熱插拔控制器實現(xiàn)雙極性處理

　　
　　有些應用場合需要使用一個熱插拔控制器、一個斷路器或者兩者都要使用，以適應雙極性直流輸入電源干線。在某些使用熱插拔控制器的情況下，這種要求僅僅出于對起動電流的考慮。要消除連接器的應力和電源干線的干擾，就必須控制起動電流。另外一些應用場合在某一電源因某種原因發(fā)生故障時就會出現(xiàn)問題。砷化鎵FET放大器的偏置電源就是一個范例。如果你去掉負的柵極偏壓，那你也得去除正的漏極電源；否則，放大器就會因漏極電流過大而自行毀壞。但你只要使用一個單通道熱插控制器，就可滿足上述這兩個要求。

　　圖1，所示電路以浮動方式使用TPS2331（即IC1）。該電路使得IC的接地與負輸入電壓有關。如果正干線電壓太低或負干線電壓太高，則該電路在VSENSE引腳上達不到1.225V的閾值，于是IC關斷。VSENSE引腳上有大約30mV的滯后電壓，以保證IC開啟時無震顫。

　　當正負兩個電壓都超出各自的閾值時，IC1接通，為兩只FET提供的受控制的轉換速率隨時間線性增長。要注意的是，該電路只使用N溝道FET，因為尺寸和費用給定的情況下，N溝道FET的導通電阻比P溝道FET的要小。

圖1 該電路是低壓電路用雙極性電壓定序器。
　　
　　為了使Q1A導通，TPS2331有一個內置式電荷泵，它能產(chǎn)生一個比正干線電壓大的電壓，從而對這一FET起增強作用。隨著柵極電壓的建立，Q3起到線性電平晶體管的作用，因而Q1B也能隨時間線性增長，其導通速度是TPS2331 14μA輸出電流和C3值的函數(shù)。本設計使用這兩只FET的依據(jù)是直流通路中允許的最大電阻和FET的功耗值。事實上可以使用任何規(guī)格的FET，視你想要控制的電流大小而定。要注意的是，加到TPS2331上的總電壓范圍不能超過最大額定電壓15V。如果IC1不在兩個輸入電源電壓之間浮動，則負輸入電壓可能比較大。圖2示出了這樣一種應用電路，其輸入電壓為5V和-12V。該電路的主要要求是，電平移動晶體管Q3要能耐受較高的電壓。此外，這一電路還能使用象IC1最大額定電壓15V那么高的正輸入電壓。

圖2，本電路在圖1所示電路基礎上有所改動，能承受較高的電壓。