SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:00
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D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60m
2024-01-31 15:19:34487 
通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。在150°C時，Si MOSFET的RDS(on) 導(dǎo)通電阻是25°C時的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應(yīng)用溫度可達(dá)到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡化
2019-07-09 04:20:19
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)合作開發(fā)，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產(chǎn)品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導(dǎo)通電阻（以往產(chǎn)品的1
2018-11-27 16:38:39
的反向恢復(fù)時間。隨著室溫的增高，反向電流和trr也會變大。而SiC-SBD因為SiC本身基本上沒有溫度依賴性，所以反向電流特性基本沒有變化。將trr的差制作了右上的圖表，通過對兩種Si-FRD的比較，發(fā)現(xiàn)
2018-11-29 14:34:32
、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。下圖是相對于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
通時產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關(guān)速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開關(guān)
2018-11-30 11:31:17
小，因此在高溫條件下特性也很穩(wěn)定。上述的trr特性也相對于溫度非常穩(wěn)定。Si-FRD的trr隨溫度上升而増加，而SiC-SBD則能夠保持幾乎恒定的trr。此外，高溫工作時，開關(guān)損耗也幾乎沒有増加。另外
2018-12-04 10:26:52
低壓側(cè)柵極驅(qū)動中有一個明顯的更大的Miller 區(qū)域，其低壓側(cè) FET 和高壓側(cè) FET 同時導(dǎo)通，從而在功率級中產(chǎn)生直通電流。當(dāng)?shù)蛪簜?cè) FET 最終關(guān)閉時，在開關(guān)節(jié)點處存在額外的電壓過沖。在圖 1B
2018-11-28 11:01:36
如何隨溫度變化。您可以使用設(shè)計工具或數(shù)據(jù)表中的器件電阻與溫度（R-T）表中提供的最小、典型和最大電阻值來計算相關(guān)的特定溫度范圍內(nèi)的容差。為了說明容差如何隨熱敏電阻技術(shù)的變化而變化，讓我們比較一下NTC
2020-12-08 15:22:50
的， 那為什么會產(chǎn)生這樣的現(xiàn)象？ 在設(shè)計中又如何避免呢？ 熱沖擊測試造成裂紋的主要原因來源于應(yīng)用場景中不同部分CET（熱膨脹系數(shù)）的差異， 如下圖所示。當(dāng)溫度劇烈變化時， FR4底板的伸縮要遠(yuǎn)大于陶瓷基板
2019-04-25 14:14:31
`絕緣電阻隨溫度上升而減小，泄露電流隨溫度增大而上升，介質(zhì)損失隨溫度變化比較復(fù)雜可能增大也可能減小。濕度增大使絕緣電阻減小，絕緣表面泄漏電流增大， 介質(zhì)損耗增大。分析：(1)絕緣電阻（兆歐表）。1
2020-11-18 14:48:19
關(guān)于電阻溫度系數(shù)所有物質(zhì)隨溫度變化內(nèi)部阻值會發(fā)生變化。電阻器也不例外，隨溫度變化阻值會發(fā)生變化。其變化比例稱為電阻溫度系數(shù)。單位為ppm/°C。根據(jù)基準(zhǔn)溫度條件下的阻值變化率和溫度差，可以用下式求得
2019-05-22 21:25:11
電阻應(yīng)變片的溫度特性-實驗[實驗?zāi)康腯1．了解溫度變化對應(yīng)變測試系統(tǒng)的影響。2．熟悉應(yīng)變電橋溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?。[實驗原理]1．應(yīng)變片的溫度特性。當(dāng)環(huán)境溫度變化時（偏離應(yīng)變片的標(biāo)定溫度），粘貼在試件
2008-06-04 11:03:52
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導(dǎo)通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標(biāo)準(zhǔn)特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導(dǎo)通電阻
2018-12-05 10:00:15
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由
2020-07-10 14:54:36
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
orcad里，怎么做溫度分析，從哪里看元件隨溫度的變化比較靈敏？
2010-05-21 11:07:28
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
壓，可提高并聯(lián)使用的可靠性
二極管的導(dǎo)通損耗主要由正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓VF值決定，當(dāng)VF值越小，二極管導(dǎo)通損耗越小，但VF是與溫度相關(guān)的參數(shù)。下圖為實測的正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓VF與溫度關(guān)系曲線，在測試范圍內(nèi)，SiC
2023-10-07 10:12:26
