DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:18
1105 一般會選擇什么拓撲結(jié)構(gòu)呢？我想，這個應(yīng)該和個人的設(shè)計習慣有關(guān)，或者選擇T拓撲，或者選擇Fly-by，沒有標準答案。但是作者最近遇到的一個項目，一個主控拖動兩個DDR顆粒，采用Fly-by結(jié)構(gòu)，信號質(zhì)量
2023-09-07 09:31:15170 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:255246 DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:06674 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:47
0 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:101766 
`[hide]SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標準尺寸[/hide]<br/>`
2009-05-25 11:48:10
DDR PHY 接口 （DFI） 用于包括智能手機在內(nèi)的多種消費電子設(shè)備。DFI 是一種接口協(xié)議，用于定義在 DRAM 設(shè)備之間以及 MC（微控制器）和 PHY 之間傳輸控制信息和數(shù)據(jù)所需的信號
2023-05-26 15:27:312813 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:471667 
隨機存儲器的意思。 （2）SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一
2023-03-07 13:49:18537 ?
內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計算機等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導，TE?Connectivity（以下簡稱“TE”）經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代發(fā)展。為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸的帶寬，DDR5 DIMM插槽應(yīng)運而生。
?
2023-02-16 10:31:16576 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標準。該 IC 包括 VDDQ和 VTT DC/DC 控制器和精密線性VTT 參考。差分輸出檢測放大器和精密內(nèi)部基準相結(jié)合，提供精確的VDDQ供應(yīng)。
2023-01-17 10:29:271334 
SDRAM在一一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是-一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。
2023-01-13 16:25:352 和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸。 圖1. DDR3結(jié)構(gòu) 二、地址的概念及容量計算 2.1地址的概念 ? ? ? ? DDR3的內(nèi)部是一個存儲陣列，將數(shù)據(jù)“填
2022-12-21 18:30:051246 DDR是當前最常用的存儲器設(shè)計技術(shù)之一，其高速、低功耗的特性滿足了眾多消費者的需求。隨著傳輸速度的加快，DDR的設(shè)計和驗證難度呈指數(shù)上升。對于硬件設(shè)計人員來講，DDR的高速率非常容易引起一系列信號完整性問題，引發(fā)包括時序沖突、協(xié)議背離、時鐘抖動以及由其他總線引發(fā)的錯誤等其它問題。
2022-12-08 09:16:341191 傳統(tǒng)上，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）技術(shù)依賴于時序測量，例如建立和保持時間。隨著標準的發(fā)展和傳輸速率的提高，信號完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對于DDR5，定時測量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號的眼圖模板測量所取
2022-12-07 14:34:271422 
本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標準旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1715 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2022-11-28 09:17:062854 初期DDR5可提供超過DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率，最終預期可達2.6倍8.4Gbps。回顧JEDEC SDRAM歷代演進，提升幅度還算驚人，但到頭來也只是充分反應(yīng)相隔八年累積的制程技術(shù)成長。
2022-09-21 11:48:072116 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03149 用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標準
2021-03-21 05:20:164 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標準
2021-03-19 08:44:5013 ，和普通用戶無關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標準規(guī)范，序列編號JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標準。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標準、固件，可以最大程度減少對于現(xiàn)有設(shè)備、平臺的更改，同
2021-02-19 10:04:021430 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266 標準的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:0011 5 SDRAM標準（JESD79-5），其引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的標準頻率3200MHz增加了50%之多，總傳輸帶寬提升了38
2020-12-12 10:35:393778 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266 標準的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:48469 5-4800芯片支持4800到5600 Mbps的速度，潛在的數(shù)據(jù)傳輸速率比DDR4更快，同時功耗更低。該技術(shù)還允許模塊的大小高達256GB。 JEDEC的DDR5 RAM標準于今年7月正式發(fā)布，但SK-Hynix
2020-10-20 14:01:293404 DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時鐘頻率的兩倍，由于速度增加，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)傳輸
2020-07-16 15:44:101779 （頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的標準頻率3200MHz增加了50%之多，總傳輸帶寬提升了
2020-07-16 10:00:056677 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:0049 日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標準的制定。
2019-12-16 15:41:082894 要求。本標準是根據(jù)DDR2標準（Jesd79-2）和DDR標準（Jesd79）的某些方面制定的。DDR3 SDRAM操作的每個方面的更改都經(jīng)過了委員會投票的考慮和批準。然后將這些投票的累積合并在一起，以制備本文件，即Jesd79-3D，替換整個將這些更改合并到功能描述和操作中。
2019-11-04 08:00:0065 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進的數(shù)據(jù)完整性，增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:0144519 DDR2 設(shè)備概述：DDR2 SDRAM接口是源同步、支持雙速率傳輸。比如DDR SDRAM ,使用SSTL 1.8V/IO電氣標準，該電氣標準具有較低的功耗。與TSOP比起來，DDR2 SDRAM的FBGA封裝尺寸小得多。
