，平時(shí)大家都用手機(jī)連接wifi 哪個(gè)牌子的無(wú)線(xiàn)AP好用，要室內(nèi)的，謝謝自己看了豐潤(rùn)達(dá)的一種雙頻的AP。聽(tīng)說(shuō)雙頻的適合高密度接入，是么？
2016-07-25 17:45:55
高密度服務(wù)器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗(yàn)證
2023-09-18 07:14:50
的范例涉及功率級(jí)組件的放置和布線(xiàn)。精心的布局可同時(shí)提高開(kāi)關(guān)性能、降低組件溫度并減少電磁干擾（EMI）信號(hào)。請(qǐng)細(xì)看圖1中的功率級(jí)布局和原理圖。圖1：四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級(jí)布局和原理圖 在筆者看來(lái)，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵，尤…
2022-11-18 06:23:45
的 LMG1210（對(duì)于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設(shè)計(jì)將硅功率級(jí)與 GaN 功率級(jí)進(jìn)行比較，以說(shuō)明在使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)折衷和必要的優(yōu)化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2024-03-06 16:51:58
RT9629B 高頻、三通道同步降壓 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，特別設(shè)計(jì)于驅(qū)動(dòng)六個(gè) N-MOSFET 的應(yīng)用?？茨男┐笊衲芊治龀鲭娐窇?yīng)用及芯片關(guān)鍵參數(shù)指標(biāo)？【5-10積分獎(jiǎng)勵(lì)喲】此產(chǎn)品應(yīng)用于高密度電源
2019-01-02 15:09:58
DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間，并改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能
2019-07-29 12:48:33
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì) 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動(dòng)的GaN FET功率級(jí)芯片
2019-03-14 06:45:08
3410R070 氮化鎵 (GaN)。此電源拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">支持雙向潮流（PFC 和并網(wǎng)逆變器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并減小電源尺寸。該設(shè)計(jì)可利用切相和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間提高效率，通過(guò)輸入電容補(bǔ)償方案提高輕
2023-01-17 09:51:23
請(qǐng)問(wèn)關(guān)于高密度布線(xiàn)技術(shù)有什么要求？
2021-04-25 06:26:34
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
。LMG1210具有可調(diào)節(jié)的死區(qū)時(shí)間控制，可最大程度地減少第三象限損耗。請(qǐng)參見(jiàn)TI白皮書(shū)：使用LMG1210 GaN驅(qū)動(dòng)器通過(guò)空載時(shí)間控制來(lái)優(yōu)化效率。TI 在這些設(shè)計(jì)中使用了高效功率轉(zhuǎn)換 eGaN功率器件。
2019-11-11 15:48:09
器件高密度BGA封裝設(shè)計(jì)引言隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數(shù)量的增加，對(duì)小封裝和各種封裝形式的需求在不斷增長(zhǎng)。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內(nèi)部進(jìn)行I/O 互聯(lián)，提高了引腳數(shù)量和電路板
2009-09-12 10:47:02
(LMG3522) 實(shí)現(xiàn)高密度。PFC 的工作頻率為 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可變頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。峰值系統(tǒng)效率為 96.5%，該數(shù)值在 3.8kW/L 開(kāi)放式框架
2022-08-15 10:22:18
功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí)
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái)，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿(mǎn)足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
如何去設(shè)計(jì)一款能適應(yīng)高密度FPGA的配置？
2021-04-08 06:07:38
如何去面對(duì)高速高密度PCB設(shè)計(jì)的新挑戰(zhàn)？
2021-04-23 06:18:11
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線(xiàn)直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線(xiàn)直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加…
2022-11-15 07:01:49
本文旨在介紹一種全新的多內(nèi)核平臺(tái)，其能夠通過(guò)優(yōu)化內(nèi)核通信、任務(wù)管理及存儲(chǔ)器接入實(shí)現(xiàn)高密度視頻處理能力，此外，本文還闡述了擴(kuò)展實(shí)施的結(jié)果如何支持多通道和多內(nèi)核 HD 視頻應(yīng)用的高密度視頻處理。
2021-06-01 06:20:28
，顯示畫(huà)面更加清晰、細(xì)膩。在顯示標(biāo)準(zhǔn)的高清圖像時(shí)，可以完全達(dá)到分辨率的要求。如果高密度燈管價(jià)格越來(lái)越低，勢(shì)必高密度LED顯示屏將在室內(nèi)視頻監(jiān)控領(lǐng)域占有更大市場(chǎng)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高密度LED顯示屏具備高清顯示、高刷新
2019-01-25 10:55:17
。您可使用LMG3410設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器，進(jìn)行快速切換，以提高效率，具有低壓過(guò)沖，并可減少電磁干擾（EMI）。TI的LMG3410 GaN功率級(jí)使得電源設(shè)計(jì)人員能夠開(kāi)發(fā)更高密度和更高效率的電源。與具有過(guò)流
2019-08-26 04:45:13
可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶(hù)指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門(mén)的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)它。圖1
2022-11-17 06:56:35