ad9854產(chǎn)生的正弦波幅度為什么會隨頻率變化？（幅度已經(jīng)通過編程固定）
2019-07-18 01:30:58
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
潛在的電擊危險?！ “凑照J(rèn)證機(jī)構(gòu)的規(guī)定，例如歐盟的CE認(rèn)證、美國和加拿大的UL認(rèn)證，電氣產(chǎn)品制造商應(yīng)該使用接地導(dǎo)通電阻測試儀來驗證其性能。若未經(jīng)CE、CSA或UL認(rèn)證標(biāo)識，產(chǎn)品不允許在相應(yīng)的國家進(jìn)行
2017-09-30 09:38:49
而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越?。环粗甊DS（ON）就會越高
2013-10-29 17:27:29
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
監(jiān)控IGBT功率模塊的運行狀況是一種預(yù)測性維護(hù)技術(shù)。采用導(dǎo)線鍵合工藝模塊的主要失效機(jī)理與導(dǎo)通電壓的增長有關(guān)。而該電壓與芯片的溫度息息相關(guān)。在實際運行中，溫度變化和（或）未知時，其劣化程度難以提取
2019-03-20 06:20:08
下，mos管并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。mos管在"導(dǎo)通"時就像一個可變電阻，并隨溫度而顯著變化。5.計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須
2019-11-21 09:14:39
熱敏電阻 熱敏電阻是用半導(dǎo)體材料，大多為負(fù)溫度系數(shù)，即阻值隨溫度增加而降低。溫度變化會造成大的阻值改變，因此它是最靈敏的溫度傳感器。但熱敏電阻的線性度極差，并且與生產(chǎn)工藝有很大關(guān)系。制造商給不出標(biāo)準(zhǔn)化
2011-07-14 08:54:33
熱偶并不適合高精度的應(yīng)用?！ ? 熱敏電阻 熱敏電阻是用半導(dǎo)體材料， 大多為負(fù)溫度系數(shù)，即阻值隨溫度增加而降低。溫度變化會造成大的阻值改變，因此它是最靈敏的溫度傳感器。但熱敏電阻的線性度極差，并且
2018-11-13 10:42:32
做一個產(chǎn)生溫度并通過圖形實時顯示的程序，程序在附件中，要求橫軸顯示分鐘計時范圍是0-200分鐘，縱軸顯示產(chǎn)生的溫度范圍是-40到60，自己試了好久圖形中就是顯示不出隨橫軸數(shù)值變化的曲線，望高手指教，謝謝
2015-07-07 10:00:16
導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計產(chǎn)生溫度漂移的因素如何正確維護(hù)標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計
2021-03-03 06:05:25
原因是 FET 的導(dǎo)通電阻。這是一種十分簡單的 I2R 損耗形成機(jī)制，如圖 4 所示。但是，導(dǎo)通電阻會隨 FET 結(jié)溫而變化，這便使得這種情況更加復(fù)雜。所以，使用方程式 3）、4）和 5）準(zhǔn)確計算導(dǎo)
2019-11-30 18:41:39
RONp和RONn。●第1步：考慮系統(tǒng)的穩(wěn)定狀態(tài)① 線圈電流在一個周期內(nèi)不變② 電容器的電荷量在一個周期內(nèi)不變公式中中增加了導(dǎo)通電阻相關(guān)的項（紅色）?！竦?步：.求出對干擾的變化量，描述傳遞函數(shù)
2018-11-30 11:48:22
我想選擇一塊模擬開關(guān)。用于Pt1000的溫度AD轉(zhuǎn)換，主要是為了節(jié)省恒流源溫度采集的電路。通過查找資料，大部分模擬開關(guān)都有較大的導(dǎo)通電阻，而且隨溫度變換較大。希望找到一款多通道模擬電路開，且隨溫度變化小的模擬開關(guān)?；蛘撸衅渌慕鉀Q辦法嗎？
2014-03-25 19:03:21
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-05-07 06:21:51
通電阻分別在不同的功能區(qū)域。將阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，解決了阻 斷電壓與導(dǎo)通電阻的矛盾，同時也將阻斷時的表面PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高。`
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
開關(guān)處在導(dǎo)通狀態(tài)下出現(xiàn) DC 損耗，其原因是 FET 的導(dǎo)通電阻。這是一種十分簡單的 I2R 損耗形成機(jī)制，如圖 4 所示。但是，導(dǎo)通電阻會隨 FET 結(jié)溫而變化，這便使得這種情況更加復(fù)雜。所以
2020-04-01 11:07:48
以上的金屬氧化物進(jìn)行充分混合、成型、燒結(jié)等工藝而成的半導(dǎo)體陶瓷，可制成具有負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻。其電阻率和材料常數(shù)隨材料成分比例、燒結(jié)氣氛、燒結(jié)溫度和結(jié)構(gòu)狀態(tài)不同而變化?，F(xiàn)在還出現(xiàn)了以碳化硅
2020-12-31 17:30:41
一、溫度測量熱敏電阻測溫電路適合于遙測、小尺寸、微小溫差、惡劣壞境等情況。圖1(a)為最簡便的測溫電路。熱敏電阻RT的阻值隨溫度T而變化，知道了回路電流，即可求得阻值RT，進(jìn)而即可測得溫度T。圖1
2018-01-16 10:21:57
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好?！ ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?！ ?8
2019-01-11 13:42:03
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
了?！ 」逃袃?yōu)勢加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