2019-06-22 10:05:011609 
SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494167 關(guān)鍵詞：JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標準 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低
2018-09-30 00:15:011917 突發(fā)長度，由于DDR3的預期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個
2018-06-21 09:20:5414051 
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic
2018-05-23 16:07:1949251 
差分時鐘是DDR的一個非常重要的設(shè)計，是對觸發(fā)時鐘進行校準，主要原因是DDR數(shù)據(jù)的雙沿采樣。由于數(shù)據(jù)是在時鐘的上下沿觸發(fā)，造成傳輸周期縮短了一半，因此必須要保證傳輸周期的穩(wěn)定以確保數(shù)據(jù)的正確傳輸
2018-04-01 10:32:0714949 
DDR2(Double Data Rate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同：雖然采用時鐘的上升／下降沿同時傳輸
2017-11-25 01:41:013741 
SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4924748 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330614 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5152043 
DDR~DDR3的設(shè)計指導手冊
2017-11-02 17:02:1189 內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522114 藍牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth Special Interest Group，SIG)在本周正式公布了最新的藍牙5.0技術(shù)標準，相比于上一代標準，藍牙5.0的重點在于提升至4倍的傳輸范圍(理論上
2016-12-09 18:35:5113133 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對于初學者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標準尺寸
2013-09-13 15:19:42162 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標準的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561575 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領(lǐng)導制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關(guān)鍵屬性。 預計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標準與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461651 DDR 技術(shù)和HSTL 電平標準是近年來出現(xiàn)的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，結(jié)合實際課題探討應(yīng)用了這兩種技術(shù)的DDR SRAM器件的具體使用
2011-06-03 16:30:3882 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領(lǐng)導制定機構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:503338 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:392967 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361329 嵌入式DDR接口原理及設(shè)計
有助于SoC設(shè)計取得成功的十條建議
DDR3等DRAM標準是由JEDEC開發(fā)的。這個組織已經(jīng)為許多半導體器件制定過標準，而大多數(shù)DR
2010-03-13 11:36:4788 Modem數(shù)據(jù)傳輸標準
數(shù)據(jù)傳輸標準是指MODEM的
2009-12-28 13:29:15866 內(nèi)存最高傳輸標準 內(nèi)存傳輸標準是指主板所支持的內(nèi)存傳輸帶寬大小或主板所支持的內(nèi)存的工作頻率，這里的內(nèi)
2009-12-26 15:56:43244 RDRAM傳輸標準
PC600
2009-12-25 14:16:10174 DDR2傳輸標準
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57419 DDR傳輸標準
PC1600如果按照傳統(tǒng)習慣傳輸標準的命名，PC1600（DDR200）應(yīng)該是PC200。在當時
2009-12-25 13:54:36392 DRAM傳輸標準
PC100 PC100是
2009-12-25 13:52:22373 內(nèi)存傳輸標準有哪些? 內(nèi)存是計算機內(nèi)部最
2009-12-25 13:49:07407 主板支持的內(nèi)存傳輸標準有哪些? 內(nèi)存傳輸標準是指主板所支持的內(nèi)存傳輸帶寬大小或主板所支持的內(nèi)存的工作頻率
2009-12-24 14:58:23862 什么是RDRAM傳輸標準
目前RDRAM有PC 600，PC 800，PC 1066和PC 1600等，其工作頻率分別為300MHz，400MHz，533MHz和800MHz，其對應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶寬分別為1.2GB/sec，1.6GB/sec，2.12GB/sec
2009-12-24 14:55:07499 DDR2內(nèi)存傳輸標準
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28595 什么是DDR傳輸標準
標準的DDR SDRAM分為DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，其標準工作頻率分別100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，對應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶寬分別為1.6GB/sec，2.12GB
2009-12-24 14:51:34579 什么是SDRAM傳輸標準
標準的SDRAM分為66MHz SDRAM（即俗稱的PC 66，但PC 66并非正規(guī)術(shù)語），PC 100以及PC 133，其標準工作頻率分別為66MHz，100MHz和133MHz，對
2009-12-24 14:49:19384 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不
2009-12-17 16:26:19691 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531539 DDR培訓教材:DDR概述DDR工作原理DDR相關(guān)概念DDR的兩種形式配置DDR幾個常用參數(shù)DDR Dial-on-Demand RoutingDDR不是協(xié)議沒有國際標準.兩種拔號網(wǎng)絡(luò)PSTN ISDN省錢但速度
2009-09-13 10:44:5049 RDRAM傳輸標準 目前RDRAM有PC 600，PC 800，PC 1066和PC 1600等，其工作頻率分別為300MHz，400MHz，533MHz和800MHz，其對應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶
2009-04-26 18:06:23547 
DDR2內(nèi)存傳輸標準 DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40720 
SDRAM傳輸標準 標準的SDRAM分為66MHz SDRAM（即俗稱的PC 66，但PC 66并非正規(guī)術(shù)語），PC 100以及PC 133，其標準工作頻率
2009-04-26 18:03:38895 
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