功率MOSFET心得

MOSFET是一種可控硅晶體管，它是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管，具有較高的開關(guān)速度、較低的漏電流、較高的額定電壓和較高的額定電流等優(yōu)點(diǎn)。

功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)。

功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物（SiO2或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET（PowerMOSFET）是指它能輸出較大的工作電流（幾安到幾十安），用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型，按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。

做開關(guān)電源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗;對ORing FET應(yīng)用來說，RDS（ON）也是重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS（ON）與柵極（或驅(qū)動）電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS（ON）是一個相對靜態(tài)參數(shù)。

功率MOSFET的作用原理是：當(dāng)控制電壓Vgs大于閾值電壓Vth時，MOSFET的源極和漏極之間的漏電流會增大，從而使MOSFET的漏極電流增大，從而實(shí)現(xiàn)功率放大的作用。

功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)有：

1.具有較高的開關(guān)速度，可以實(shí)現(xiàn)高效率的開關(guān)操作；

2.具有較低的漏電流，可以有效降低功耗；

3.具有較高的額定電壓，可以提高電路的穩(wěn)定性；

4.具有較高的額定電流，可以提高電路的負(fù)載能力。

在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。