變薄，所以可制作單位面積的導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓元器件。理論上,只要耐壓相同，與Si相比,SiC的單位面積漂移層電阻可低至1/300。Si 功率元器件為改善高耐壓化產(chǎn)生的導(dǎo)通電阻増大問題，主要
2018-11-29 14:43:52
方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
請問哪位大神知道AD8436的內(nèi)部FET的10K的電阻的溫度系列是多少呢？
2018-08-14 06:51:22
請問哪位大神知道AD8436的內(nèi)部FET的10K的電阻的溫度系列是多少呢？
2023-11-20 06:57:03
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
1. 設(shè)計要求使用熱敏電阻類的溫度傳感器件利用其感溫效應(yīng)，將隨被測溫度變化的電壓或電流用單片機(jī)采集下來，將被測溫度在顯示器上顯示出來：n測量溫度范圍?50℃～110℃。n精度誤差小于0.5℃。LED
2017-12-22 22:22:37
通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加
2011-08-17 14:18:59
損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-30 21:45:40
損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-31 21:27:48
，還必須計算導(dǎo)通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化
2013-03-11 10:49:22
本文概述了與低頻MOSFET工作相關(guān)的各種特性和規(guī)格。相關(guān)信息了解MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)的漏源電阻MOSFET溝道長度調(diào)制假設(shè)您正在設(shè)計一個電動機(jī)控制電路，一個繼電器驅(qū)動器，一個反極性保護(hù)電路或一個
2019-10-25 09:40:30
描述 此設(shè)計采用帶 SiC-FET 的低成本初級側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
的矛盾。 即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38
如果您要進(jìn)行可靠的溫度測量，就需要為您的應(yīng)用選擇正確的溫度傳感器。了解各種溫度傳感器的優(yōu)缺點，就能幫助您正確地設(shè)置測量。熱偶、熱敏電阻、鉑電阻溫度傳感器(RTD)和溫
2010-08-05 09:47:44
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FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051498 
普通電阻器的阻值受溫度變化影響很小，但是熱敏電阻器完全不同，它的阻值隨溫度的變化而變化，是一種用溫度控制電阻阻值大小的元件。熱敏電阻器利用半導(dǎo)體的電阻值隨溫度顯著變化這一特性制成的熱敏元件。它是
2018-11-28 18:38:423049 壓敏電阻特點，與普通電阻有什么不同？
2020-01-09 13:54:393877 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 的9mOhm導(dǎo)通電阻，擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定值的器件（參見Figure 1）。
2022-08-01 12:14:081068 甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件相比，JFET 不太容易發(fā)生故障，并且適合
2022-08-05 10:31:17716 
高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17663 OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565 
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
溫度升高熱敏電阻阻值如何變化? 在熱學(xué)中，熱敏電阻是一種可以根據(jù)溫度變化而改變其電阻值的電子組件。通常情況下，溫度升高會使熱敏電阻的電阻值變化，這意味著熱敏電阻可以用于測量溫度變化。 熱敏電阻
2023-09-02 10:13:212896 聯(lián)合SiC的FET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:29250 
和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進(jìn)行
2023-09-20 18:15:01233 
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:23277 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34191 
Q A 問： 電阻的溫度系數(shù)和 PPM 解釋 電阻 的 溫度系數(shù) 表征了觀察到的電阻阻值如何隨器件溫度的變化而變化。溫度系數(shù)也可以應(yīng)用于其他部件，如 電位器 、 振蕩器 、 晶體 、 RTD
2023-12-07 10:25:03214 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 (on)。作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，其最高可達(dá)60mΩ的導(dǎo)通電阻值，使其在電動汽車（EV）領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，尤其適用于車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等關(guān)鍵應(yīng)用。
2024-02-01 10:18:06202
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