FPGA 的 60W~72W 高密度電源的電氣性能、熱性能及布局設(shè)計(jì)之深入分析
2019-06-14 17:13:29
上電，我們馬上開(kāi)始。
你可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶(hù)指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門(mén)的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)
2018-08-31 07:15:04
高頻數(shù)字信號(hào)串?dāng)_的產(chǎn)生及變化趨勢(shì)串?dāng)_導(dǎo)致的影響是什么怎么解決高速高密度電路設(shè)計(jì)中的串?dāng)_問(wèn)題？
2021-04-27 06:13:27
設(shè)備特別適合適用于低電壓應(yīng)用，如手機(jī)和筆記本電腦計(jì)算機(jī)電源管理和其他電池供電電路在高側(cè)開(kāi)關(guān)，低線(xiàn)內(nèi)功率損耗需要在一個(gè)非常小的外形表面貼裝封裝特征● RDS（開(kāi)）≦ 米?@VGS=10伏● 超高密度單元
2021-07-08 09:35:56
的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見(jiàn)。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí)，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開(kāi)始。你可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶(hù)指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門(mén)的組合
2018-06-01 11:31:35
1000V100A30KW高壓高密度程控直流電源支持60臺(tái)電源級(jí)聯(lián)操作，具有高功率因數(shù)、高轉(zhuǎn)換效率、高精確度、高穩(wěn)定度、高可靠度、低紋波、低噪音、小體積（高密度）、極速響應(yīng)等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體
2021-12-29 08:23:41
DN1001- 高效率，高密度電源，無(wú)需散熱器即可提供200A電流
2019-05-31 12:51:49
本文介紹高速高密度PCB設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題（信號(hào)完整性、電源完整性、EMC /EM I和熱分析）和相關(guān)EDA技術(shù)的新進(jìn)展，討論高速高密度PCB設(shè)計(jì)的幾種重要趨勢(shì)。
2021-04-25 07:07:17
高速高密度多層PCB設(shè)計(jì)和布局布線(xiàn)技術(shù)
2012-08-12 10:47:09
改善功率密度，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級(jí)設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級(jí)設(shè)計(jì)，具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59
) 12 Rating Catalog TI GaN 工藝通過(guò)了實(shí)際應(yīng)用硬開(kāi)關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì) 與共源共柵或
2022-12-20 15:04:12
Rating Catalog TI GaN 工藝通過(guò)了實(shí)際應(yīng)用硬開(kāi)關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì) 與共源共柵或獨(dú)立 Ga
2022-12-20 15:04:12
高密度PCB（HDI）檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 術(shù)語(yǔ)和定義 HDI：High Density Interconnect，高密度互連，也稱(chēng)BUM（Build-up Multilayer或Build-up PCB），即積層法多層板。積層互聯(lián)通常采用微孔技術(shù)，一
2009-11-19 17:35:29
58 創(chuàng)造高密度的VoIP處理器
任何高密度VoIP平臺(tái)的關(guān)鍵需求之一，是它必須在低功耗和有限使用面積下，盡可能提供最多的通道。對(duì)于信
2009-11-27 20:42:08712 
高密度印制電路板(HDI),高密度印制電路板(HDI)是什么意思 印刷電路板是以絕緣材料輔以導(dǎo)體配線(xiàn)所形成的結(jié)構(gòu)性元件。在制成最終產(chǎn)品時(shí)，其上
2010-03-10 08:56:412618 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435 
實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換 ，小電源的內(nèi)容。
2016-01-06 18:00:090 PI31xx系列 高密度隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器
2016-01-06 17:52:320 關(guān)于電源設(shè)計(jì)的，關(guān)于 實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換
2016-06-01 17:48:0622 德州儀器（TI）近日推出具有業(yè)界最高密度的18 V輸入、35-A同步DC / DC降壓轉(zhuǎn)換器。此轉(zhuǎn)換器提供全差分遠(yuǎn)程電壓感測(cè)和電源管理總線(xiàn)（PMBus），支持遙測(cè)。
2016-12-08 11:17:00801 
GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計(jì)
2018-08-16 00:55:002810 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410R050相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG3410R050的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG3410R050真值表，LMG3410R050管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-01-08 17:47:15
TI公司的LMG3410R050是具有過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)80%之多,以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2019-04-18 14:34:052262 
TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:072547 在PCB設(shè)計(jì)領(lǐng)域，我們沒(méi)有太多需要跟蹤的項(xiàng)目。但是，有很多設(shè)計(jì)對(duì)象（例如通孔）確實(shí)需要管理，尤其是在高密度設(shè)計(jì)中。盡管較早的設(shè)計(jì)可能僅使用了幾個(gè)不同的通孔，但當(dāng)今的高密度互連（HDI）設(shè)計(jì)需要許多
2020-12-14 12:44:241512 DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間，并改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能
