資料介紹
一般的內(nèi)存條會注明 CL 值,此數(shù)值越低表明內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM 的 CL 常見值一般為 2 和 2.5 兩種。 DDR DDR 是雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate)。DDR 與普通同步動態(tài)隨機存儲器(DRAM)非常相象。普通同步 DRAM(現(xiàn)在被稱為 SDR)與標準 DRAM 有所不同。標準的 DRAM 接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳,采用了多路傳輸?shù)姆桨?。第一地址字由原始地址選通(RAS)鎖存在 DRAM 芯片。緊隨 RAS 命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過 RAS 和 CAS,存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機存儲器(SDR DRAM)由一個標準 DRAM 和時鐘組成,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示,可以預(yù)測數(shù)據(jù)和剩余指令的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計性,所以可將存儲器劃分成 4 個區(qū)進行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過脈沖串模式,可進行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù) RAS 選通。連續(xù) CAS 選通可對來自相同源的數(shù)據(jù)進行再現(xiàn)。 DDR 存儲器與 SDR 存儲器工作原理基本相同,只不過 DDR 在時鐘脈沖的上升和下降沿均讀取數(shù)據(jù)。新一代 DDR 存儲器的工作頻率和數(shù)據(jù)速率分別為 200MHz 和 266MHz,與此對應(yīng)的時鐘頻率為 100MHz 和 133MHz。
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