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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>IGBT功能是什么?IGBT市場(chǎng)的供需情況如何?

IGBT功能是什么?IGBT市場(chǎng)的供需情況如何?

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2019-08-20 07:01:0016187

IGBT

區(qū),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。   IGBT的開(kāi)關(guān)作用
2012-07-25 09:49:08

IGBT功能應(yīng)用是什么

IGBT芯片。常見(jiàn)的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊:集成整流橋+制動(dòng)單元+三相逆變IPM模塊:即智能功率模塊,集成門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能(熱保護(hù),過(guò)流保護(hù)等)的IGBT模塊。 IGBT是強(qiáng)電
2012-07-09 14:14:57

IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么?

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2021-03-29 07:17:06

IGBT失效的原因與IGBT保護(hù)方法分析

集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過(guò)流情況出現(xiàn)時(shí),IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58

IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

壓傳感器(LV-2、LV-3)、一個(gè)直流電壓傳感器(LV-1)、共模磁環(huán)等變流器所需的重要零部件集成在一起,組成一個(gè)功能相對(duì)比較完整和獨(dú)立的模塊。電路的每相半橋電路由3個(gè)并聯(lián)的IGBT半橋電路組成,每個(gè)
2015-03-11 13:18:21

IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)參考

的均衡措施。用相關(guān)的試驗(yàn)證實(shí)一些分析結(jié)論。關(guān)鍵詞:IGBT并聯(lián)、靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電流、均衡措施1 引言隨著市場(chǎng)對(duì)兆瓦級(jí)大功率變流器的需求與日俱增,IGBT并聯(lián)方案目前已成為一種趨勢(shì)。 這主要源于IGBT并聯(lián)
2018-12-03 13:50:08

IGBT損耗有什么計(jì)算方法?

IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一,其結(jié)溫Tj高低,不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì),還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此,如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj,已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知,損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18

IGBT是如何驅(qū)動(dòng)電路的呢?

MOSFET中小電阻的努力會(huì)希望MOSFET的兩個(gè)功率極不要相隔太遠(yuǎn),這也制約了MOSFET承受電壓的能力。功能上來(lái)說(shuō),IGBT就是一個(gè)由晶體管實(shí)現(xiàn)的電路開(kāi)關(guān),不同于家里的電燈開(kāi)關(guān)用按鈕進(jìn)行控制,IGBT
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IGBT有哪些封裝形式?

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2019-08-26 16:22:43

IGBT模塊具有哪些特點(diǎn)

的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此
2021-09-09 08:27:25

IGBT模塊有哪些特點(diǎn)和應(yīng)用呢

IGBT模塊是由哪些模塊組成的?IGBT模塊有哪些特點(diǎn)?IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢?
2021-11-02 07:39:10

IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問(wèn)題-IGBT模塊散熱

IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問(wèn)題-IGBT模塊散熱器 對(duì)IGBT模塊散熱器的過(guò)流檢測(cè)保護(hù)分兩種情況:  (1)、驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)保護(hù)功能。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過(guò)流檢測(cè)器件。對(duì)于小容量變頻器,一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00

IGBT模塊采購(gòu)渠道和單管IGBT采購(gòu)渠道

本人在IGBT代理和原廠做了7年,跑了全國(guó)上百家igbt用戶, 對(duì)IGBT市場(chǎng)比較了解,非常清楚哪家的價(jià)格和貨源情況, 并了解哪些型號(hào),哪家價(jià)格有優(yōu)勢(shì),哪家供貨好, 如希望了解IGBT優(yōu)質(zhì)采購(gòu)渠道,請(qǐng)QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05

IGBT炸機(jī)

請(qǐng)教各位高手一個(gè)問(wèn)題,IGBT通過(guò)散熱膏涂抹后,鎖附在散熱器上,請(qǐng)問(wèn)散熱器與之接觸的部位,表面有微小的劃傷,會(huì)導(dǎo)致IGBT工作時(shí)炸機(jī)嗎?之前都是聽(tīng)別人說(shuō)會(huì)的,但本人還是不太認(rèn)同,請(qǐng)哪位高手請(qǐng)給予解答一下,謝謝。
2021-08-09 08:41:15

IGBT燒壞

我給IGBT的GE間加驅(qū)動(dòng)電壓,是占空比百分之80的PWM,峰峰值15V,其它什么線路都沒(méi)接,就用萬(wàn)用表測(cè)CE兩端的電阻。之后撤了驅(qū)動(dòng),CE兩端的阻值便為7M歐,用萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)CE電壓為2.8V,這是不是說(shuō)明IGBT燒了,可是我并沒(méi)有加任何電路,哪位大神能解釋下嗎?
2017-05-12 21:34:07

IGBT的專用驅(qū)動(dòng)模塊

各位大神好,想請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊,型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊,是驅(qū)動(dòng)模塊,不是驅(qū)動(dòng)芯片,我在網(wǎng)上查找到了EXB840,但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn),所以想問(wèn)有沒(méi)有類(lèi)似的新產(chǎn)品,求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43

IGBT的先短路在運(yùn)行?

IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中,存在這么一種情況,IGBT先短路再開(kāi)通,請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程?按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái),然后啟動(dòng)變頻器,此時(shí)這種過(guò)程就可以稱之為先短路再
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IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的

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IGBT的導(dǎo)通壓降很大

如圖所示,現(xiàn)在的問(wèn)題是IGBT的門(mén)極給的是15V驅(qū)動(dòng)電壓,Vce=27V,為什么導(dǎo)通之后負(fù)載對(duì)地的電壓只有9.7V,在IGBT上的壓降很大,怎么才能解決這個(gè)問(wèn)題
2016-10-16 17:07:46

IGBT的常見(jiàn)問(wèn)題解答

的。IGBT故障的原因是什么?IGBT的故障模式表現(xiàn)為某些關(guān)鍵電氣參數(shù)退化(例如漏電流、閾值電壓)或功能喪失(無(wú)法關(guān)閉)。故障原因可能是由于環(huán)境條件或操作條件造成的。IGBT是晶閘管嗎?雖然IGBT的結(jié)構(gòu)
2023-02-02 17:05:34

IGBT的開(kāi)啟與關(guān)斷

開(kāi)啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系?關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系?
2021-10-14 09:09:20

IGBT的短路過(guò)程分析

IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造,在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí),在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作,IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。 但是在具體波形時(shí),IGBT
2024-02-21 20:12:42

IGBT管的好壞的判別

影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度;數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)試CE兩腳正反壓降,正常情況下,IGBT管的C、E極間正向壓降約為0.35~0.7V間都是好的,反相電壓為無(wú)窮大。 (內(nèi)不含阻尼二極管),IGBT管的C、E極間正向,反相壓
2012-04-18 16:15:53

IGBT芯片型號(hào)?

現(xiàn)在要驅(qū)動(dòng)一個(gè)IGBTIGBT開(kāi)啟電壓Vge為15V,現(xiàn)在要選擇一個(gè)輸出20V以上的驅(qū)動(dòng)芯片,滿足要求的有哪些型號(hào)?我現(xiàn)在手里的驅(qū)動(dòng)芯片資料,最大的只有18V。
2013-05-05 13:23:40

IGBT資料

IGBT的通俗易懂的資料,謝謝!
2016-09-05 19:18:05

IGBT頻率

`如圖請(qǐng)問(wèn)英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50

IGBT驅(qū)動(dòng)

有沒(méi)有搞IGBT驅(qū)動(dòng)的大神?請(qǐng)問(wèn)脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)和光纖驅(qū)動(dòng)各適用于哪些條件下,他們各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)啊?
2015-03-05 15:17:15

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IGBT驅(qū)動(dòng)原理是什么?

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2019-11-11 05:16:13

IGBT驅(qū)動(dòng)手冊(cè)

IGBT手冊(cè)的介紹
2015-07-02 17:21:55

IGBT驅(qū)動(dòng)板,IGBT驅(qū)動(dòng)核,IGBT驅(qū)動(dòng)芯,IGBT適配板,IPM之間的區(qū)別

`我需要通過(guò)LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20

IGBT驅(qū)動(dòng)電路

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2009-09-04 11:37:02

IGBT驅(qū)動(dòng)電路

的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT 的容量有關(guān),一般在幾歐~幾十歐,小容量的IGBT 其RG值較大。 (5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IGBT 的自保護(hù)功能。IGBT 的控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路
2012-09-09 12:22:07

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2021-03-04 08:44:36

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2016-04-01 09:34:58

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2023-01-04 09:00:04

山東全省高價(jià)上門(mén)收購(gòu)IGBT長(zhǎng)期回收IGBT模塊

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2021-11-12 20:32:29

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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路
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常年回收IGBT模塊-全新igbt模塊-拆機(jī)IGBT模塊

