`[hide]SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸[/hide]<br/>`
2009-05-25 11:48:10
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2022-09-15 14:55:08
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR2 SODIMM封裝中的Arduino DUE.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-19 09:42:323 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03149 EE-387：將DDR3/DDR2/LPDDR內(nèi)存連接到ADSP-SC5xx/ADSP-215xx處理器
2021-04-20 15:44:562 EE-349：用于DDR2內(nèi)存的ADSP-2146x板設(shè)計(jì)指南
2021-04-18 16:17:531 用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-21 05:20:164 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 本文首先列出了DDR2布線中面臨的困難，接著系統(tǒng)的講述了DDR2電路板設(shè)計(jì)的具體方法，最后給出個(gè)人對(duì)本次電路設(shè)計(jì)的一些思考。
2020-11-20 10:28:35
6009 每片DDR2存儲(chǔ)器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總?cè)萘繛?b style="color: red">2Gb。單DDR2存儲(chǔ)器為16bit，兩片存儲(chǔ)器共用控制線和地址線，數(shù)據(jù)線并列，即組成了32位的2Gb存儲(chǔ)模組。
2020-08-21 15:09:004914 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:0049 FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽，可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存模塊組件，以便在臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:002460 DDR2 設(shè)備概述：DDR2 SDRAM接口是源同步、支持雙速率傳輸。比如DDR SDRAM ,使用SSTL 1.8V/IO電氣標(biāo)準(zhǔn)，該電氣標(biāo)準(zhǔn)具有較低的功耗。與TSOP比起來，DDR2 SDRAM的FBGA封裝尺寸小得多。
2019-06-22 10:05:011609 
突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)
2018-06-21 09:20:5414051 
本文檔介紹了DDR2內(nèi)存控制器在tms320dm646x數(shù)字媒體片上系統(tǒng)（dmsoc）的DDR2內(nèi)存控制器。
DDR2內(nèi)存控制器是用來與jesd79d-2a標(biāo)準(zhǔn)兼容的DDR2 SDRAM接口
2018-04-18 10:45:104 本文檔介紹了在tms320c6474數(shù)字信號(hào)處理器的DDR2內(nèi)存控制器（DSPs）。
2018-04-16 16:16:048 本文檔提供了對(duì)c6474 DSP包含DDR2接口的實(shí)現(xiàn)說明。
2018-04-16 16:03:377 本應(yīng)用報(bào)告包含對(duì)包含DDR2接口的實(shí)現(xiàn)說明tms320c6472 / tms320tci6486 DSP器件。為指定的DDR2接口時(shí)序的方法接口與以前的設(shè)備有很大的不同。
2018-04-16 15:37:427 DDR2(Double Data Rate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同：雖然采用時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)傳輸
2017-11-25 01:41:013741 
提出一種便于用戶操作并能快速運(yùn)用到產(chǎn)品的DDR2控制器IP核的FPGA實(shí)現(xiàn)，使用戶不需要了解DDR2的原理和操作方式的情況下，依然可以通過IP核控制DDR2。簡單介紹了DDR2的特點(diǎn)和操作原理，并
2017-11-22 07:20:504424 
SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4924748 本文首先列出了DDR2布線中面臨的困難，接著系統(tǒng)的講述了DDR2電路板設(shè)計(jì)的具體方法，最后給出個(gè)人對(duì)本次電路設(shè)計(jì)的一些思考。
2017-09-19 11:27:2122 DDR2 / mDDR 內(nèi)存控制器用于和兼容 JESD79D-2 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR2 以及符合 JESD209 標(biāo)準(zhǔn)的移動(dòng)DDR(mDDR)類的 SDRAM 設(shè)備連接。其他的內(nèi)存類型本控制器不支持
2016-11-14 16:55:1214 Xilinx FPGA工程例子源碼：Xilinx DDR2存儲(chǔ)器接口調(diào)試代碼
2016-06-07 14:54:5727 Xilinx FPGA工程例子源碼：DDR2 Controller
2016-06-07 11:44:1424 帶自測功能的DDR2控制器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-01-04 15:23:3210 DDR2 SDRAM操作時(shí)序規(guī)范，中文版規(guī)范
2015-11-10 17:42:44137 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 ISS 的DDR2 的設(shè)計(jì)指導(dǎo)，雖是英文，但很有用。
2015-10-29 10:53:383 SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸
2013-09-13 15:19:42162 使用功能強(qiáng)大的FPGA來實(shí)現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲(chǔ)控制器，由于該公司出產(chǎn)的這種存儲(chǔ)控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，
2013-01-08 18:15:50237 SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技術(shù)發(fā)展的不同階段, 對(duì)于嵌入式系統(tǒng)來說, SDRAM 常用在低端, 對(duì)速率要求不高的場合, 而在DDR/DDR2/DDR3 中，目前基本上已經(jīng)以DDR2 為主導(dǎo)，相信不久DDR3 將全面取代
2012-01-16 14:53:01243 DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:562973 This document defines the DDR2 SDRAM specification, including features, functionalities, ACand DC
2011-07-12 09:53:15194 從那時(shí)起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:144876 
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼
2010-10-07 11:06:37157 DDR2 SDRAM 和 FB-DIMM的電氣檢驗(yàn):
隨著DDR2 SDRAM時(shí)鐘頻率和信號(hào)邊沿速率不斷提高，檢查電路板結(jié)構(gòu)、電氣系統(tǒng)和信令正變得越來越重要。本應(yīng)用指南介紹了電路板、電源系統(tǒng)、
2010-08-06 08:29:0139 FeaturesThe Agilent W2630 Series DDR2 BGA probes for logic analyzers and oscilloscopes enable
2010-08-01 12:14:426 據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司inSpectrum近日表示，7月份下半個(gè)月的主流DDR3內(nèi)存期貨價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)了小幅度下滑，這也反映出了市場的低需求。逐步退出內(nèi)存市場的DDR2內(nèi)
2010-07-26 10:09:02648 
摘要：根據(jù)DDR2的技術(shù)規(guī)范，在介紹了DDR2SDRAM的基本特征、工作原理的基礎(chǔ)上，分別針對(duì)主板上內(nèi)存部分與北橋、時(shí)鐘發(fā)生器以及電源部分的連接做出了相應(yīng)的研究，并使用Cadence，All
2010-05-29 11:25:1977 DDR2內(nèi)存瘋狂演繹 2G版沖破350元近一年間，市場主流的DDR2內(nèi)存一直演繹著瘋狂，在200元與300元之間幾經(jīng)反復(fù)。近日，DDR2內(nèi)存的瘋狂更進(jìn)一步，2G的DDR2內(nèi)存的售價(jià)最高竟然已達(dá)35
2010-04-13 09:29:35447 金士頓：DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲
據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05637 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361329 DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3
報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18919 廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢
全球DRAM市場正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大
2010-01-20 09:24:18611 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441044 Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:05900 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57419 DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)
PC1600如果按照傳統(tǒng)習(xí)慣傳輸標(biāo)準(zhǔn)的命名，PC1600（DDR200）應(yīng)該是PC200。在當(dāng)時(shí)
2009-12-25 13:54:36392 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28595 什么是DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)的DDR SDRAM分為DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，對(duì)應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶寬分別為1.6GB/sec，2.12GB
2009-12-24 14:51:34579 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:19691 什么是DDR2 SDRAM
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技
2009-12-17 11:17:59576 DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn)的DDR SDRAM分為DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，
2009-04-26 18:04:131434 
DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221105 
MAX17000 完備的DDR2和DDR3電源管理方案
MAX17000 概述
MAX17000脈寬調(diào)制
2009-01-22 12:59:21971 
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