2021-03-21 08:41:576 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:42:246 DN1001-高效率、高密度電源提供200A電流，無(wú)散熱器
2021-04-27 10:44:504 Cyntec高密度uPOL模塊是款非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高達(dá)6A的輸出電流。PWM開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器和高頻功率電感集成在一個(gè)混合封裝中。 Cyntec高密度uPOL模塊根據(jù)載荷開(kāi)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行，具備PWM
2021-10-29 09:24:341210 進(jìn)行創(chuàng)新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提出了更高的要求。
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創(chuàng)新的一種重要方法是使用高密度設(shè)計(jì)。為推出占位面積更小的解決方案，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在正集中研究功率密度（一個(gè)功率轉(zhuǎn)換器電路每單位面積或體積的輸出功率
2021-11-24 14:20:441293 )級(jí)。PFC級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器的LMG341x GaN FET，可在較寬的負(fù)載范圍內(nèi)提供更高的效率，并滿(mǎn)足80多種鈦的要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋LLC隔離式DC / DC級(jí)，以實(shí)現(xiàn)1kW的+ 12V直流輸出。兩...
2021-11-10 12:36:0310 由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻，因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN
2022-08-09 09:28:16654 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開(kāi)關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過(guò) 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
高密度光纖配線(xiàn)架正逐漸成為常用的布線(xiàn)產(chǎn)品，尤其適用于數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器機(jī)房等高密度布線(xiàn)環(huán)境，既然應(yīng)用廣泛，那高密度光纖配線(xiàn)架安裝方法大家一定要了解清楚，下面科蘭通訊小編為您詳細(xì)講解一下。 高密度光纖
2022-09-01 10:18:401571 你的才是最好的。高密度配線(xiàn)架怎樣選擇正確的型號(hào)?科蘭通訊為您解答。 ? 高密度配線(xiàn)架可以在1U的機(jī)架空間內(nèi)提供144個(gè)LC連接密度。對(duì)于某些用戶(hù)來(lái)說(shuō)，如此超高密度的好處多多，因?yàn)檫@些用戶(hù)機(jī)房?jī)?nèi)的導(dǎo)向器幾乎占據(jù)了機(jī)柜中所有的
2022-09-01 10:49:12250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度30W DCDC降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-05 14:46:233 DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板（PCB）布局,第2部分
2022-11-03 08:04:444 DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板（PCB）布局,第1部分
2022-11-03 08:04:443 電子OEM加工的發(fā)展趨勢(shì)是比較良好的，研發(fā)型企業(yè)可以將生產(chǎn)方面的事全部交給專(zhuān)業(yè)PCBA代工代料的加工企業(yè)，將更多的精力和資源全部集中在產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)開(kāi)發(fā)上面。在電子OEM加工中采用高密度PCBA
2022-11-07 09:58:23955 ）。使用無(wú)橋PFC來(lái)取代輸入整流橋可以提高效率。 通過(guò)在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ，有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率，因?yàn)樵谶@個(gè)功率水平上，開(kāi)關(guān)頻率比其他方案高得多。了解 安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對(duì)高密度設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) ，報(bào)名參加第
2023-02-20 21:55:061589 高密度互連 (HDI) 需求主要來(lái)自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過(guò)孔。
2023-06-01 16:43:58524 
友尚基于ST產(chǎn)品的GaN電源轉(zhuǎn)換器方案的實(shí)體圖 近年來(lái)，以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料在消費(fèi)電子領(lǐng)域的滲透率不斷提升，其能夠以高能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，在快充時(shí)代備受歡迎。針對(duì)此趨勢(shì)，大聯(lián)大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN電源轉(zhuǎn)換器方案，能夠優(yōu)化電
2023-07-20 18:05:06499 
數(shù)據(jù)中心機(jī)房高密度布線(xiàn)是我們現(xiàn)在經(jīng)常關(guān)注的問(wèn)題，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高密度光纖配線(xiàn)箱的使用，很多人對(duì)于這一點(diǎn)有很多疑問(wèn)，其實(shí)我們從數(shù)據(jù)中心機(jī)房網(wǎng)絡(luò)布線(xiàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)就可以看出，當(dāng)前最重要的有四種，分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49236 
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2023-09-01 15:21:431 高密度多重埋孔印制板的設(shè)計(jì)與制造
2022-12-30 09:22:106 高密度互連印刷電路板：如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39227 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:070
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