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2021-09-24 18:18:03

檢測(cè)IGBT模塊的的辦法

1端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障.動(dòng)態(tài)測(cè)試:把萬(wàn)用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑
2011-12-14 11:29:51

淺析IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)

IGBT的輸入電容較MOSFET大,所以IGBT的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比MOSFET驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。圖1是一個(gè)典型的例子。在+20℃情況下,實(shí)測(cè)60 A,1200 V以下的IGBT開(kāi)通電壓閥值為5~6 V,在實(shí)際使用
2016-11-28 23:45:03

淺析IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)

IGBT的輸入電容較MOSFET大,所以IGBT的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比MOSFET驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。圖1是一個(gè)典型的例子。在+20℃情況下,實(shí)測(cè)60 A,1200 V以下的IGBT開(kāi)通電壓閥值為5~6 V,在實(shí)際使用
2016-10-15 22:47:06

浙江回收IGBT模塊浙江杭州收購(gòu)IGBT模塊

浙江回收IGBT模塊浙江杭州收購(gòu)IGBT模塊長(zhǎng)期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊,高價(jià)回收IGBT模塊的電話151-5220-9946 微信同步 QQ2360670759
2021-09-11 15:54:33

看完這一篇,你就明白IGBT是什么了?

IGBT是什么?IGBT是由哪些部分組成的?IGBT有哪些特征?IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么?
2021-06-18 08:01:12

請(qǐng)問(wèn)如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?

如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需要考慮哪些問(wèn)題?IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些?上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些?
2021-04-20 06:24:18

賽米控IGBT的問(wèn)題

我的IGBT輸出正常,為什么經(jīng)過(guò)了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW,經(jīng)過(guò)變壓器后僅有60KW,查了很久,都沒(méi)發(fā)現(xiàn)這60KW的功率損耗到了哪里?并且就算是損耗,我認(rèn)為也不會(huì)有器件能承受得這60kw的功率,這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎?
2012-08-15 09:36:35

高手指教IGBT

IGBT BSM100GB120DN2的 4、5腳連起來(lái),6、7腳沒(méi)插驅(qū)動(dòng)板,送直流高壓電能行嗎?我有個(gè)變頻器輸入220v輸出380v的,220整流出210v進(jìn)IGBT的1腳,3腳應(yīng)該出560v,這有兩個(gè)大電容,現(xiàn)在送電就燒IGBT,所有部件單個(gè)測(cè)試都是好的,求高手指教。
2016-03-30 08:50:38

IGBT導(dǎo)通與截止#IGBT逆變器

IGBT
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-10-12 21:12:41

IGBT的原理和基本特性

IGBT的原理和基本特性 IGBT的原理 絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640

具有軟柵壓、軟關(guān)斷保護(hù)功能IGBT驅(qū)動(dòng)電路

具有軟柵壓、軟關(guān)斷保護(hù)功能IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2010-03-14 18:58:015431

優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思

優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思 中心議題: 優(yōu)化高電壓IGBT 解決方案: 高側(cè)晶體管
2010-03-24 09:49:201162

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體 #IGBT IGBT喲什么作用

IGBT
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-11-02 22:26:32

2010-2014年中國(guó)IGBT電源市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)與產(chǎn)業(yè)投資建議分析報(bào)告

【報(bào)告描述】: 《2010-2014年中國(guó)IGBT電源市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)與產(chǎn)業(yè)投資建議分析報(bào)告》依托公司多年對(duì)IGBT電源行業(yè)的研究,結(jié)合IGBT電源行業(yè)歷年供需關(guān)系變化規(guī)律,對(duì)IGBT電源行業(yè)內(nèi)的企業(yè)群體進(jìn)行了深入的調(diào)查與研究,采用定量及定性的科學(xué)研究方法撰寫(xiě)而成。 本
2011-02-22 23:12:1555

[3.7.1]--IGBT開(kāi)通特性

IGBT
jf_60701476發(fā)布于 2022-11-24 23:30:48

什么是IGBT?以及它的應(yīng)用

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:48:12

IGBT晶圓,如何制備?

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:51:37

IGBT是怎么來(lái)的

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:21:55

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:23:14

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:58:10

兩個(gè)IGBT比一個(gè)IGBT好在哪里?IGBT使用注意事項(xiàng),IGBT控制電路模塊

IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273

基于IGBT逆變的智能多功能焊接切割電源

基于IGBT逆變的智能多功能焊接切割電源
2017-09-12 10:11:3710

2018年IGBT市場(chǎng)預(yù)測(cè)與技術(shù)路線

在未來(lái)幾年,IGBT市場(chǎng)具有很好的投資價(jià)值。我們預(yù)計(jì)到2022年,全球IGBT市場(chǎng)總量將超過(guò)50億美金.
2018-01-20 20:30:367435

什么是IGBT?國(guó)內(nèi)IGBT企業(yè)崛起

簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-06-05 11:33:1718549

主要廠家的IGBT模塊技術(shù)和相關(guān)情況

車(chē)輛運(yùn)行時(shí),特別實(shí)在擁堵的路況時(shí)的頻繁啟停,此時(shí)控制器的IGBT模塊工作電流會(huì)相應(yīng)的頻繁升降,從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化,對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)很大的考驗(yàn);
2021-02-01 13:58:034411

功能陶瓷在IGBT領(lǐng)域中的應(yīng)用

功能陶瓷在IGBT中就是相當(dāng)于在電子電路基板上的應(yīng)用,作為功能陶瓷基板的材料有著優(yōu)秀的絕緣性,接下來(lái)為大家介紹一下功能陶瓷在IGBT領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2022-04-22 13:27:191607

什么是IGBT的退飽和?什么情況IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?

如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
2022-12-16 15:29:044937

什么是IGBT?

什么是IGBT?本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫(xiě),中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。
2023-02-13 09:30:152367

igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單,只有一個(gè)IGBT晶體管,一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器,而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:509149

IGBT是什么_IGBT的應(yīng)用

原標(biāo)題:提出問(wèn)題:“IGBT是什么?都在哪里有應(yīng)用?” 小編最近為了讓大家更通俗易懂地了解IGBT,于是反復(fù)查閱資料,終于找到幾篇內(nèi)容供大家參考,但是找到的內(nèi)容還是有朋友弄不懂,所以小編繼續(xù)深挖此話
2023-02-22 15:04:438

2023年全球IGBT供需缺口將收窄至-2.5%

近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長(zhǎng)情況,依中國(guó)與國(guó)際業(yè)者分為兩個(gè)階段,2021~2023年由中國(guó)業(yè)者主導(dǎo),在IGBT芯片自給率低,急需國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)下。
2023-02-28 15:04:55725

整理了關(guān)于國(guó)內(nèi)IGBT情況

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)IGBT,并了解目前國(guó)內(nèi)IGBT情況
2023-03-26 00:05:202000

igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎?

igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào),而且
2023-10-19 17:01:221316

igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件

igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開(kāi)關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028167

IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況?

IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況? 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況,我們需要探討IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及反壓對(duì)其產(chǎn)生
2023-10-19 17:08:11860

IGBT模塊損壞時(shí),什么情況導(dǎo)致短路?什么情況導(dǎo)致開(kāi)路?

IGBT模塊損壞時(shí),什么情況導(dǎo)致短路?什么情況導(dǎo)致開(kāi)路?? IGBT模塊是一種功率模塊,用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過(guò)程中遭受損壞時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)短路或開(kāi)路的問(wèn)題。這兩種情況會(huì)對(duì)電路
2023-10-19 17:08:182733

什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)

什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么?

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281269

igbt的作用和功能

igbt的作用和功能? IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552947

IGBT應(yīng)用中有哪些短路類(lèi)型?

短路 這種短路是指IGBT內(nèi)部出現(xiàn)了開(kāi)路或短路的情況。其中,IGBT的開(kāi)路指IGBT的關(guān)鍵部件之一,即PN結(jié)(N型硅片和P型硅片)出現(xiàn)斷裂,導(dǎo)致電流無(wú)法通過(guò)。而短路則是指PN結(jié)短路或者IGBT內(nèi)部導(dǎo)線短路,導(dǎo)致電流難以正常流動(dòng)。這種短路可能由于材料、制造工藝、熱應(yīng)力等
2024-02-18 10:21:57222

IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別

出現(xiàn)過(guò)流和短路故障,導(dǎo)致設(shè)備損壞甚至發(fā)生火災(zāi)。 首先,需要了解過(guò)流和短路的概念。過(guò)流是指電流超過(guò)設(shè)備或電路所能承受的額定電流的情況,而短路是指電流繞過(guò)了正常的路徑,直接從一個(gè)節(jié)點(diǎn)到達(dá)另一個(gè)節(jié)點(diǎn)的情況。 IGBT過(guò)流故障是指在IGBT工作過(guò)
2024-02-18 11:05:32275

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